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相似文献
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1.
已经研制成功30GHz接收机用的几种单片集成电路.低噪声放大器芯片在14dB增益时噪声系数为7.dB,中频放大器在30dB控制范围内,增益为13dB.混频器和移相器变频损耗和插入损耗分别为10.5dB和1.6dB.  相似文献   

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本文探讨了四种类型的单片集成接收讥的结构、性能,生产工艺的发展状况,以及存在的问题和未来的发展趋势。  相似文献   

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C波段GaAs单片接收机前端俞土法,叶禹康,张闻辉,彭龙新,李拂晓(南京电子器件研究所,210016)1993年11月10日收到AC-BandGaAsMonolithicReceiverFrontEnd¥YuTufa;YeYukang;ZhangWe...  相似文献   

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GaAs单片电路封装   总被引:2,自引:0,他引:2  
付花亮 《微电子学》1996,26(1):52-57
简述了微波在封装中的传输特性,以及不同封装型式和材料的GaAsMMIC封装,介绍了多层共烧陶瓷在MMIC封装中的应用。最后,综述了国外GaAsMMIC的最新封装与互连技术。  相似文献   

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基于0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款K波段MMIC接收机,频率覆盖19~26 GHz。在单个芯片内集成了平衡式低噪声放大器、本振驱动放大器、镜像抑制次谐波混频器等电路。在19~26 GHz射频输入带宽内的转换增益为7 dB;噪声系数典型值为4 dB;输入回波损耗-12 dB;镜像抑制15 dB;本振-射频隔离度55 dB。为了降低了芯片成本,采用电磁场仿真软件对电路面积做优化设计,使得芯片面积仅为2 mm×4 mm。此接收机MMIC具有集成度高、可靠性高、体积小等特点,可广泛应用于各种微波通信系统和雷达系统。  相似文献   

7.
陈振源 《现代通信》1994,(12):13-16
单片集成电路电话机电路剖析陈振源目前的按键电话机一般有3片集成电路,分别实现拨号、振铃及通话的功能。美国摩托罗拉公司生产的MC3401]电话,机单片集成电路可提供双音频话机所必需的全部基本功能见图1。即芯片可实现双音频拨号.振铃和通话放大功能,大大减...  相似文献   

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单片集成长波长光接收机   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了利用InGaAs 长波长金属-半导体-金属(MSM)光探测器与InAlAs/InGaAs 高电子迁移率晶体管(HEMT)集成来实现长波长单片集成光接收机的材料和电路设计、关键工艺途径等,解决了工艺兼容性问题,实现了2.5Gb/s传输速率下功能正确的单片集成长波长光接收机样品.  相似文献   

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无线局域网是当前计算机通信的一个重要的发展方向,微波发射接收机是无线局域网的一个关键性部件,微波单片集成电路是近年来发展非常迅速的一种器件,将其应用于无线局域网,必将大大降低无线局域网的体积和成本,使其性能提高,本文介绍这两方面的内容。  相似文献   

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<正> MC3372是摩托罗拉公司推出的低功耗窄带FM接收器,它的工作频率高达100MHz。在窄带音频和数据连接应用中,它因采用低电压设计而具有低功耗、高灵敏度和良好的镜频抑制性能。 MC3372内部电路由混频器、具有对数响应信号强度指示器的IF(中频)限幅器、正交检波器、有源滤波器和噪音触发电路组成。其功能框图如图1所示。在典型的应用中,混频放大器把RF输入信号变频为455kHz的IF信号。通过外部带通滤波器,IF信号被馈入限幅放大器和检测电路中,并在这里恢复音频信号。  相似文献   

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CXA1191S是日本索尼公司生产的单片调频调幅收音机专用集成电路。它的内部由高放、变频、中放、功放等调频调幅收音机的基本电路所组成。该集成电路内部还有稳压电路,它的工作电压适应范围为2~8.5V,输出功率为500mw,最大输出功率可达1w。电路内部具有调谐指示的驱动电路和FM静噪功能。使用一块CXA1191S集成电路及部分外围元件,就可以组装成一台性能优良的收音机。并具有耗电省灵敏度高、失真度小、装置容易、调试简单等优点。电路工作原理整机电路如图1所示,图2为CXAll91S集成电路内部方框图。1.调频电路当CXA1191S的第16脚…  相似文献   

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介绍了一款采用TDA7088T的新型调频接收机,其主要优点是将混频器、中频放大器、立体声解调器以及静噪电路、选频电路和振荡电路集成在一起;同时还有自动频率控制和电子调谐等功能。重点介绍了这种接收机的设计思路和工作原理以及各相关部分的特性。  相似文献   

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MC33370系列IC产品是美国摩托罗拉(Motorola)公司新近推出的五端单片开关电源集成电路。该系列产品具有较完善的工作状态控制能力。本文阐述了它们的性能特点、内部结构和工作原理,并对其状态控制方式进行了较为详细的分析,最后给出了构成开关电源的典型实例。  相似文献   

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王文骐  杨新民 《微波学报》1996,12(4):296-303
本文从器件的几何、材料和工艺参数出发,获得了低功耗低噪声增强型GaAsMEFET模型的等效电路元件值。研究了器件的几何、材料和工艺参数及RF性能和直流功耗的关系,给出了EFET物理参数的最佳取值范围,可为超低功微订成电路中有源器件的设计提供依据。  相似文献   

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