手工EPROM编程器

对EPROM进行电子编程的编程器件是相当昂贵的。这里介绍一种廉价的编程器电路，可以对常用的EPROM如2716和2732等进行二进制数据手工编程，十分简便。     

Motorola单片机与I^2CEEPROM接口方法

Ｉ２Ｃ是一种常用的串行总线。文章以Ｉ２ＣＥＥＰＲＯＭ为例，介绍了Ｍｏｔｏｒｏｌａ单片机与Ｉ２Ｃ接口的时序、实现方法和具体程序．     

制作EPROM编程器的一点经验

本文介绍一种有助于提高EPROM编程速度的编程方法.     

一种新颖的EPROM编程法

文章介绍一种新颖的ＥＰＲＯＭ编程法──智能位写入编程法，它能自动识别ＥＰＲＯＭ芯片的类型，并自动施加编程电压Ｖｐｐ；不仅避免了以往编程法造成的编程失败现象；而且编程速度快、可靠性高；特别适合于单片机的开发和实验。／／关键词     

LCD或LCD TV的画质和色彩在线软调整方法

LCD或LCD TV中,影响画质和色彩最重要的两个参数就是Gamma Table和不同色温的R,G,BGain值。提出了一种软调整方法,该方法采用在线量测LCD或LCD TV一些特定的画面的光学值,并通过色彩空间转换和插值法获得当前LCD或LCDTV最佳Gamma Table和不同色温的R,G,BGain值,然后再通过DDCCI传输这些参数到LCD或LCDTV。从而保证每台LCD或LCD TV都达到最佳的显示效果,克服了目前每台LCD或LCD TV都采用固定值而不能达到最佳显示效果的问题。     

AT24C256在单片机系统中的应用

详细介绍了AT24C56芯片的特性、引脚排列、功能和读写时序，在单片机数据采集系统中利用此芯片保存时钟芯片产生的时钟信号和现场采集到的数据，给出了在单片机系统中应用原理图和部分程序。     

LED灯饰花样显示器

这种灯饰花样显示器由于采用EPROM可擦除编程只读存储器来存放灯饰花样数据，因此灯饰花样繁多，而且可按自己的意愿加以改变，其优点不言自明。另外，由于采用双色LED作为显示元件，因此灯饰颜色可由绿、红、黄三色搭配组成。     

Synopsys推出用于180nm CMOS工艺技术的可重编程非易失性存储器IP

新思科技有限公司日前宣布:推出面向多种180纳米工艺技术的Design Ware AEON非易失性存储器(NVM)知识产权(IP)。这些产品包括数次可编程(FTP)IP、射频识别(RFID)IP多次可编程(MTP)IP和可擦可编程只读存储器(EEPROM)多次可编程(MTP)IP等多种IP解决方案。Synopsys提供的DesignWare AEON NVM IP可面向多种领先     

只读存储器EPROM和可编程器件GAL在频率合成器中的应用

本文提出了在输出20MHz～30MHz步进100Hz频率综合器控制电路部分用只读存储器EPROM及可编成器件GAL实现控制电路的方法。并给出了设计电路时计算EPROM写入内容和GAL的编程方法。     

串行EEPROM及其在MCS—96系列单片机中的应用

介绍美国National Semiconductor公司串和EEPROM93C46／56／66的性能特点，引脚功能及指令，并给出93AC56与INTEL公司的80C196的接口及读写程序。     

大容量串行E2PROM AT24C512及其应用

AT24C512是具有I2C总线的E2PROM,该电路具有存储容量大、体积小、功耗低、硬件接口简单的特点.文中给出该电路的性能特点、引脚功能及读写时序,并给出与AT89C2051单片机接口的硬件电路及相应的读写程序.     

EEPROM失效机理初探

在分析了双层多晶硅FLOTOXEEPROM各种失效模式后，从理论上提出了提高EEPROM可靠性的各种措施。提高隧道氧化层和多晶硅之间氧化层的质量，减小擦／写电压和擦／写时间，减小隧道氧化层的面积，都是提高EEPROM可靠性的有效措施。     

应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM

基于350 nm 2-poly 3-metal EEPROM工艺，设计了一种应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM存储器。在保证存储容量能满足大多数使用场景的情况下，通过优化Dickson电荷泵和读出电路的结构，实现电路版图面积的最小化，从而对整体电路实现低成本设计。优化后的Dickson电荷泵能实现10μs内从3.3 V到16 V的稳定升压，且功耗为334μW;读出电路基于检测NCG器件阈值电压的方式实现存储逻辑值的判别，该方法不需要能提供高精度电流的基准电路和具有高增益的灵敏放大器，有效降低了整体电路的面积。低成本2 kbit EEPROM的工作电压为3.3 V,能实现32位并行输入和1位串行输出，芯片总面积仅为0.14 mm²,有效降低了低频无源RFID设计复杂度和制造成本。     

一种简化的E~2PROM存储管I—V模型

提出一种ＦＬＯＴＯＸＥ２ＰＲＯＭ存储管的电流—电压模型,模型的模拟结果和实验结果相吻合,该模型为精确设计和利用Ｅ２ＰＲＯＭ单元提供了理论基础。     

EEPROM单元的电荷保持特性

利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.     

RFID中EEPROM时序及控制电路设计

RFID系统对电子标签中的存储器有着不同于传统存储器的要求。根据这一特点进一步简化了EEPROM的时序控制,提出了一种适用于RFID系统中EEPROM电路的时序,并在此基础上设计了用于电子标签完成读卡器要执行的命令和对处理数据存储的控制电路,使操作变得更加便捷。该电路设计基于0.35μmCMOS工艺,电源电压为3.3V,仿真结果显示,3.3V电源供电时,擦写编程电流为45μA,读数据工作电流为3μA,读数据周期为300ns,具有低功耗、高速度的特性。     

华润上华 中国主流晶圆专功业之先锋——访华润上华科技有限公司市场及行销副总经理邓茂松先生

无锡华润上华半导体有限公司位于江苏省无锡市，于一九九七年在中国开创开放式晶圆代工模式之先河，是中国首家晶圆专工厂。以营运能力计，华润上华晶圆一厂是中国大型开放式晶圆专工厂之一。华润上华专注于发展中国半导体市场，主要为GMOS逻辑、数模混合信号、高压、非挥发性内存（NVM）及电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）集成电路提供制造服务。同时，华润上华协助其客户安排提供上游lC设计服务、下游测试及封装服务。为让读者更加了解华润上华，本刊记者采访了华润上华市场及行销副总经理邓茂松先生。 邓茂松：台湾国立大学工商管理硕士，台湾国立交通大学工学士，曾任台湾欣铨科技股份有限公司副总裁、美国加州Vangurd International Semiconductor-America公司处长，具有十八年半导体行业经验。