DS1820芯片在电化学传感器温度补偿中的应用

利用单总线数字温度传感器DS1820芯片以及微处理器,可以用软件方法实现对传感器由于环境温度变化带来的测量误差的补偿.文中以电化学传感器为例,提出了具体的补偿方案.     

DS18B20的液体温度测量系统设计

针对液体运输过程中对温度的特殊要求,设计出了一套专门针对运输中液体温度监测的智能测温系统.该系统具有很好的防腐蚀、防潮、防油的特性,很好地应用了温度传感器DS18B20的单总线特性,实现了实时测温并显示温度等多项功能,具有结构简单、测温精度高、应用面广等特点.     

基于DS18B20测温的ARM的温度采集系统研究

主要介绍了以ARM为核心的温度采集系统,采用数字温度计芯片DS18B20构成测温单元,设计了DSl8B20与ARM连线图,并介绍了如何实现温度采集以及与PC机间的数据通讯。PC可把接收到的ARM采集到的温度数据进行整理并显示,具有一定的实用价值。     

单总线温度传感器DS18B20的原理与操作

1概述 DS18B20是DALLAS公司生产的单总线数字温度传感器,具有3引脚TO-92和SO-8封装形式：温度测量范围为一55℃-＋125℃,在-10℃-85℃测量范围内,测量精度为±0．5℃：可根据实际要求通过简单的编程实现9～12位的数字值读数方式,可以分别在93．75ms和750ms内将温度值转化9位和12位的数字量。被测温度用符号扩展的16位数字量方式串行输出：其工作电源既可在远端引入,也可采用寄生电源方式产生：多个DS18B20可以并联到3或2根线上,CPU只需一根端口线就能与诸多DS18B20通信,占用微处理器的端口较少,     

用DS18B20和单片机构成的最小测温系统

传统的测温系统一般都是由温度传感器、A/D转换、单片机处理、显示驱动芯片和LED显示组成,而本测温系统则是用一线测温器件DS18B20与89C2051单片机共同组成了最小的测温系统。一、DS18B20简介DS18B20是美国DALLAS公司生产的一线数字温度传感器,它的测温范围从-55℃到+125℃,分辨力为0.0625℃,在-10℃到+85℃范围内其测温准确度为±0.5℃。它体积小、功耗低、抗干扰能力强、易与微处理器连结,它无需任何外围硬件即可方便地进行温度测量,与单片机交换信息仅需要一根I/O口线,其读写及温度转换的功率也可来源于数据总线,而无需额外电…     

多路DS18B20温度监测系统设计

多点位环境温度监测可广泛应用于当今工农业生产生活中。该文以AT89C51单片机作为核心处理器,采用8个DS18B20温度传感器采集温度数据,并在LCD液晶显示器上对8个测量点的温度值进行显示,还可通过串行通信将数据上传至PC端,高效地实现了多点温度的检测与处理。同时,可使用按键设置温度区间,若有任意温度值不在此区间内,系统将进行声光报警。该设计成本较低,功能完备,实用性高,应用范围广泛。     

一种基于DS18B20的温度检测系统的设计

本文主要对基于数字温度传感器DS18820和AT89C51单片机等设计了温度检测系统。系统测温点数据由DS18820获得,AT89C51单片机负责数据采集、处理功能的实现。     

动力电池组管理系统单总线测温技术研究

介绍了DSP控制器TM32 0LF2 4 0 7的数据输入 输出模块 (I O)以及数字式温度传感器DS18B2 0的性能特点与结构 ,并结合实际应用设计出了在动力电池组管理系统中利用DSP的I O口和DS18B2 0实现单总线测温的实际电路图以及具体程序流程图。     

基于智能化温度传感器DS1820的多点温度检测系统

DS1820是新一代单总线智能化数字温度传感器件,常用于多点温度检测系统的控制。文中介绍了该器件的性能特点、结构、操作指令和在多点温度检测系统中的应用。     

基于单片机控制的智能温控风扇

本装置可对环境温度进行实时监测与控制。由温度传感器DS18B20对温度进行采样和转换成数字信号送入单片机,并与设定的动作温度进行比较,实时温度通过数码显示出来,如果实时温度超过设定的温度上限,则自动起动风扇电机运转,并且风扇的转速会随温度升高而加速。如果实时温度超过设定的最高温度,电动机则全速运转。     

基于DS18B20温度传感器的半导体制冷装置研制

针对大空间半导体制冷装置设计问题,研制半导体制冷系统和温度监测系统。系统采用分布式DS18B20温度传感器,实现制冷装置温度的智能控制与调节,得到在不同电流下制冷片两端的温差及箱体内平均温度随制冷片工作时间的变化情况。试验结果表明:温度监测系统实时性好,控制精度高,为分析半导体制冷片制冷性能提供数据依据,为研制装甲车辆驾驶舱半导体制冷装置奠定理论与试验基础。     

粮库多点温度监测系统设计和实现

本文介绍了由DS18820智能温度传感器构成的一种分布式粮库多点温度监测系统的设计和实现。测控板由ATB9S51单片机组成，通过RS232接口与PC机通信。     

基于钹式换能器的振动加速度传感器温度特性研究

使用2-（0）-2连通型的金属．陶瓷压电复合材料作为敏感元件构成压电振动加速度传感器。研究了这种新型压电振动加速度传感器的输出电压的温度特性．将DS18820集成到传感器内部用于内部环境温度的测量。利用单片机对传感器零位输出电压进行记录，得到传感器零位电压温度特性曲线。采用了基于最小二乘原理的分段线性插值法，对其温度特性的非线性进行了有效地补偿。试验结果表明，经过温度补偿后，在20～80℃范围内，零点输出电压温度误差由原来的9．8％降到了0．8％。     

数字式温湿度数据采集器的研制

利用DS2450和DS18b20具有单总线接口的特点,用模拟量输出的传感器,实现了多点多参数数字式温湿度数据采集器硬件和软件设计,该系统电路简单,具有广泛的应用价值.     

TPH型真空炉测试方法改进

TPH型真空炉温度均匀性测试系统的温度补偿系统在长时间使用后存在温度补偿性能下降的问题,从而无法实现精确补偿,影响炉温均匀性测试结果。同时,加热设备控温热电偶测量端位置对设备性能有重要影响。本文从以上两个方面对TPH型真空炉测试方法的改进进行了论述。     

磁传感器在导航系统中的应用

介绍了一种基于磁传感器和加速度计,结构简单、低成本、高精度的方位传感器。该传感器利用当地的地磁场矢量和重力加速度矢量确定传感器在空间的姿态信息。分析了使传感器产生误差的各种因素,如温度影响、附近铁磁物体和噪声影响等,并给出了消除这些干扰因素影响的技术。实验研究表明,此传感器能够为移动机器人导航提供可靠的高精度姿态信息。     

TMR at 4.2 K for Amorphous Magnetic-Tunnel-Junctions with Co60Fe20B20 as Free and Pinned Layers

Single barrier magnetic-tunnel-junctions (MTJs) with the layer structure of Ta(5)/Cu(30)/Ta(5)/Ni79Fe21(5)/Ir22Mn78(12)/Co60Fe20B20(4)/Al(0.8)-oxide/Co60Fe20B20(4)/Cu(30)/Ta(5) [thickness unit: nm] using the amorphous Co60Fe20B20 alloy as free and pinned layers were micro-fabricated. The experimental investigations showed that the tunnel magnetoresistance (TMR) ratio and the resistance decrease with increasing dc bias voltage from 0 to 500~mV or with increasing temperature from 4.2 K to RT. A high TMR ratio of 86.2% at 4.2 K, which corresponds to the high spin polarization of Co60Fe20B20 55%, was observed in the MTJs after annealing at 270℃ for 1 h. High TMR ratio of 53.1%, low junction resistance-area product RS of 3.56 kΩμm2, small coercivity Hc of ≤4 Oe, and relatively large bias-voltage-at-half-maximum TMR with the value V1/2 of greater than 570 mV at RT have been achieved in such Co-Fe-B MTJs.     

86% TMR at 4.2 K for Amorphous Magnetic-Tunnel-Junctions with Co60Fe20B20 as Free and Pinned Layers

Single barrier magnetic-tunnel-junctions (MTJs) with the layer structure of Ta(5)/Cu(30)/Ta(5)/Ni79Fe21(5)/Ir22 Mn78(12)/Co60Fe20B20(4)/Al(0.8)-oxide/Co60Fe20B20(4)/Cu(30)/Ta(5) [thickness unit: nm] using the amorphous Co60Fe20B20 alloy as free and pinned layers were micro-fabricated. The experimental investigations showed that the tunnel magnetoresistance (TMR) ratio and the resistance decrease with increasing dc bias voltage from 0 to 500 mV or with increasing temperature from 4.2 K to RT. A high TMR ratio of 86.2% at 4.2 K, which corresponds to the high spin polarization of Co60Fe20B20, 55%, was observed in the MTJs after annealing at 270℃for 1 h. High TMR ratio of 53.1%, low junction resistance-area product RS of 3.56 kΩμm2, small coercivity HC of ≤4 Oe, and relatively large bias-voltage-at-half-maximum TMR with the value V1/2 of greater than 570 mV at RT have been achieved in such Co-Fe-B MTJs.