半导体器件应用中的可靠性及失效分析

本统计分析了引起半导体器件失效的一些主要失效原因，阐明了失效分析在提高半导体器件和电子产品质量与可靠性方面所发挥的重要作用。     

硅堆的可靠性及其失效分析

本文叙述了硅堆的可靠性,讨论了工艺因素对硅堆质量的影响,分析了Al-Si蚀坑产生的原因.     

产品可靠性测试失效的预分析

产品可靠性测试的失效分析是半导体失效分析的重要也是极具挑战性的部分。而物性失效分析前的预分析（包括电性失效分析）又是整个产品可靠性失效分析中的关键步骤。充分和合理的预分析是提高物性失效分析成功率的重要保障。本文主要根据不同的产品可靠性测试的失效类型和机理来介绍常用的预分析方法和手段,并通过具体的实例图片来阐述预分析的重要作用。将预分析融合于产品可靠性失效分析中,将取得事半功倍的效果。     

CQFP器件焊点开裂失效分析

CQFP器件由于其可靠性高的优势已经广泛应用于军事、航天航空领域,但是在实际使用中,特别是在温度和力学条件下容易出现焊点脱落和引脚断裂等问题。针对在工作中遇到的一次典型焊点开裂失效案例进行分析,对问题产生的根源进行了定位,对焊点开裂的失效机理进行了分析,最后简要介绍了提高CQFP器件焊接可靠性的一些工艺措施。     

电子仪器发展趋势

本文在回顾了电子仪器近百年发展的历史的基础上,对国际电子仪器制造商、电子仪器行业及电子仪器本身的发展趋势,以及我国电子仪器的发展情况进行了分析归纳和总结.     

一种FIFO器件的失效模式分析

异步FIFO常应用于在异步时钟域之间进行数据传输。本文根据应用过程中数据帧头重复首字节的异常现象,对FIFO器件M67024的一种失效模式进行分析和说明。进而分析FIFO因设计原理而存在的共性使用要求,并提出针对该类型FIFO失效模式,电路设计人员应当注意的设计规则。     

EEPROM失效机理初探

在分析了双层多晶硅FLOTOXEEPROM各种失效模式后，从理论上提出了提高EEPROM可靠性的各种措施。提高隧道氧化层和多晶硅之间氧化层的质量，减小擦／写电压和擦／写时间，减小隧道氧化层的面积，都是提高EEPROM可靠性的有效措施。     

关于油田变频器常见故障的分析与处理

变频器作为一种有效的变频调速控制系统,已成为目前国内各油田重要的节能控制设备。文中介绍了油田变频器常见的9类故障,分析了故障产生的原因,提出了解决问题的处理办法。通过对变频器故障与处理方法的介绍,希望对检修人员有所帮助。     

电子组装中焊点的失效分析

焊点的失效分析是电子产品质量和可靠性保证体系的重要组成部分。本文首先概述了焊点的失效机理,主要包括热致失效、机械失效、电化学失效。在此基础之上,综述了焊点失效分析的基本流程与各类失效分析方法,并对无铅条件下该领域的研究作了简要评述。     

扬声器潜在失效模式及后果分析

FMEA是一种潜在失效控制技术，有效地将FMEA技术应用在扬声器的生产中对扬声器工程技术人员来说较困难，文中分析了应用扬声器FMEA技术的难点并给出了解决方案。     

微波器件失效率快速试验方法研究

介绍了微波低噪声GaAs FET恒定应力加速寿命试验结果,沟道温度T_(ch)为145℃时,平均寿命MTTF为9.64×10~6h,最主要的失效模式是源漏饱和电流I_(DSS)退化降低。建立了表征GaAs FET稳定性的敏感参数I_(DSS)的退化模型InP=a+blnt,分析了I_(DSS)退化与温度应力的加速关系。提出了快速推断器件可靠性的建议。     

薄膜电容器的失效分析和试验方法

薄膜电容器失效的主要原因在于其保护层防潮性能不好和实际应用中存在交流电。文中先介绍薄膜电容器的生产工艺和电子镇流器的使用环境,再介绍潮湿对电容器的危害作用,以及电容器的失效分析。作者运用详细的原理解释,结合用不同的潮湿试验条件和施加直流电压或交流电压的方法来评估薄膜电容器的实际承受能力,通过优化选择和数据对比,得出结论"85℃,85%RH,施加交流电压"是最有效的试验方法。总之,增强防潮和抗交流电能力可以保证薄膜电容器以及电子镇流器处于高质量水平。     

富土G1／G11变频器常见故障分析

仪征化纤股份有限聚酯生产中心变频调速系统主要运用富士品牌的变频器,目前G9系列的变频器已经逐渐淘汰,正在使用的变频器多为G11系列和G1系列。笔者根据中心近几年的使用情况,分析了G11和G1系列变频器常见的故障和处理方法,在这里和大家一起讨论。     

Failure analysis of die-attachment on static random access memory (SRAM) semiconductor devices

Different combinations of the SRAM die and the substrates to yield a better die-attachment are studied. Cleanliness of die backside, plasma etching of contaminated die backside, new frames and old frames are the factors considered. The number of rejects due to die cracking in the die-attachment can be minimized if (1) production die and new frames are used, (2) 100% eutectic coverage is performed, (3) no gold preforms is added for substrates that are already coated with a thin layer of 98% Au-2% Si and (4) plasma etcher is used in clean surface preparation for suspected contaminated die backside surfaces. To whom correspondence should be adressed.