低插损极窄带声表面波滤波器设计

利用集总参数等效电路模型计算了声表面波双模耦合谐振滤波器的频响．通过改变谐振器各个参量使滤波器指标满足要求．在ＳＴ石英基片上成功研制出中心频率２２８ＭＨｚ，△ｆ－３ｄＢ＝１５０ｋＨｚ，插损为３ｄＢ，阻带抑制小于－５０ｄＢ的铁路专用寻呼机用滤波器。理论计算与实验结果一致。     

低插损窄带TCSAW滤波器的设计与研制

为了减小窄带滤波器的插入损耗,在梯形拓扑的基础上引入并联电容,提出了一种并联电容型梯形拓扑。利用并联电容大幅度改变反谐振点频率的特点,以牺牲较小插入损耗的代价来缩小带宽。通过谐振器设计与进化算法寻优,成功研制出一款基于SiO₂/Cu/127°YX-LiNbO₃ 结构的低插损窄带温补型声表面波(TCSAW)滤波器。实验结果表明,滤波器的中心频率为1 514 MHz,相对带宽为0.46%,带内插入损耗仅1.45 dB,过渡带20 MHz带外抑制滚降到24 dB,远带带外抑制大于30 dB,WiFi频段抑制高达48 dB,频率温度系数TCF 为-20×10^-6/℃,器件尺寸为1.1 mm×0.9 mm。     

10.7MHz中等带宽晶体滤波器的研制

文中使用了一种较为简单但非常实用的设计方法,采用四节八晶体差接桥型电路,设计和研制出了一种小型化低损耗中等带宽的石英晶体滤波器。该产品的中心频率为10.7 MHz,通带带宽属中等,阻带抑制要求较高,插入损耗较小,矩形系数小,晶体滤波器外形尺寸偏小。解决的关键技术问题是:晶体滤波器电路的设计,滤波器晶体谐振器的设计,滤波器的插损IL≦3 dB、3 dB带宽Bw3dB≥±19 kHz、通带波动≦1 dB、阻带衰减≥60 dB(偏离中心频率50 kHz以外)等技术指标的实现。     

宽频带高插损电源滤波器的研制

军标认证测试对传导辐射有严格的要求,针对低辐射保密机柜传导超标的问题,设计了一种宽频带高差损滤波器.该滤波器能在9 kHz～1 GHz频段上提供超过80 dB的共模插入损耗,有效抑制了传导辐射.从设计原理、结构和材料选择上分别进行了阐述,并对实物进行了测试.测试结果表明该滤波器的研制符合设计需求.     

BNKLT无铅压电陶瓷梯形中频带通滤波器的研制

利用发明的[Bi0.5(Na1-x-yKxLiy)0.5]TiO3(BNKLT)系无铅压电陶瓷,采用全电极径向振动模式制作了插入损耗小于6 dB,阻带损耗大于30 dB,频率特性曲线平滑,并具有良好选择性的中频(IF=460 kHz)多节带通滤波器。与含铅压电陶瓷多节滤波器相比,BNKLT无铅压电陶瓷滤波器的特性有待进一步改进。     

10.7MHz带阻型石英晶体滤波器研制

采用如今晶体滤波器设计中最为常用的格型电路,成功设计和研制出了用于通讯机中进行狭窄频带抑制的一种中高频带阻型晶体滤波器新产品.主要技术指标是:插损IL≤3dB、3dB带阻宽度BW3dB≤±3KHz、带阻衰减(限波)≥50dB、体积小、加工难度大等.研制的结果较好的满足了设计要求.     

窄带低频率高温超导滤波器的设计

高温超导滤波器具有带内插入损耗小、带边陡峭、带外抑制性好等优势,可以有效提高通信系统的抗干扰性能,节约频率资源。谐振器是实现高温超导滤波器的重要单元。本文给出了一款新型谐振器,该谐振器结构紧凑、调节方便,并且使用这种谐振器设计了一款十二阶的窄带低频高温超导滤波器。     

基于负载的有源EMI滤波器插损分析

相同的有源EMI滤波器在不同的源阻抗和负载阻抗条件下,滤波特性有很大差异。文中以电流检测电流补偿型有源EMI滤波器为例,分析了在负载分别为纯阻性、感性和容性条件下的滤波特性,并给出了有源EMI滤波器的适应条件。     

窄带LC带通滤波器的设计与实现

为适应现代舰载电子战设备对低频滤波器的严格要求,通过对传统带通滤波器的结构进行适当的网络变换,得到了一种可靠的电路结构。该结构将原有集总参数带通网络的电路元件参数值转化成常见量值,同时最大程度地吸收了集总元件的寄生参数,使滤波器的性能更加稳定。测试结果表明：采用该结构的滤波器具有很窄的带宽、较高的阻带抑制度以及优良的电...     

S波段低插损FBAR陷波器的研制

该文介绍了一种单端口、端口阻抗50Ω的S波段薄膜体声波谐振器(FBAR)陷波器,其采用了梯形拓扑结构与外围匹配电路相结合的方式.对FBAR陷波器芯片的设计过程、工艺实现进行了说明.测试制备的FBAR陷波器,其陷波频段为2399～2412 MHz,陷波抑制达35 dBc;通带频率分别为1800～2300 MHz和2500...     

低频窄带陶瓷滤波器

利用低机电耦合系数的压电陶瓷，制作一种低频窄带陶瓷滤波器。这种梯形陶瓷滤波器中心频率为140kHz，具有低插损、高阻带、高选择的特点。为了改进其可靠性，还为这种滤波器设计了一种新颖的组装结构。     

EMI电源滤波器的插入损耗分析

在一般EMI滤波器的共模和差模等效电路的基础上,分析了源阻抗和负载阻抗对滤波器插入损耗的影响.提出了共模插入损耗和差模插入损耗的计算方法,推导了滤波器插入损耗与阻抗关系的表达式,并且对这一关系作了仿真分析,仿真结果验证了理论计算和分析的正确性.     

窄带,高矩形度声表面波滤波器的研制

声表面波滤波器因其在电子系统中的使用和使用环境的不同，具有不同的指标要求。文章介绍了一种窄带，高矩形度声表面波滤波器的设计过程，制作出了中心频率为１４０．９～１４５．１ＭＨｚ四路器件，其相对带宽０．３９％；矩形系数小于２．５，并成功应用于整机系统。     

一种VHF 高温超导窄带滤波器的研究

研制了一款VHF频段的六阶高温超导带通滤波器。给出了窄带高温超导滤波器的理想电路模型和S参数曲线,提取了该滤波器结构的耦合矩阵、外部品质因数,用主动空间映射法优化了版图性能。研制的高温超导滤波器中心频率45.5 MHz、相对带宽小于2%,由于采用介电常数为23.75 的铝酸镧作为介质基板,大大缩减电路尺寸至0.053λg2。实测结果表明,该滤波器频率响应整体左偏0.15 MHz,带宽900 kHz,通带内插入损耗小于1.9 dB,带外抑制高达70 dB,与版图仿真结果基本吻合。     

高频宽带低损耗声表面波滤波器

从分析产生压电漏表面波（ＰＬＳＡＷ）的材料和镜像阻抗连接耦合换能器型双通道低损耗结构入手,介绍了宽带低损耗声表面波滤波器的设计方法,在超高频段上,给出了一些我们的实验数据,得到了宽带低损耗、高阻带抑制的结果     

Si基热光可调谐窄带平顶滤波器

利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应,研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器.器件的平顶宽度为2nm,3dB带宽为4.4nm,自由谱宽约为8.5nm,在外加电场作用下,共振峰红移3.3nm.     

Si基热光可调谐窄带平顶滤波器

利用Si基键合技术、台阶型F-P腔结构以及Si良好的热光效应,研制了一种新型全Si基的热光调谐窄带平顶滤波器.器件的平顶宽度为2nm,3dB带宽为4.4nm,自由谱宽约为8.5nm,在外加电场作用下,共振峰红移3.3nm.