CMOS器件辐照后热退火过程中激发能分布的确定

对CNMOS晶体管辐照后的等温、等时退火特性进行讨论，给出辐照敏感参数在等温、等时退火过程中随退火时间、退火温度的变化关系。根据退火模型计算了CMOS器件辐照后25、100^oC等温和25～250℃等时退火过程中激发能的分布。结果表明：25、100℃等温退火激发能范围分别在0.65～0.76eV和0.75～0.95eV之间；25～250℃等时退火的激发能范围在0.5～1.1eV之间，峰值位于0.81eV。     

In~+离子注入蓝宝石(α-A1_2O_3单晶)的表面改性研究

研究了＜０００１＜和＜１２１０＞晶向蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３单晶）在注入３６０ｋｅＶ．１×１０￣１６ｃｍ￣－２或１００ｋｅＶ、６×１０￣１６ｃｍ￣－２的Ｉｎ￣＋后产生的损伤、注入层的性能变化和退火行为。实验结果表明，退火过程中损伤的恢复和Ｉｎ的分布与退火气氛有关：在１００ｋｅＶ、６×１０￣１６ｃｍ￣－２的Ｉｎ￣＋注入时，注入层电阻率降低了１０个量级，大小为６．８×１０￣３·ｃｍ，表面损伤层的显微硬度提高了９２％；在３６０ｋｅＶ，１×１０￣１６ｃｍ￣－２的Ｉｎ＋注入时，其表面损伤层的显微硬度提高了４５％，在空气中不同温度下退火后，其显微硬度的变化和损伤的变化具有相同的规律。     

铁基纳米微晶薄膜巨磁阻抗效应的Mossbauer研究

本文采用Mossbauer谱学方法以及其它手段对FeCuNbSiB薄膜样品在退火过程中出现的巨磁阻抗效应发生显著变化的原因进行了探讨。研究表明,样品在退火过程中除了生长纳米晶粒α-FeSi相对提高材料的软磁性能有利外,同时随退火温度变化样品中磁矩分布方向会发生重取向。由制备态到570℃退火温度期间,薄膜样品磁矩取向发生由平行于平面为主变为垂直为主,而后再转变为平行为主。这些因素对多层膜巨磁阻抗效应的变化会产生重要影响,尤其当磁矩在垂直于平面方向分布占优势时,磁阻抗效应会显著下降。     

铁基纳米微晶薄膜巨磁阻抗效应的Mssbauer研究

本文采用 M?ssbauer 谱学方法以及其它手段对 FeCuNbSiB 薄膜样品在退火过程中出现的巨磁阻抗效应发生显著变化的原因进行了探讨。研究表明,样品在退火过程中除了生长纳米晶粒α ? FeSi相对提高材料的软磁性能有利外,同时随退火温度变化样品中磁矩分布方向会发生重取向。由制备态到 570 ℃退火温度期间,薄膜样品磁矩取向发生由平行于平面为主变为垂直为主,而后再转变为平行为主。这些因素对多层膜巨磁阻抗效应的变化会产生重要影响,尤其当磁矩在垂直于平面方向分布占优势时,磁阻抗效应会显著下降。     

前剂量和退火温度对石英热释光剂量学特性的影响

对下述石英剂量学特性进行了研究:(1)石英的剂量灵敏度在不同退火温度下随不同前剂量的变化;(2)使石英的剂量灵敏度恢复到原有水平的最佳退火温度的选择;(3)在500℃,8小时退火温度时,石英的剂量灵敏度随退火时间的变化;(4)经前剂量照射的石英样品在700℃,3小时退火后石英的剂量灵敏度恢复到原有水平的可能性。结果表明,在700℃,3小时的退火条件下,可使石英的剂量灵敏度变化最小,并几乎恢复了其原有水平。     

钛注入钢退火中纳米相镶嵌结构的形成和表面强化

透射电子显微镜观察表明,经过Ti注入的钢,表面形成了直径为3.5～20nm的FeTi_2相,镶嵌在注入层中,其平均直径为8nm。靶温在400℃注入时,这些纳米相出现在位错和晶界处。这种镶嵌的结构具有很强的抗磨损特性和抗腐蚀特性。经过退火后,这种结果将发生变化。在350～500℃退火20min后,其结构没有明显的变化,但是注入层的硬度得到了明显的提高。经过500℃退火后,表面硬度最高。说明退火能有效地增强表面强化效果。当退火温度为750℃和1000℃时,位错和晶界消失,纳米相平均直径分别增加到10 nm和15 nm。其平均密度分别为8.8×10~(10)/cm~2和6.5×10~(10)/cm~2。注入硬度明显下降,说明基体软化。     

NMOS晶体管的退火特性研究

探讨了加固型ＣＣ４００７经＾６０Ｃｏγ射线辐照后ＮＭＯＳ晶体管的退火特性,研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系。经相同总剂量辐照的器件,高源１００℃下的退火速度远大于室温２５℃下退火速度。２５￣２５０℃下的等时退火,其退火程度接近１６８ｈ的１００℃等温退火。对不同的退火情况,退火偏置的作用是相似的,＋５Ｖ栅偏压退火速度大于０Ｖ栅偏压和浮空退火速度。对氧化物陷阱电荷的     

前剂量和退火温度对石英热释光剂量学特性的影响(英文)

对下述石英剂量学特性进行了研究:(1)石英的剂量灵敏度在不同退火温度下随不同前剂量的变化;(2)使石英的剂量灵敏度恢复到原有水平的最佳退火温度的选择;(3)在500℃,8小时退火温度时,石英的剂量灵敏度随退火时间的变化;(4)经前剂量照射的石英样品在700℃,3小时退火后石英的剂量灵敏度恢复到原有水平的可能性。结果表明,在700℃,3小时的退火条件下,可使石英的剂量灵敏度变化最小,并几乎恢复了其原有水平。用四种不同的石英样品进行的重复性实验进一步验证了这一结果。同时还发现,石英的TL发光峰曲线只有在900℃,1小时退火条件下才发生畸变,这一结果与D.J.Huntley et al. (1988)得到的结果有所不同。     

注入Nb+的蓝宝石晶体退火前后的光学分析

将Nb⁺ 在不同条件下注入不同晶向的蓝宝石晶体，然后，在还原性气氛下退火，并对退火前后的蓝宝石晶体进行光学分析。分析结果表明，Nb⁺ 注入蓝宝石晶体产生的色心缺陷主要集中在紫外和可见光的高能区。通过对光吸收谱进行高斯拟合及荧光谱分析确认，引起吸收的点缺陷主要是F、F⁺、F₂、F⁺₂、F²⁺₂心等阴离子空位。退火可使这些色心点缺陷减少。退火温度越高，色心点缺陷减少越多，且减少的程度与注入温度有关。此外，700nm处的荧光峰随激发光波长变化而呈现出不同的变化趋势。     

硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响

用X射线四晶衍射仪测量了不同温度下退火的注氢单晶硅的摇摆曲线,分析了不同温度退火后晶格内应力产生及消失的过程。并与离子背散射沟道分析进行了比较。结果表明,在400℃左右,氢注入形成的氢复合体分解,形成氢分子,氢分子在晶格中聚集,生成氢气,在高温下膨胀,引起晶格形变,并产生缺陷;当退火温度达到500℃以后,氢气的膨胀已超过晶体的屈服强度,产生了大量的缺陷、位错。同时在硅晶体内形成气泡,并在硅晶体表面造成砂眼、剥离等现象。     

热释光剂量计精密退火炉

一、前言所有的“热释光剂量计”(TLD)由于它们接受退火情况的不同,在热释光特性方面会表现出某些不同的变化。为了保证完全读出TLD贮存的TL信号和重复使用,使TL灵敏度不发生显著的变化,对TLD进行退火处理是热释光测量工作中不可少的程序。因此,在进行辐照、测量之前,所有的TLD都要进行包括退火温度和冷却速率等完全相同条件下的退火,以使TLD的灵敏度和热历史保持一致。     

中子掺杂氢气氛区熔单晶硅的电学性能和辐照缺陷的退火行为研究

用霍尔系数——电阻率测量、少子寿命测量和深能級瞬态谱(DLTS)测量研究了中子掺杂氢气氛区熔单晶硅的电学性能和輻照缺陷的高溫退火行为。给出了自由载流子浓度和迁移率的等时退火曲綫和DLTS等时退火譜,計算了DLTS譜峯相应的缺陷能級、俘获截面和浓度。初步结果表明,由于氢的存在,这种NTD Si退火时有一些显著特点,如P→N轉型温度低,自由载流子浓度和迁移率回复溫度較低,在～450℃时存在着浓度很大的过量施主和DLTS缺陷。結果还表明,DLTS缺陷的退火行为与寿命和迁移率的变化间有較好的对应性,800—850℃,1小时退火能够基本消除这种NTD Si中的輻照缺陷,使电学性能回复。     

低温镀铁

镀铁工艺已有一百多年的历史,但由于温度高,不易控制,镀层软、易脱落,因此在生产上未得到广泛应用。六十年代开始,出现了不对称交流电起镀的镀铁新工艺,而且是在常温下进行,所以称为低温镀铁。它有如下优点: 1.镀层与基体结合的强度高,一般都在1600公斤/厘米~2以上,最高时可达3000公斤/厘米~2。     

中子辐照注量对单晶硅中缺陷退火行为的影响

用正电子湮没寿命和多普勒加宽测量研究了不同注量中子辐照的氩气氛区熔单晶硅中缺陷的退火行为，发现不同中子注量辐照时，辐照致空位型缺陷的退火行为十分类似，并均在５５０℃时退火消除；但辐照致双空位浓度、二次双空位和四空位型缺陷的产生、浓度和消除温度很不相同。简单陷阱模型不适用于５００℃以下退火的离中子注量辐照的单晶硅，但能部分适用于中等注量辐照的单晶硅。     

高温退火对TZM合金拉伸性能的影响

通过室温拉伸试验和组织断口形貌观察,研究了TZM合金在不同退火温度下的性能与组织变化现象.结果表明,随着退火温度升高,TZM合金抗拉强度下降,塑性增强.研究中观测到,材料基体存在较多的夹杂缺陷,不同退火温度使夹杂的尺寸发生变化是影响力学性能改变的主要因素.     

~(57)Fe注入铜的穆斯堡尔效应研究(Ⅱ)——注入特性和铁磁相变化

我们曾报道了在同一剂量下的~(57)Fe离子注入铜随退火温度变化的特性,观察到注入铁离子所处的三种不同位:固溶态的孤立铁原子、具有二个或更多铁原子结合在一起的固溶态原子组团(Cluster)和γ-Fe夹杂相;经一定温度退火后,固溶态的铁原子和γ-Ee分别通过凝聚和相变转变成具有体心立方结构的α-Fe;在600℃退火后α-Fe全部消失转变成固溶态铁。本文着重报道不同的~(57)Fe注入剂量对铁原子不同位的强度和它们的超精细参数的影响以及它们随不同退火温度的变化关系。     

U-10Mo/Al-Si固体扩散行为

采用扩散偶方法研究U-10Mo合金与Al-xSi(x＝0,1,2,5,7,9,质量分数)合金的固体扩散行为。实验在真空热压炉中完成,退火温度为555、570、580、590和595℃,时间为5～10h。实验结果表明：退火条件对扩散行为有显著影响,580℃是U-10Mo/Al-xSi扩散行为的重要分界点;当温度低于580℃热压退火处理时,扩散层厚度随Si含量的增加先急剧减小然后缓慢增大;当温度高于580℃时,扩散层的厚度随Si含量的增加而增加。Si含量较高(≥2%)的扩散偶扩散层厚度比低Si含量的小,扩散层呈3层结构,靠近Al-Si侧出现贫Si区。成分分析显示：Si含量较高的扩散偶,靠近U-Mo侧的扩散薄层中出现Si的富集,其成分为(U,Mo)(Al,Si)_x (x≤3);靠近Al-Si合金侧的扩散层成分为(U,Mo)(Al,Si)_x (x＞3)。     

不锈钢中离子注入氦的分布及其效应

为模拟辐射效应,使用增强质子背散射、SEM、TEM和显微硬度等测量手段进一步研究了He离子注入HR-1型不锈钢中的行为。离子束能量和剂量区间分别为30～170keV和10~(15)～10~(18)He~ /cm~2,靶温区为77～673K,部分样品进行了升至1323K的恒时退火实验。研究了注入He的分布特征、起泡过程、He泡结构及He的释放特性。也测量了不同剂量下注He层显微硬度的变化。     

不锈钢中离子注入氦的分布及其效应

为模拟辐射效应,使用增强质子背散射、SEM、TEM和显微硬度等测量手段进一步研究了He离子注入HR-1型不锈钢中的行为。离子束能量和剂量区间分别为30～170keV和10~(15)～10~(18)He~ /cm~2,靶温区为77～673K,部分样品进行了升至1323K的恒时退火实验。研究了注入He的分布特征、起泡过程、He泡结构及He的释放特性。也测量了不同剂量下注氦层显微硬度的变化。     

聚丙烯密度变化与形态等因素的关系

含不同添加剂（二氧化钛，炭黑，酞菁蓝，还原橙）聚丙烯密度与结晶温度，退火以及辐照有关，密度的变化取决于样品的结晶度和球晶体积。辐照后的聚丙烯在６０℃低温下退火，匠增与结晶温度和退火时间有关，密度最终趋于一个极限值，主要是由于无定形区小分子形成结晶所致。辐照而未退火只能使样品密度发生轻微的变化。