铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究

采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。     

工艺参数对Sol—Gel法制备的PLZT铁电薄膜结构和性能的影响

用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法在镀铂硅片上制备了具有良好铁电性能的ＰＬＺＴ薄膜，研究了影响薄膜显微结构与电学性能的工艺因素，适宜的前体溶液浓度和水解度，低的热处理变温速率对防止薄电裂有利，ＰｂＴｉＯ３过渡怪改善ＰＬＺＴ薄膜的形核过程，使之纯钙钛矿结晶相，ＰｂＴｉＯ３过渡层及薄膜内细小的晶粒和空间荷电使薄膜剩余极化强度下降，矫顽场强上上升。     

Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜

介绍了Sol-Gel法，并对近年来Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的有关研究进行了分析和总结，详细介绍了Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的各种原料及工艺流程。     

钛酸镧铅薄膜的介电、铁电性能研究

采用溶胶－凝胶法在Si衬底上制备了钛酸镧铅薄膜。通过对膜进行XRD、SEM、介电和铁电性能测试，研究了退火条件和掺镧量对薄膜性能的影响，结果发现在600℃下退火1h的PLT薄膜呈现钙钛矿结构；常温下，薄膜的矫顽场和剩余极化强度都随着掺镧量的增加而降低，其介电常数和介质损耗却随掺镧量的增加而增大。     

用Sol—Gel法制备PZT铁电陶瓷及薄膜

用Sol-Gel法制备了Pb(Zr0.5Ti0.5)O3(PZT)铁电陶瓷与薄膜，观察了它们的结晶情况并测定了它们的电学性能。利用Sol-Gel法，可降低PZT陶瓷粉料的预烧温度约200℃，所得陶瓷致密，晶粒均匀；具有较好的介电性能。PZT陶瓷显示弥散相变特征，PZT薄膜的晶化受基底影响很大，基底晶格越完整，与PZT薄膜的晶格失配率越小，PZT薄膜的晶化就越。采用PbTiO3过渡层促进PZT薄膜在镀铂硅片上晶化。PbTiO3过渡层与PZT薄膜的串联电路，其表观电学性能与相应的PZT体材料相近。     

Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜新进展

从底电极的选择、过渡层的引入、外延膜的生长、取代阳离子的改性四个方面介绍了Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜的研究进展,简述了PZT的Sol-Gel机理研究现状和引起PZT铁电薄膜极化疲劳的原因,分析了Sol-Gel法制备PZT铁电薄膜研究中存在的问题,并提出展望。     

Sol—Gel工艺Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜制备与晶相结构研究

采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜。研究了退火温度，退火时间，薄膜厚度等对薄膜晶相结构的影响，研究表明，退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响最为显著，而且随退火温度升高，Bi4TiO12薄膜更趋向于沿c-轴取向的生长；退火时间在30分钟内对薄膜晶相结构的影响比较明显；薄膜厚度及30分钟以上的退火处理对薄膜晶相结合的影响不大。     

钛酸铅陶瓷的快速制备及电性能研究

针对传统的Slo-gel法制备钛酸铅铁电陶瓷水解速率慢、烧结温度高、制备周期长等不足，首次采用在溶胶中直接加甲醇水溶液水解和新鲜凝胶直接烧结的方法，实现了钛酸铅纳米晶的快速合成。用TEM观察了钛酸铅纳米晶的形貌和尺寸，用XRD法测定了钛酸铅纳米晶的结构，并制得纯度高、致密性好的钛酸铅纳米陶瓷，对其介电、铁电和热释电性能进行了初步研究。研究表明，用改进的Sol-gel法制备的钛酸铅陶瓷仍保持其优良的介电性能和铁电性能。     

水热法制备PLZT多元铁电薄膜的研究

研究了在水热条件下制备ＰＬＺＴ（８／６５／３５）多元铁电薄膜的优化工艺条件。讨论了反应温度,反应历程,反应时间等不同工艺条件对ＰＬＺＴ多元铁电薄膜结构、结晶取向的影响。结果表明,采用两步法合成工艺能够在Ｔｉ基片上制备出纯钙钛矿相结构,粒径为１μｍ,薄膜厚度为５μｍ介电数为ε＝４５０的ＰＬＺＴ（８／６５／３５）多元铁电薄膜。     

水热法制备PLZT多元铁电薄膜的研究

研究了在水热条件下制备PLZT(8/65/35)多元铁电薄膜的优化工艺条件。讨论了反应温度,反应历程,反应时间等不同工艺条件对PLZT多元铁电薄膜结构、结晶取向的影响。结果表明,采用两步法合成工艺能够在Ti基片上制备出纯钙钛矿相结构,粒径为1 μm,薄膜厚度为5 μm,介电常数为ε=450的PLZT(8/65/35)多元铁电薄膜。     

PLZT铁电薄膜的物理特性研究

铁电薄膜是近几年人们关注的功能材料。本文对用溶胶－凝胶技术制备的ＰＬＺＴ铁电薄膜从热处理工艺、Ｘ射线结构分析、ＦＴ－ＩＲ红外光谱等各个方面作了较为系统的研究。讨论了ＰＬＺＴ铁电薄膜的热处理工艺条件,结构特性、光谱特性与材料的表观裂纹、晶态与非晶态之间的关系。对红外光谱的特征吸收峰作了指认,得到了一系列有意义的结果。     

溶胶-凝胶法制备PLZT反蛋白石材料

介绍了一种sol-gel方法合成PLZT反蛋白石结构。以单分散的聚苯乙烯亚微米球人造蛋白石为模板，通过调整的溶胶-凝胶方法制备PLZT溶胶，再将溶胶前驱体填充在模板中。填充后的模板缓慢升温到750℃煅烧．排除有机成分并使PLZT结晶。通过这种方法,可以借助微球直径为400nm的模板得到孔隙直径在280nm的PLZT反蛋白石结构材料。     

石英基片上(11O)取向PLZT薄膜及其光学性能研究

在低成本的石英玻璃衬底上制备高性能电光薄膜非常有吸引力.本文采用溅射方法,并结合Pb3O4气氛退火工艺,在ITO/石英玻璃衬底上制备锆钛酸铅镧(PLZT 8/65/35)薄膜.结果表明:在优化工艺条件下,薄膜为(110)方向择优生长,表面均方根粗糙度为3.1nm,可见光范围内透过率为81.3%,消光系数为0.003.这...     

电极对PZT铁电薄膜的微观结构和电性能的影响

采用溶胶—凝胶(sol—gel)工艺分别在Pt／Ti／SiO2／Si和LNO／Si电极上制备Pb(Zr0．53，Ti0．47)O3(PZT)铁电薄膜。研究了不同电极材料对PZT铁电薄膜的微结构及电性能的影响。(100)择优取向的PZT／LNO薄膜的介电性能和铁电性能较(111)／(100)取向的PZT／Pt薄膜略有下降，但在抗疲劳特性和漏电流特性方面都有了很大提高。PZT／LNO薄膜10m次极化反转后剩余极化几乎保持未变，直至10^12次反转后，剩余极化仅下降了17％。     

石英基片上(110)取向PLZT薄膜及其光学性能研究

在低成本的石英玻璃衬底上制备高性能电光薄膜非常有吸引力。本文采用溅射方法,并结合Pb3O4气氛退火工艺,在ITO/石英玻璃衬底上制备锆钛酸铅镧(PLZT 8/65/35)薄膜。结果表明:在优化工艺条件下,薄膜为(110)方向择优生长,表面均方根粗糙度为3.1nm,可见光范围内透过率为81.3%,消光系数为0.003。这种表面光滑和高光学性能的PLZT薄膜在集成光学和光电子器件具有重要的应用潜力。     

微波烧结对PLZT陶瓷电学性能的影响

采用部分共沉淀法制备锆钛酸铅镧(PLZT)粉体, 分别用普通马弗炉和微波马弗炉进行烧结成瓷, 对比分析不同烧结方法对PLZT陶瓷的晶体结构、微观形貌和电学性能的影响。结果表明: 微波烧结和常规烧结均成功制备出钙钛矿相PLZT陶瓷。采用微波烧结得到的PLZT陶瓷样品比常规烧结的晶粒细小, 尺寸更均匀, 孔洞较少; 在电学性能相近时, 微波烧结温度远低于常规烧结, 且保温时间远小于常规烧结。在1000℃进行微波烧结, 陶瓷的介电常数ε_r和压电常数d₃₃最大, ε_r为2512, d33为405 pC/N, 此时, 剩余极化强度为16.5 kV/cm, 矫顽场为8.2μC/cm²; 在1250℃常规烧结, 陶瓷的介电常数最大, 为2822, 压电常数最大, 为508 pC/N, 剩余极化强度为21.6 kV/cm, 矫顽场为9.6μC/cm²。     

BST铁电薄膜的制备及其性能的研究进展

Ba1-xSrxTiO3铁电薄膜具有优良的介电性、铁电性、热释电性,得到了广泛的研究,近年来取得了很多进展.简介了BST材料的结构,并综述了BST薄膜的制备方法及BST薄膜的性能测试和影响铁电性能的几个因素.     

Sol—Gel法硅基铁电薄膜研究

介绍了用溶胶－凝胶方法制备Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）铁电薄膜的工艺流程。以硝酸锆、醋酸铅和钛酸四丁酯为原料,在９００℃,３０ｍｉｎ退炎条件下制备了硅基ＰＺＴ铁电薄膜。实验分析结果显示,ＰＺＴ铁电薄膜的晶化很完善。研究了ＰＺＴ铁电薄膜与硅之间的界面及其对铁电薄膜品质的影响。并在此基础上实现了制备ＰＺＴ铁电薄膜的低温改进工艺。     

复合钙钛矿结构铁电陶瓷钛酸铅钙的介电弛豫特性

用常规工艺制备了（Pb0.5Ca0.5）TiO3陶瓷，并进行了1000℃长时间退火热处理．对其介电性能研究表明，退火前后试样在0．1～100kHz频率范围内均表现出典型的弥散相交和频率色散特性；经退火处理的试样弥散相交度增加，而频率色散度下降微结构研究表明（Pb0.5Ca0.5）TiO3陶瓷中存在着三种不同的有序结构-1／2｛111｝，1／2｛110｝和1／2｛100｝，退火试样表现出较高的有序度利用有序无序转变理论和超顺电模型对（Pb0.5Ca0.5）TiO3的介电弛豫行为作了探讨．