铁电存储器FM25640及其在电表数据存储中的应用

铁电存储器是新型的高性能非易失性存储器,它具有读写次数多、速度快和超低功耗等特点。文中介绍了一款带有SPI总线接口的铁电存储器FM25640．并讨论了它在电表数据存储中的应用方法。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

ＦＲＡＭ是一种新型非易失性存储器，这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制，本文介绍其基本工作原理和结构及其特点，并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

高端SOC芯片的外部存储器接口设计

文章以一款24位高端SOC的设计经历，简单描述了SOC芯片的外部存储器接口设计以及实现方式。该方案的一个特点是：提出了在不同类型存储器存储空间之间可以进行存储空间的切换。并以SRAM的接口设计为例简单的介绍了如何进行外部存储器的接口设计。     

电可擦除IC的发展及关键技术（二）

三、闪烁存储器闪烁存储器是在1987年提出来的[11]，是EEPROM走向成熟和半导体生产技术发展到1μm以下以及对大容量电可擦除存储器要求的产物。本节首先介绍EEPROM的版图结构、电路（单元）结构及阵列结构；在分析了闪烁存储器市场之后，再对EEPROM和闪烁在储器的性能进行对比。1．闪烁存储器的特点闪烁存储器的版图结构类似EPROM[24][17]，如图12所示[17]。与BEPROM不同之处是它没有所谓的隧道孔。编程（给浮栅充电）机理是利用热电子注入，这一点与EPROM相同，而与EEPROM不同。图13给出了闪烁存储器单元的电路图，实际上…     

Flash存储器技术与发展

Flash存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器，它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和系统的电可擦除性等优点，是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器。文章对Flash存储器的发展历史和工作机理、单元结构与阵列结构、可靠性、世界发展的现状和未来趋势等进行了深入的探讨。     

智慧型音乐/语音电路原理及开发应用系列(四) RSC-4X系列语音识别集成电路

RSC-4X系列是新一代嵌入式语音识别处理器集成电路，它具有集成度高、外围电路简单、功耗低、不怕掉电、使用方便等特点。一个完整的语音识别系统仅由RSC-4X系列芯片及少量外部元器件（扬声器、麦克风、音频输入／输出电路、存储器和电池或整流稳压电源）等组成。RSC-4X系列芯片适用美国SENSORY公司的7．0语音识别技术。     

适合DDR存储器模块应用的高度集成数字温度传感器

ADT7408是一种符合JEDEC标准JC-42．4条款的精密温度传感器，适合用于移动平台存储器模块。该器件可在很宽的温度范围内用于控制存储器总线速度。ADT7408适合用于当双数据速率（DDR）存储器温度达到预置值时．帮助降低系统的工作速度，因此防止了存储器被压制。另外，如果DDR的温度降低的话，它也可用于提高系统的工作速度，从而优化了系统性能并且有助于实现闭环存储器散热管理。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

移动式存储器的原理与应用

移动式存储器以其具有接口方便、低功耗、大容量等特点适合用于嵌入式操作系统，介绍了它的结构特点，工作原理，并对其开发过程进行了简要论述。     

数字图像存储器及FPGA器件的应用

本文介绍了一种数字图像存储器，并讨论了ＦＰＧＡ（现场可编程门阵列）器件在存储器中的应用，该存储器设计简单、实用、调试方便、稳定性好。     

三菱电机/日立制作所共同出售16M位DINOR型闪烁存储器

据《电子材料》杂志1996年第2期上报道，三菱电机公司和日立制作所共同开发了16M位DINOR型闪烁存储器，现在已开始出售样品。DINOR型存储单元是三菱电机公司单独开发的，它具有NOR型的高速性和NAND型的高集成性等两大特点，同时也是能够实现低功耗化的单元。使用这个单元．在原来采用单电源实现低功耗化较为困难的闪烁存储器中，在世界上首次同时实现了3．3V单电源化和高速随机存取80ns（最大）。另外，还考虑到易于使用等功能。三菱电机/日立制作所共同出售16M位DINOR型闪烁存储器     

铁电随机存储器的研究进展

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器．以其高密度、高速度、非易失性及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。该文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题，并指出1T结构的铁电随机存储器(FRAM)将会成为下一代随机存储器。     

高速先入先出存储器UPD42280及其应用

μPD42280为具有2M bit存储容量的高速先入先出存储器,其外围电路简单,与微处理器或数字信号处理器接口方便,能对大容量的数据进行高速缓存。本文介绍了它的特点、功能和工作原理,并给出了它在高速数据采集系统中的应用实例。     

准深全息联想存储器的研究

本文提出了一种利用准深全息图原理实现的光学联想存储器。它能实现三维图像的存取，并且具有高存储能力和较大容错本领的特点，可考虑作为计算机的联想存储器。     

嵌入式存储器的内建自修复设计

目前，关于嵌入式存储器的内建自测试（MBIST）技术已经日趋成熟。基于这种背景．研究了一种高效的内建自修复（MBISR）方法，试验表明它具有低面积开销和高修复率等优点，保证了嵌入式存储器不仅可测．而且可修复。极大地提高了芯片的成品率。     

单片机新产品动态

１．美国ＡＴＭＥＬ公司最新推出的ＡＴ８９Ｓ８２５２单片机，被认为是单片机领域的新突破。内含２Ｋ字节的ＥＥＰＲＯＭ（电可擦数据存储器），可重复擦写１０万次以上；８Ｋ字节的ＦＬＡＳＨ存储器可重复编程１千次以上；２．７Ｖ至６Ｖ的宽范围工作电压；带看门狗计时器。９个中断源、ＳＰＩ串行接口等等多种性能，为各种智能电子产品提供了最佳的选择。２．美国ＡＴＭＥＬ公司畅销市场的８９系列单片机又添新品种ＡＴ８９Ｃ５５，它与ＡＴ８９Ｃ５２特点基本相符，但是８９Ｃ５５的ｆｌａｓｈ程序存储器有２０Ｋ字节的容量。静态操作频…     

Flash存储器的冗余实现

Flash存储器是在20世纪80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体非挥发性存储器,它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和系统的电可擦除性等优点,是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器。文章对Flash存储器的发展现状及发展趋势进行了介绍,分析了Flash存储器的工作机理;并针对Flash存储器是一种数据正确性非理想的器件,在使用中可能会有坏损单元,探讨了Flash存储器冗余技术的种类和实现方法。     

多口DRAM MSM5416283的原理及其应用

ＭＳＭ５４１６２８３是－４Ｍ位ＣＭＯＳ高性能多端品动态随机存储器。它除了具有一般的动态随机存储器特点外，还具有多种特殊功能。非常适用于高速图象处理系统。本文介绍其功能、特点、工作原理及应用。     

直接存储器存取在数据采集系统中的应用设计

介绍TMS320VC5402 DSP的直接存储器存取(DMA)的特点，给出一种适用的DMA结合多通道缓冲串行口McBSP组成的数据采集系统的设计方案，该设计具有设计灵活、硬件简单、CPU执行效率高的特点。     

Cypress FullFlex针对高级处理应用

双端口互连是一种允许两个处理单元独立访问一个共用存储器空间的存储器映射器件。它允许两个处理单元通过其存储器总线来连接,并进行高带宽通信。“通过把双端口互连器件的速度和吞吐量与简单存储器的架构灵活性和可扩展性结合起来,Cypress的FullFlex系列重新定义了双端口互连