非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器的优化设计

介绍了基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器的基本特征及性能指标,对晶体管宽长比对探测器性能的影响进行了理论分析,分析表明,提高晶体管的宽长比可以改善探测器的探测率。为了克服传统微桥结构室温红外探测器成品率低的不足,提出了一种新的热绝缘材料,并将该材料应用到了非制冷红外探测器中,实际制备了探测器单元,对该材料的热绝缘能力进行了验证。     

非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器的优化设计

介绍了基于非晶硅薄膜晶体管的室温红外探测器的基本特征及性能指标，对晶体管宽长比对探测器性能的影响进行了理论分析，分析表明，提高晶体管的宽长比可以改善探测器的探测率。为了克服传统微桥结构室温红外探测器成品率低的不足，提出了一种新的热绝缘材料，并将该材料应用到了非制冷红外探测器中，实际制备了探测器单元，对该材料的热绝缘能力进行了验证。     

用于室温红外探测的新型非晶硅薄膜晶体管

研究了用于室温红外探测的非晶硅薄膜晶体管。分别从理论和实验角度对非晶硅薄膜晶体管的沟道电流随着宽长比的线性变化进行了分析验证。理论分析和实验结果表明,增大晶体管的宽长比不会影响沟道电流温度系数,但可以显著改善探测器的探测率,从而为a2SiTFT红外探测器的优化设计指明了方向。     

新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器

对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究,提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiN2栅介质薄膜晶体管相类似,但在器件性能方面不仅具有较高的响应度,而且具有更好的温度稳定性;在制作工艺方面具有更高的工艺重复性和栅介质淀积的均匀性。     

新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器

对用作室温红外探测敏感单元的非晶硅薄膜晶体管进行了研究，提出了一种新型SiO2栅介质非晶硅薄膜晶体管室温红外探测器。该探测器的基本工作机理与传统的SiNx栅介质薄膜晶体管相类似，但在器件性能方面不仅具有较高的响应度，而且具有更好的温度稳定性；在制作工艺方面具有更高的工艺重复性和栅介质淀积的均匀性。     

用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管

非晶硅薄膜晶体管由于其较高的沟道电流温度系数而被用于非致冷型红外探测器.在工艺参数仿真的基础上成功地研制了离子注入型背栅非晶薄膜晶体管,并得到了典型的输出特性.制作出的晶体管具有较高的沟道电流温度变化系数,而且制作过程简单,并能与常规IC工艺兼容,制作温度不超过300 ℃.     

新型非致冷红外探测器

介绍了近年来出现的各种新型非致冷红外探测器,对不同探测器的基本工作原理、器件结构、制作工艺以及性能的优缺点进行了讨论和对比,并对非致冷红外探测器的改进方向进行了预测.     

非制冷红外焦平面探测器热敏薄膜技术研究进展

近年来红外探测技术在军事和民用领域得到了迅速的发展,非制冷红外探测器以其低成本、小型化、非制冷等优势在红外探测系统发展中占据着重要的地位。本文总结了国内外非制冷红外探测器的发展现状,分析了两种主要的非制冷红外探测器技术路线的特点及差异,并给出了这两种技术路线后续发展趋势。     

非晶硅薄膜晶体管的热阻模型

基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型。采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度。在沟道热阻模型的基础上,考虑器件间场氧化层和金属互联线的影响,建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型。采用该模型可描述器件有源层内温度的横向分布,并快速预估沟道内的最高结温。最后,将模型预测结果与器件模拟仿真结果进行了对比,两者拟合良好。     

红外探测器领域初探

红外探测器是能对外界红外光辐射产生响应的光电传感器,是目前传感器领域发展的重点之一。本文介绍了红外探测器技术,梳理了红外探测器的起源与技术发展趋势,尤其关注非制冷红外探测器的技术发展。     

非晶硅薄膜晶体管的泄漏电流模型

当对a-Si:H TFT施加较大的漏-栅电压时,其泄漏电流主要取决于空穴在漏端耗尽区内的产生过程以及被有源层内中立陷阱捕获的过程.基于价带空穴和被陷阱所捕获空穴的一维连续性方程,推导出空穴在有源层内纵向传导的逃逸率.通过描述漏端耗尽区内空穴的产生率以及在a-Sic H层内空穴传导的逃逸率,建立了a-Si:H TFT的泄漏电流模型,并进行了相应验证.     

室温红外探测器研究与进展

简要概述了室温红外探测器技术的最新研究现状,首先根据工作机理的不同对红外探测器进行了分类,详细阐述了室温红外探测器的优点所在;接着在给出了室温红外探测器典型结构的基础上,对这些典型结构进行了比较和讨论;给出了最近出现的几种新型探测器,介绍了其工作原理、制作工艺和主要性能指标;最后对室温红外探测器的发展方向进行了预测。     

非制冷红外探测器用VOx薄膜的制备

介绍了一种采用反应溅射工艺,通过控制不同气氛的分布制备VOx薄膜的方法,并制备出电阻温度系数（TCR）优于－2％的非制冷红外探测器用VOx薄膜。其XPS、XRD分析结果表明,薄膜的生长情况与制备工艺条件有密切关系。     

非晶硅薄膜晶体管基于表面势的栅电容模型

基于Lambert W函数,推导出非晶硅薄膜晶体管表面势的解析解,并将其与泊松方程的数值解进行对比.结果显示:该求解大大提高了计算效率,且精确度极高.基于有效温度近似,并利用所求解到的表面势,建立器件的栅电容模型.该模型可连续、准确地描述a-Si:H TFT在所有工作区的动态特性.最后,将模型结果与实验数据进行了对比,两者拟合良好.     

MEMS技术在非制冷红外探测器中的应用

随着微探测器的广泛应用,MEMS技术因其微小、智能、可执行、可集成、工艺兼容性好、成本低等特点,被越来越多地应用于微探测器的制造工艺中,为该领域的研究提供了新途径.本文简要介绍了MEMS技术的工艺及其主要特点,并对MEMS技术在非制冷红外探测器研制方面的应用作了比较详细的阐述.     

基于标准CMOS工艺用于非制冷红外探测器的低成本红外吸收结构

This paper introduces a low-cost infrared absorbing structure for an uncooled infrared detector in a standard 0.5 m CMOS technology and post-CMOS process. The infrared absorbing structure can be created by etching the surface sacrificial layer after the CMOS fabrication, without any additional lithography and deposition procedures. An uncooled infrared microbolometer is fabricated with the proposed infrared absorbing structure.The microbolometer has a size of 6565 m2and a fill factor of 37.8%. The thermal conductance of the microbolometer is calculated as 1.3310 5W/K from the measured response to different heating currents. The fabricated microbolometer is irradiated by an infrared laser, which is modulated by a mechanical chopper in a frequency range of 10–800 Hz. Measurements show that the thermal time constant is 0.995 ms and the thermal mass is 1.3210 8J/K. The responsivity of the microbolometer is about 3.03104V/W at 10 Hz and the calculated detectivity is 1.4108cm Hz1=2/W.