新型多量子阱锁模半导体激光器的实验研究

报道了一种主要用作超高速光纤通信系统的新型半导体光源，即超高速10GHz、多量子阱、主被动混合锁模的半导体激光器，其输出光波长可精确稳定在1550nm，这对实现光时分复用技术高质量超短相干脉冲光源具有重要意义。     

一种新型超高速多量子阱半导体激光器

报道了一种主要用作超高速光纤通信光时分复用(OTDM)系统的新型光源,即10GHz的被动外腔式锁模多量子阱半导体激光器,其具有脉冲宽度为2.9ps,波长调谐范围为1.53～1.57μm(40nm),输出光波长可精确稳定在1.55μm,锁模光脉冲的重复频率为10GHz,平均输出光功率为1mW及较小的时间抖动性(<0.6ps)等优点。     

新型多量子阱被动锁模半导体激光器噪声分析

对多量子阱被动锁模半导体激光器的噪声理论进行了系统的分析 ,并给出了半导体激光器腔内相位随载流子浓度变化的关系。研究表明 ,被动锁模半导体激光器 (MLLDs)的总噪声主要由散粒噪声、自发辐射放大噪声、频率调制噪声和量子噪声组成 ,分别由光场的振幅、频率和载流子的相位噪声等所致的结果     

碰撞锁模多量子阱半导体激光器模式锁定过程的物理模型

提出了碰撞锁模多量子阱激光器模式锁定过程的完整的物理模型，该模型全面地考虑了吸收体的饱和吸收效应和瞬态光栅效应及增益区端面附近和靠近吸收体处的瞬态光栅作用。作为应用实例采用本模型研究了多量子阱结构激光器的模式锁定过程及瞬态光栅对脉冲半峰宽及峰值功率的影响。     

半导体多量子阱激光器的波导模式分析

本文以多层结构波导模式的精确解为准,讨论了各种等效折射率法,并对量子尺寸效应的影响提出一个考虑到阱间相互作用强弱的半经验的处理方法,得出与最近多量子阱实验数据符合较好的结果.     

量子阱半导体激光器概述

本文主要从量子理论中的电子波函数所满足的薛定锷方程出发,讨论了量子阱理论。进而介绍多量手阱激光器(MQWL)的重要特征之一——阈值电流密度随量子阱的数目变化的情况。     

大功率半导体量子阱激光器及其应用

本文综述了量子阱应变层异质结构的大功率半导体激光器的优化特性，阐述了大功率激光器的一些重要应用，比如用８０８ｎｍ波长的大功率激光器可作为泵浦光源代替庞大的氙灯泵浦系统，还可以用作激光核反应的前级大功率激光漂；大功率半导体激光器发射的波长可以精确地控制在９８０ｎｍ，并能高效率地耗合到光纤中去，有很高的泵浦效率，从而半导体激光泵浦的光纤放大器为光通信技术的发展作了突破性贡献，大功率半导体激光器还在军工     

完全锁模半导体激光器

本文对含F-P标准具的外腔半导体激光器进行了主动锁模研究。适当选择F-P标准具参数可形成单一的纵模群振荡,并可因此得到完全锁模光脉冲。实验中得到了脉宽为13.5ps、重复频率为925MHz的光脉冲输出。     

量子阱半导体激光器发展动态

综述了近几年来国外在量子阱半导体激光器方面的开发现状，着重阐述了在提高器件性能方面获得低阈值电流，降低α参数和线宽的重要性。     

掺Yb3 光纤环形腔锁模激光器的实验研究

报道了以掺Yb^3＋光纤作为增益介质的环形腔光纤激光器产生超短脉冲的实验研究。在掺Yb^3＋光纤环形腔激光器中，通过调节偏振控制器（PC）的状态和减少腔内损耗，利用非线性偏振旋转效应实现被动锁模，通过改变泵浦功率分别获得了调Q锁模和锁模2种稳定运转状态。其中，调Q锁模的中心波长为1051nm，激光光谱宽度为11．5nm；锁模输出的中心波长为1051nm，激光光谱宽度为13．8nm，重复频率为19MHz。给出了实验结果并作了简要的分析。     

基于再生锁模光纤激光器的RZ码光源研究

进行了再生锁模光纤激光器（RMLFL）在光学归零（RZ）光源应用的实验。通过外接马赫一曾德（M-Z）调制器加伪随机码调制得到良好的背背（back-to-back）测试眼罔,获得了可以满足长途传输要求的10Gbit／s波长可调谐RZ码光源,稳定输出脉宽5ps,可通过4路复用后升级为40bit／s RZ光源。同时,将这种RZ码光源与利用两级调制方式产生的RZ码光源作了比较,结果表明,前一种方案在脉宽、信噪比等方面具有明显优势。     

半导体激光器模分配特性的研究

本文分析了半导体激光器模分配特性对光纤传输系统的影响,给出了模分配系数K的物理意义,计算了在不同误码率底线、不同波动程度、不同波长和不同的光源频谱下的系统传输速率和传输距离以及相应的功率代价。     

超短激光脉冲对硅表面微构造的研究

在特定的气体氛围下,用一定能量密度的超短脉冲激光连续照射单晶硅片表面,制备出表面具有准规则排列的微米量级锥形尖峰结构的“黑硅”新材料。不同背景气体下的实验表明,激光脉宽和背景气体对表面微构造的形成起着决定性的作用。具体分析了SF6气体氛围中,皮秒和飞秒激光脉冲作用下硅表面微结构的演化过程。虽然两者均可造成硅表面的准规则排列微米量级尖峰结构,但不同脉冲宽度的激光与硅表面相互作用的物理机制并不相同。在皮秒激光脉冲作用下,尖峰结构形成之前硅片表面先熔化;而飞秒激光脉冲作用下尖峰的演化过程中始终没有出现液相。对材料的光辐射吸收的初步研究表明,该材料对1.5~16μm的红外光辐射吸收率不低于80%。     

半导体激光器干扰CCD传感器实验研究

为拓展半导体激光器的应用,开展了半导体激光器对可见光CCD传感器的干扰实验研究,得出CCD饱和像素个数与激光输出功率和CCD传感器电子快门时间的对应关系.当电子快门时间分别为t=1/10000 S、t=1/4000 S和t=1/2000 S时,CCD的饱和阈值分别为1W、1W和2.8W."软损伤"的阈值为10W,然而,在激光输出最大功率为22.4W的条件下并没有使CCD损伤.     

超短脉冲掺Yb3 光纤激光器的多脉冲运转

报道了一种由偏振敏感的光隔离器(ISO)和偏振控制器(PC)构成的掺Yb3 光纤超短脉冲环形激光器,其在没有进行色散补偿的情况下,通过调节PC的方向,实现了稳定的锁模多脉冲运转.在偏振状态一定的情况下,随着抽运源功率的增加,光纤激光器输出经历单脉冲到多脉冲的改变,通过改变PC和抽运源的抽运电流,可实现不同的多脉冲输出.分析表明,多脉冲的产生主要是可饱和吸收体的过驱动引起的.     

Indium Tin Oxide Thin Films Grown on Polyethersulphone (PES) Substrates by Pulsed‐Laser Deposition for Use in Organic Light‐Emitting Diodes

High quality indium tin oxide (ITO) thin films were grown by pulse laser deposition (PLD) on flexible polyethersulphone (PES) substrates. The electrical, optical, and surface morphological properties of these films were examined as a function of substrate temperature and oxygen pressure. ITO thin films, deposited by PLD on a PES substrate at room temperature and an oxygen pressure of 15 mTorr, have a low electrical resistivity of 2.9×10^?4 Ω cm and a high optical transmittance of 84 % in the visible range. They were used as the anode in organic light‐emitting diodes (OLEDs). The maximum electro luminescence (EL) and current density at 100 cd/m² were 2500 cd/m² and 2 mA/cm², respectively, and the external quantum efficiency of the OLEDs was found to be 2.0 %.     

连续波飞秒锁模激光器中的三阶色散计算

详细推导了连续波锁模激光器中各主要色散元件的二阶、三阶色散的表示式，并分析计算了这些元件的色散量和色散符号。