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PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用等离子辉光放电化学气相沉积技术(PCVD),控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比,在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜,研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响.在一定的沉积条件下沉积的碳化硅薄膜可以使基体强度提高20%达到850MPa,沉积氮化硅薄膜使强度提高30%达到900MPa,改性的效果很明显. 相似文献
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以硬脂酸为粉末改性剂, 聚乙二醇/聚乙烯醇缩丁醛/聚甲醛(PEG/PVB/POM)为粘结剂体系制备锆钛酸铅镧(PLZT)粉末注射成形喂料, 并通过先水脱脂后烧结的工艺制备了PLZT压电陶瓷。研究了硬脂酸用量对粉末特性、喂料黏度、水脱脂率以及坯体强度的影响, 并对烧结后陶瓷的微观形貌与电性能进行对比与分析。结果表明:硬脂酸通过湿法改性成功包覆于PLZT粉体表面, 硬脂酸改性打破了粉末间的团聚, 且当硬脂酸包覆量为2wt%时, 喂料具有较低的剪切黏度及较高的坯体弯曲强度。但过量改性反而使得喂料黏度上升, 坯体弯曲强度下降。改性后的粉体在坯体内分散均匀, 烧结后的陶瓷晶粒生长完善, 具有更大的烧结致密度。与未改性的PLZT陶瓷相比, 在2 kV/mm极化电压下, 2wt%硬脂酸改性的PLZT的压电常数d33由638 pC/N提高为682 pC/N。 相似文献
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PLZT陶瓷的光伏效应研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了一种可应用于光控伺服系统的新型光-机转换器件PLZT陶瓷片,由于极化后的PLZT陶瓷片具有光致伸缩效应,由此可根据光信号来控制PLZT陶瓷片的伸缩量。实验表明,PLZT陶瓷片在一定紫外光照射下,PLZT陶瓷片呈现出很强光致伸缩效应,由于伸缩量与光电压成线性关系,所以,测量出PLZT光电压与照射光强度的关系,并由此建立PLZT陶瓷光伏效应的电气模型 相似文献
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PLZT陶瓷中的光致伏特效应的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了PLZT陶瓷中的体光伏特效应。采用通氧热压技术制备PLZT陶瓷。试样被切割加工成4.5×3×1mm~3并沿3mm 方向加以极化,在高于居里点的温度下以较低的电压(~250V/mm)极化。在高压球形汞灯的照射下,所研究的PLZT试样呈现较强的光致伏特效应。在4/56/44PLZT陶瓷中,其光伏电压和电流输出分别为1.2kV/cm(开路态)和0.9μA/cm~2(闭路态)。实验表明 PLZT 的光伏电流与光照强度有关而与外接电阻负载无关(在0~10~8Ω范围内);外加偏置场对极化前后的4/56/44PLZT陶瓷的光伏特性的影响的实验表明:受光照射后产生的光致激发载流子在一有效驱动电场的作用下作定向运动,从而对外表现出光伏效应的行为特征,这一有效场为材料的剩余极化场;外加偏置电场可诱发或加强材料的光伏电压和电流的输出。 相似文献
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超微细气相法白炭黑的表面改性 总被引:11,自引:0,他引:11
气相法白炭黑是重要的高科技超微细无机新材料之一。然而, 呈亲水性的表面硅醇基结构使其在某些疏水领域的应用受到限制。为进一步改善其性能和拓宽其应用领域, 人们对其表面结构和性质进行了大量卓有成效的改性研究。本文综述了近几年来气相法白炭黑表面活性的研究成果和工业化技术 相似文献
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纳米氧化锆粉体的表面改性研究 总被引:18,自引:0,他引:18
本文初步研究了己二酸,硬脂酸对纳米氧化锆陶瓷粉体的表面改性作用及其对粉体的极性和流动性的影响。实验结果表明,己二酸,硬脂酸中的羧基与纳米氧化锆粉体颗粒表面的羟基发生类似于酸和醇的酯化反应,并在其表面形成单分子膜。经过表面改性的纳米氧化锆粉体由极性转化为非极性,同时表现出良好的流动性能。 相似文献
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颗粒表面改性法制备PTC粉体的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
本文介绍了一种通过液相颗粒表面改性技术添加二次掺杂物来制备PTC粉体的新方法。即将烧结助熔剂Al2O3,SiO2以及受主杂质MnO采用溶液形式,包裹在BaTiO3基粉体颗粒表面进行改性,由此可以得到二次掺杂物Al2O3、SiO2和MnO分布均匀的PTC粉体。 相似文献
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研究了复合ZrO2对PLZT铁电陶瓷性能的影响,随着ZrO2的添加,复合材料体系的铁电性能有一定的减弱,但是电致疲劳性能却得到明显的改善。断口的显微结构观察表明,随着ZrO3的添加,断口由部分沿晶断裂模式向穿晶断裂模式转化,证明了ZrO2的引入提高了晶界强度,从而改善了材料的电致疲劳特性。 相似文献
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用溶胶-凝胶技术制备了组分为6/65/35的PLZT非晶薄膜,这类薄膜具有类铁电性。在200 ̄700nm的波长范围内测试TLZT类铁电非晶薄膜和同样组分的透明陶瓷的椭偏光谱,得么了其光学常数谱(浙射率n谱和消光系数k谱),并对其吸边和一些光学性质进行了对比和讨论。 相似文献
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铜的气体表面渗硅新工艺研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文研究了纯铜的气体表面渗硅新工艺,也即在含硅气氛下低温沉积和扩散表面改性的工艺研究情况,介绍了各实验参数对渗硅层厚度和性能的影响。 相似文献
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金属材料表面改性技术是一门新兴的技术,主要包括激光表面改性、离子注入法、物理气相沉积法和热喷涂等,简述了该4种技术的研究和发展现状,对各种技术的原理和应用状况分别加以描述,最后总结了材料表面改性技术的发展前景。 相似文献
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机械合金化制备PLZT(5/54/46)陶瓷 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了机械合金化制备PLZT陶瓷.实验结果表明,采用纳米TiO2原料,球磨5h就能得到PLZT粉体,而采用微米TiO2原料,球磨30h也只有少量的PLZT出现.可见纳米粉体在机械合金化制备PLZT粉体过程中起了重要的作用.机械合金化制备的PLZT粉体具有很好的烧结性能,在1000℃的烧结条件下可以得到致密度达97%的PLZT陶瓷,并且所得PLZT陶瓷的压电性能和铁电性能与其它文献报道的相当.这为实现铁电陶瓷与电极低温共烧打下了基础. 相似文献
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本文讨论了铌和钡改性的PLZT10/65/35铁电陶瓷的横向场诱应变X2,不同温度及偏压下的介电常数K33,平面机电耦合系数kp和弹性柔顺系数SE11,并计算了等效压电常数d31。铌和钡改性的PLZT铁电陶瓷在15kV/cm的电场下横向应变分别为-51×10-4和-4.5×10-4。实验表明它们的k。和d31值可由直流偏压控制,室温下k。的饱和值分别为0.53和0.52,|d31|的最大值分别为230pC/N和225pC/N,且压电常数的温度系数都比PMN-PT系陶瓷小得多。 相似文献