离子敏场效应晶体管与酶场效应晶体管

<正> 目前,国内研制的离子敏场效应晶体管都是分立的、单一功能的。例如,一只微型电极(由一个场效应管的芯片构成)只能测一种离子,如果同一芯片上制作2～4个离子敏场效应晶体管,再涂上不同的离子敏感膜,则可同时测2～4种离子,在医院临床检查上,需要同时检测血液中H~+,K~+,Cl~-,Ca~(++)等四种离     

离子敏场效应晶体管

近年来对基于ＭＯＳ技术制造的离子散场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）的特性研究做了大量的工作。综述了ＩＳＦＥＴ器件（尤其是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）在敏感机理、集成化、封装和应用等方面的研究状况与新进展。     

氨敏场效应晶体管微型化的研究

本文对探头及测试器件的微型化,研究了一些有效办法并用了氨敏场效应晶体管,取得成功     

Si_3N_4栅氢离子敏感场效应晶体管性能研究

<正> 我们采用疏水性和化学稳定性好且易于制作的Si_3N_4作H~+—ISFET敏感材料,对Si_3N_4栅H~+—ISFET的电化学性能进行了较为仔细的测试工作,针对目前离子敏感器件普遍存在的温漂、时漂、重复性差等问题作了一定的试验工作。 Si_3N_4栅H~+—ISFET的管芯制作采用半导     

离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真

根据电化学表面基模型理论,提出了一种简单有效的能够描述离子敏场效应晶体管(ISFET)静态特性的仿真模型,借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据基本相符.     

氟离子场效应晶体管的研究

本文研究了用氟化镧单晶为敏感膜的氟离子场效应晶体管,简称为F_--ISET。经实验测定,其线性响应范围为10_0～10_(-4)mol,氟化钠,在25℃时响应斜率为56±1mV/pF,对氯离子具有很好抗干扰能力,国内尚未见报道。本文提出LaF_3单晶与待测溶液交界面是一种非极性界面模型及等效电路,理论分析与实验结果相符。     

离子注入场效应晶体管分析程序

登记号 880085 开发单位南京电子器件研究所功能简介本程序可用来计算非均匀有源层掺杂的GaAs MESFET的直流参数,等效电路参数和微波参数。分析有源层载流子分布,迁移率分布对器件性能的影响,优化离子注入器件的性能。另外,利用该程序还可以数据     

基于数值模拟的扇形分裂漏磁敏场效应晶体管相对灵敏度研究

使用二维数值模拟求得了扇形分裂漏磁敏场效应晶体管(MAGFET)的相对灵敏度.通过有限元分析求解约束载流子输运的偏微分方程,描绘出沟道反型层中的静电势分布.磁场中扇形MAGFET的电流偏转量大于相应矩形MAGFET的电流偏转量,因此扇形MAGFET与已报导的矩形MAGFET相比具有灵敏度高的优势.模拟结果表明极长沟道器件的灵敏度几乎不变.所研制的N型沟道分裂漏MAGFET采用0.6 μm标准CMOS工艺制造,实测扇形MAGFET的最高灵敏度为3.77%/T.该数值模拟方法及其计算结果已用于CMOS磁敏传感器芯片的设计.     

DNA场效应晶体管的研制

研究了基于场效应晶体管的DNA传感器。分析了DNA场效应晶体管的工作原理、测试电路、芯片加工和生物膜固定化方法,并用此种传感器对寡聚合苷酸序列进行了测试,得到了可行性的实验结果。同时讨论了测试中面临的问题和解决的方法,以及有待进一步研究的问题。     

化学量传感器 第四讲 离子敏场效应器件及其应用 十三离子敏场效应晶体管的应用(一)

<正> 随着ISFET性能的改进和种类的增多,有关其应用研究愈来愈深入。到目前为止,实验室内的应用研究已取得了可喜的进展;这予示着在不久的将来,在生物医学、临床诊断和分析化学等领域,此类器件必将得到广泛的应用。 目前国外主要研究将ISFET用于分析人和动物的体液。1983年在日本市场上出现了pH-ISFET和CO_2-FET的商品,美国和欧洲的工业界也开始致力于ISFET的研究和发展。ISFET在临床上应用的难度较大,其主要原因是:目前ISFET的性能尚不够完善,有时还不能全面满足临床测量     

增强型硅肖特基势垒场效应晶体管

随着半导体设备更加大形化,因而对器件低功率化、高可靠性的要求就日益强烈。双极集成电路速度快,但消耗功率大,组装密度不高。MOS集成电路功率低,面积与硅片价格乘积小,所以适合于大规模集成。但要实现大容量集成电路存贮器,必须要消耗功率更低和速度更快。     

场效应晶体管通用二维分析程序

登记号 880088 开发单位电子部55所功能简介本程序可用于分析砷化镓单栅、双栅肖特基势垒场效应晶体管,也用于分析埋栅型硅结型场效应晶体管。用户只要将器件的结构参数、材料参数,外加偏置条件输入计算     

衬底型离子敏感场效应晶体管

衬底型离子敏感场效应晶体管是一种化学敏感器件,它不同于普通的离子敏感场效应晶体管。这种器件的敏感膜是沉积在衬底的背面。敏感膜的活性区与测试溶液接触,引起漏源电流变化。本文从理论上推导出了衬底型器件漏源电流的计算式。     

氯离子敏场效应器件的研制

本文介绍以AgCl难溶盐镀层作为电极第一层,以双酚A型环氧树脂、氯化十八烷基二甲基苯甲胺和聚酰胺的混合物作为电极第二层而制出的一种新型涂丝氯离子敏场效应器件(C1-ISFET)。该器件在Cl~-浓度5×10~(-5)～1×10~(-1)M范围内具有较好的Nernstian响应。本文也讨论了器件的选择性、pH范围及稳定性。     

场效应气敏传感器的研究进展

叙述了场效应气敏器件的基本理论和重要研究方向－高温场效应气敏器件和阵列式智能气体传感器。     

结型场效应晶体管低电平转换开关

本文主要讨论了利用结型场效应晶体管作低电平电压转换开关的优越性和尚待解决的一些问题,并对用这种元件制成的256点低电平电压转换装置的速度、精度和共模抑制能力进行了分析。     

双栅场效应晶体管及其应用

本文介绍双栅ＭＯＳ场效应晶体管的工作原理与特性，并给出了它在调制和解调等电路中的一些典型应用举例。     

对有机磷化合物敏感的场效应晶体管

<正> 从1985年起,我们采用酞菁类化合物作敏感材料,研制了对有机磷化合物敏感的化学敏感场效应晶体管(CHEMFET),获得了较好的效果。 对有机磷化合物敏感的CHEMFET有一个敏感栅,使用的是有机半导体材料。这种敏感材料类似无机半导体的掺杂过程,通过聚合物     

离子选择性场效应晶体管的新发展

离子选择性场效应晶体管作为一种新型的化学传感器,面对目前向信息社会转变的历史潮流及信息技术对信息采集、传输及处理的需要,在国内外日益得到愈来愈多的重视及发展。众所周知,在我们研究ISFET的过程中,以及ISFET的应用领域已不再局限于仅仅能对离子有响应,而对分子、大分子、甚至对生物物质有响应,而被称作Chem FET及BioFET。本文将综述近年来国内外在以场效应晶体管为基础的化学传感器的发展。     

一种新型的PVC涂丝氢离子场效应敏感器件

P.Bergvld在1970年发现将Mos场效应管的绝缘层栅siO_2或Si_3N_4与溶液相接触,能对H~+产生Nernst响应。随后到1975年S.D.Moos利用PVC膜离子选择敏感材料涂层于上述场效应管绝缘层栅上,制备成功了各种类型的离子选择性场效应管敏感器件(总称ISFET)。近年来国外许多学者研制PVC膜pH电极获得较宽线性范围和较好的选择性。