双邓型聚酰亚胺印制电路基板的研制

本文概述了双马型聚酰亚胺印制电路基板的研制,探讨了树脂、玻璃布预浸料和印制电路基板的性能,以及可制作成多层印制电路板。实验表明该印制电路板是制造高性能大型计算机用多层印制电路板和耐高温印制电路板的理想基材。     

双马型聚酰亚胺印制电路基板的研制

本文概述了双马型聚酰亚胺印制电路基板的研制,探讨了树脂、玻璃布预浸料和印制电路基板的性能,以及可制作成多层印制电路板。实验表明该印制电路板是制造高性能大型计算机用多层印制电路板和耐高温印制电路板的理想基材。     

双马来酰亚胺树脂体系在封装基板上的应用

介绍了半导体IC封装技术和封装基板的技术发展需求,阐述了双马来酰亚胺树脂的改性方法及其在封装基板上的应用,分析了三菱瓦斯化学公司的双马来酰亚胺-三嗪树脂(BT树脂)材料封装基板的特性,结果表明,该树脂可满足封装领域的技术要求,应用前景广阔.     

封装基板向更小尺寸发展

传统的IC封装是采用导线框架作为IC导通线路与支撑IC的载具。随着IC封装技术的发展,引脚数量的增多、布线密度的增大、基板层数的增多,传统QFP等封装形式的发展受到限制。90年代中期以BGA、CSP为代表的新型IC封装形式问世,IC封装基板IC封装基亦随之产生。当前,在刚性封装基板中其尖端技术主要表现在刚性CSP和倒装芯片型封装基板中。MCP和SiP已开始用于CSP基板中。对于CSP封装尺寸,日本有的封装基板生产厂在这两种封装基板的大生产方面,目前已经可制作3mm×3mm至16mm×16mm范围封装基板。它们的引脚数量在300个左右。它们在生产的BGA封装基板尺寸,现在主流制品在20mm×20mm至27mm×27mm范围。目前少量生产的最先进的封装基板,其导线宽(L)/导线间距(S)为30μm/30μm。随着今后电路图形的更加微细化,L/S将会在不久发展为25μm/25μm。采用半加成法生产的L/S为15μm/15μm的封装基板的也在研发之中。     

IC封装用覆铜板的研究

研制了一种改性双马来酰亚胺树脂体系覆铜板(CCL),结果表明:制成的覆铜板具有玻璃化温度高、热膨胀系数小、模量高、介电常数低等优异的综合性能,可满足封装领域的技术需要,应用前景广阔。     

聚酰亚胺薄膜/超薄铜箔挠性覆铜板的研制

研究了聚酰亚胺薄膜覆以5m铜箔的挠性覆铜板的工艺和性能。研究了环氧改性丙烯酸酯树脂、聚乙烯醇缩丁醛(PVB)-环氧树脂、丁腈-酚醛-环氧树脂体系的胶粘剂对性能尤其是弯曲疲劳性能的影响,聚酚氧树脂改性环氧树脂胶粘剂显著提高了覆铜板的弯曲疲劳性能;研究了涂胶工艺、胶层厚度、烘焙温度和时间对半固化涂薄膜可溶性树脂含量和挥发份的影响以及它们对剥离强度、耐浮焊性和其他性能的影响。测试表明,该覆铜板具有良好的电性能、剥离强度、尺寸稳定性、耐弯曲疲劳性、环境适应性,耐浮焊性。     

二层柔性覆铜板用聚酰亚胺研究进展

简要介绍了二层柔性覆铜板的生产工艺、基体树脂配方及其性能特点,重点介绍了五类二层柔性覆铜板用的聚酰亚胺树脂即全芳香型、醚酮型、双酚(砜)A型、芳香酯型、混合型的聚酰亚胺树脂的研究进展,及其生产的二层柔性覆铜板的性能。     

二层法双面挠性覆铜板的研制

用芳香族二胺单体和芳香族四羧酸二酐分别合成了两种聚酰胺酸溶液,在铜箔上将这两种聚酰胺酸溶液逐层涂布,热亚胺化形成单面板,并在压机中与铜箔高温热压制成二层法双面挠性覆铜板。用红外光谱（FT-IR）、热重分析仪（TGA）和动态热力学分析仪（DMA）对这两种聚酰亚胺树脂的复合膜进行了性能分析。对二层法双面挠性覆铜板进行了多项性能测试,结果表明该挠性覆铜板的性能符合IPC-4204标准,具有良好的工业化前景。     

新型OLED柔性基板用聚酰亚胺薄膜研究

本研究以4,4’-二氨基苯酰替苯胺（DABA）和4,4’-二氨基-2,2’-二甲基联苯（m-TB）与均苯四甲酸二酐（PMDA）和4,4,-氧双邻苯二甲酸酐（ODPA）为原料,成功合成了有机发光二极管（OLED）柔性基板用聚酰亚胺（PI）薄膜。结果表明：当二胺与二酐摩尔比为0.990、加料时间为120 min、反应温度为0～30℃、搅拌速度为200～250 r/min、反应时间为240 min时,聚酰胺酸合成过程凝胶量少,黏度满足工业化合成要求。经400℃热亚胺化后,所得PI薄膜的玻璃化转变温度为450℃,1%热失重温度为554℃,热膨胀系数为4.1×10-6 K-1,拉伸强度为326.9 MPa,拉伸模量为9 572.8 MPa,电气强度为623 kV/mm,介电常数为3.251,这些参数指标满足OLED柔性基板的工业应用要求。     

纳米氮化铝增强聚酰亚胺基高导热覆铜板的研究

采用粒径为400 nm的纳米级氮化铝对聚酰亚胺进行填充,制备了纳米氮化铝增强的聚酰亚胺基覆铜板,研究了纳米氮化铝含量对聚酰亚胺膜及聚酰亚胺基覆铜板各项性能的影响。结果表明：随着纳米氮化铝含量的增加,聚酰亚胺膜的热导率、热稳定性相应增加,而断裂延伸率及其与铜箔之间的剥离强度则大幅下降。当纳米氮化铝的含量为40%时,聚酰亚胺膜基覆铜板的综合性能最佳。     

苯胺衍生物改性酚醛树脂的研制

以苯胺衍生物为改性剂，叔胺类有机碱为催化剂，合成了改性酚醛树脂。讨论了改性剂用量、甲醛和苯酚摩尔比以及催化剂种类和用量对改性酚醛树脂游离酚含量及环氧酚醛玻璃布板的浸水后绝缘电阻的影响，确定了苯胺衍生物改性酚醛树脂的配方和合成工艺。结果表明用该树脂制造环氧酚醛玻璃布板，其浸水后绝缘电阻符合IEC标准。     

无铅化阻燃覆铜板基板的研制

合成了一种新型多元胺苯并口恶嗪,将其与环氧树脂或无机阻燃剂进行复配,对其固化行为进行了研究,并以KH560处理的平纹玻璃布为增强材料,制备了一种新型的高玻璃化转变温度(Tg)的阻燃覆铜板基板。研究结果表明,该复合树脂体系5%的热失重温度Td大于365℃,800℃残炭大于45%,所制得玻璃布层压板具有优良的热稳定性和耐热性,通过与环氧树脂进行复配,其Tg仍大于208℃,同时该复合体系的耐锡焊性能在288℃锡浴中起泡时间大于360 s,阻燃性能达到UL94-V0或VI级。     

新型苯并(噁)嗪树脂基覆铜板基板的研制

以4,4′-二胺基二苯甲烷、甲醛及双酚F为原料,苯酚为封端剂合成苯并噁嗪树脂,用其浸渍KH560处理的平纹玻璃布,制备了苯并噁嗪玻璃布层压板。测试结果表明,该苯并噁嗪树脂体系5%的热失重温度为410.4℃,800℃残炭为63.60%,用DMA方法测得其玻璃化转变温度(Tg)为238.5℃,制得玻璃布层压板具有优良的热稳定性和耐热性。常态下,该层压板的弯曲强度纵向为835.3MPa;横向为552.3MPa。表面电阻率体积电阻率分别为8.7×1014Ω和1.5×1013Ω.m。同时该层压板的耐锡焊性能在288℃锡浴中起泡时间大于60s,阻燃性能达到UL94-VI级。     

压敏添加剂改性聚酰亚胺的阻温特性研究

本文研究了压敏无机添加剂改性聚酰亚胺试样在-150℃至180℃范围的阻温特性,发现微米级压敏添加剂的含量对复合材料阻温特性影响显著:改性材料在低温下具有显著的负温度效应;当添加剂含量小于5%时,在0℃以上的温度范围,复合材料的电阻率有所提高     

1,3-双(4-氨基苯氧基)苯及其聚酰亚胺的合成、表征和应用研究

合成了二胺单体1,3-双(4-氨基苯基)苯。采用该二胺和二苯酮四酸二酐聚合,合成了较高分子量的聚酰亚胺前驱体,通过热亚胺化和化学亚胺化得到了聚酰亚胺粉末和薄膜,通过TGA、DSC、拉伸等测试,对聚酰亚胺的有关性能进行了表征;对该聚酰亚胺在二层柔性覆铜板上的应用进行了初步研究。     

铝基覆铜板的热阻与导热系数测量方法研究

由于热流法与激光法在测量高导热铝基覆铜板的导热系数与热阻时均存在一定的局限性,通过分析铝基板两层介质的热传导模型,提出了利用激光法的测量数据代入热传导模型中,求得铝基覆铜板实际热阻与铝基覆铜板绝缘层导热系数的新方法。该方法操作简单,且测试结果较准确。     

不同封装形式压接型IGBT器件的电-热应力研究

基于多物理场建模对比分析全压接和银烧结封装压接型IGBT器件的电-热应力。首先根据全压接和银烧结封装压接型IGBT的实际结构和材料属性,建立3.3 kV/50 A压接型IGBT器件的电-热-力多耦合场有限元模型;其次仿真分析额定工况下2种封装IGBT器件的电-热性能,并通过实验平台验证所建模型的合理性;然后研究了3.3 kV/1 500 A多芯片压接型IGBT模块的电-热应力,并探究了不同封装压接型IGBT器件电-热应力存在差异的原因;最后比较了2种封装压接型IGBT器件内部的电-热应力随夹具压力和导通电流变化的规律。结果表明银烧结封装降低了压接型IGBT器件的导通压降和结温,提升了器件散热能力;但银烧结封装也增大了IGBT芯片表面的机械应力,应力增大对IGBT器件疲劳失效的影响亟需实验验证。