基于BiCMOS技术的高速数字/模拟转换器

基于BiCMOS技术,进行了高速数字/模拟转换器研究.以并行输入类型,电流工作模式的16位D/A转换器为载体,进行了电路设计、工艺制作和测试.在±5.0V工作电压下,测试得到转换速率≥30MSPS,建立时间为50ns,增益误差为±8%FSR,积分非线性误差为1/2 LSB,功耗为500mW.     

CMOS图像传感器中RSD A/D转换器的设计与实现

提出了CMOS图像传感器中RSD A/D转换器的设计方法.基于冗余符号数(RSD)算法,RSD A/D转换器降低了对比较器的性能要求.并且全差分的模拟信号处理用以改进抗噪声度,信噪比和系统的动态范围.RSD A/D转换器是基于90 nm CMOS工艺实现的,测试结果表明它的微分非线性误差(DNL)为±1 LSB,积分非线性误差(INL)为±1.5 LSB,总的未调整误差(TUE)为-3 LSB～1 LSB,功耗约为20 mW.     

基于BiCMOS技术的高速数字/模拟转换器

基于BiCMOS技术，进行了高速数字/模拟转换器研究. 以并行输入类型，电流工作模式的16位D/A转换器为载体，进行了电路设计、工艺制作和测试. 在±5.0V工作电压下，测试得到转换速率≥30MSPS，建立时间为50ns，增益误差为±8% FSR，积分非线性误差为1/2 LSB，功耗为500mW.     

高精度电流舵型D/A转换器线性度测试技术

线性度是D/A转换器静态误差的重要指标,包括积分非线性误差和微分非线性误差两个参数.高速高精度D/A转换器线性度的测量需要考虑较多因素,包括仪表精度、D/A转换器输出端接方式,甚至负载热效应等.提出了一种结合D/A转换器内部设计结构,并使外部负载的影响降至较低水平的最优线性度测试方法.该方法减少了发码数量,提高了测试效率,并且降低了负载温漂导致的热失衡所引入的误差.     

一种8位250 MHz采样保持电路的设计

介绍了一种采用0.35μm BiCMOS工艺的双路双差分采样保持电路。该电路分辨率为8位,采样率达到250 MSPS。该电路新颖的特点为利用交替工作方式,降低了电路对速度的要求。经过电路模拟仿真,在250 MSPS,输入信号为Vp-p=1 V,电源电压3.3 V时,信噪比(SNR)为55.8 dB,积分线性误差(INL)和微分线性误差(DNL)均小于8位A/D转换器的±0.2 LSB,电源电流为28 mA。样品测试结果:SNR为47.6 dB,INL、DNL小于8位A/D转换器的±0.8 LSB。     

16位逐次逼近A/D转换器熔丝误差修调技术

提出了一种提高16位逐次逼近(SAR)A/D转换器精度的熔丝误差修调技术。该技术用于提高A/D转换器内部核心模块—16位DAC的精度,从而达到提高整个A/D转换器精度的目的。电路采用标准CMOS工艺流片。测试结果显示,熔丝误差修调后,常温下,电路的INL为2.5 LSB,SNR为88.8 dB,零点误差EZ为1.1 LSB;修调后,A/D转换器有效位数ENOB从12.56位提高到14.46位。     

基于模拟余差的7位200MS/s分级折叠式A/D转换器

提出一种基于模拟余差的分级折叠式A/D转换器,对其原理和电路结构进行了分析,阐述了提高A/D转换器性能的关键问题.测试结果表明,设计的A/D转换器转换速率为200 MS/s;在输入信号为6.0 MHz时,信噪谐波比(SINAD)为45.1 dB,有效位数(ENOB)为7.2位.给出了A/D转换器电路的具体结构,以及测试波形和动态性能参数测试结果.     

基于平均功率谱的高精度A/D转换器动态参数测试

讨论了窗函数处理在基于FFT变换的高精度A/D转换器动态参数测试中的不足,提出了基于平均功率谱的高精度A/D转换器动态参数测试方法,并从理论上证明了该方法可以有效降低FFT变换测试方法中由于采用窗函数处理引入的噪声误差。最后,以ADI公司的16位A/D转换器AD9260为例,对其信噪比和总谐波失真等动态参数进行了测试实验验证。     

一种高分辨率自校准单积分型A/D转换器

提出一种具有自校准功能的单积分型高精度A/D转换器.分析了电路原理和电路结构,阐述了如何通过自校准功能提高积分型A/D转换器的性能;给出了A/D转换器结构和测试波形.测试结果表明,设计的A/D转换器采样率为3.3 kSPS,分辨率为14位,相对精度可达0.01%.     

采用双R-2R电阻网络结构的12位电压型D/A转换器

介绍了采用双R-2R电阻网络结构实现12位电压输出型D/A转换器的设计及激光修调方案.重点分析了运放失调电压对双R-2R电阻网络结构D/A转换器线性误差的影响,并与其他常见的实现双极性电压输出的R-2R电阻网络结构进行比较,给出了理论估计和仿真结果.采用双R-2R电阻网络实现的12位D/A转换器芯片(不包括运放)在带CrSi电阻的8μm CMOS工艺上流片和修调测试.电阻网络芯片和运放芯片采用厚膜混合工艺组装,实现电压输出D/A转换器功能.测试结果显示,设计的电路达到了预期目标.