厚膜α—Fe2O3气敏元件的研制

介绍用化学共沉淀法制备的α－Ｆｅ２Ｏ３粉体为原料，采用厚膜技术制作全膜化α－Ｆｅ２Ｏ３气敏元件性能及工艺，试验并分析了玻璃添加剂对元件气敏性的影响，讨论了一种可能的气敏机理。     

Nd2O3—SnO2薄膜气敏元件的研制

研究了Ｎｄ２Ｏ３－ＳｎＯ２复合薄膜气敏元件的制作工艺和敏感性能，测量结果表明，这种元件对乙炔气体敏感，且具有选择性好，灵敏度高等优点。     

电容型CO2气敏元件的研制

研究了以粉末冶金技术制备的四方晶型ＢａＴｉＯ３粉为主体原料,机械均匀掺杂一定摩尔配比的高纯ＣｕＯ粉体,获得电容型气敏元件的可能性。实验考察了元件温度、频率、浓度特性,结果表明所制元件对ＣＯ２气体呈现一定的敏感特性,该元件可测ＣＯ２气体浓度（体积分散）范围广（０￣９５％）,在低浓度０￣５％范围内,元件灵敏度与ＣＯ２气体浓度呈线性关系,利于直接标定,是一种很有发展前途的新型气敏元件。     

气敏元件测量电路的优化设计

近年来，气敏元件测量电路广泛采用的“负载电阻取样电压法”存在一些实际问题：影响气敏元件在某种气体中的真实电阻，不能绘制气敏元件电阻随所加电压变化的连续曲线，不能反映气敏元件敏感过程的全貌，为解决这些问题，在现有测量电路基础上研究了气敏元件测量电路的一种优化设计方法，主要包括线性升压加热源、元件电阻测量电路、声光提示及自动回零电路设计等，并给出了应用实例，应用这组测量电路可直接描绘出气敏元件电阻随所加电压变化的连续曲线、灵敏度、精确值及选择性，可对敏感过程进行全面观测，实验结果表明，效果十分理想，对于气敏元件特性的研究及气敏元件制作具有重要意义。     

新型半导体n+p结构气敏元件研究

讨论了基于气敏元件互补反馈和互补增强原理的新型半导体n p结构气敏元件．理论分析表明，该新型气敏元件具有高的选择性，同时还具有好的热稳定性和高的灵敏度，通过实验。获得了性能较好的n p结构酒敏元件。     

微型薄膜气敏元件芯片的传热系数和热功耗

热功耗是关系到气敏元件的应用、热特性分析和工艺设计的重要参数，至今无计算气敏薄膜元件热功耗的实用公式；在研究微型薄膜气敏元件引线的散热量，芯片传热系数随芯片尺寸和温度变化的规律的基础上，给出了热功耗的相关计算方法和公式，据此计算得出微型薄膜气敏元件的热功耗数值，与实验结果一致。     

TiO_2气敏元件的空燃比敏感特性

通过气氛模拟实验,研究了TiO_2气敏元件的空燃比(A/F)敏感特性;借助气体边界层模型分析了临界值(A/F)_c的偏移现象。测定了气孔率、催化剂等对气敏速度的影响。采用EPMA技术,分析了元件表面污染状态对其使用寿命的影响。并初步探讨了掺杂对TiO_2电性能的影响以及TiO_2的自身催化氧化过程。     

纳米CuO-SnO2 气敏粉体的制备及气敏特性研究

用So l-Ge l 法制备了纳米级的CuO -SnO₂ 气敏粉体, 所得粉体制作的气敏元件有较好的气敏性能。在不同的加热电压下进行实验研究, 对不用浓度配比制成的气敏元件进行气敏性能测试。通过对所得粉体的表征可知, 用So l-Gel 法制备出的CuO-SnO₂ 气敏粉体是纳米级的, 比表面积大, 活性好, 其最佳热处理温度为650 ℃, 测试结果得出CuO 摩尔分数为4 %的CuO-SnO₂ 气敏元件有较好的灵敏度和较高的选择性, 并且对CO₂ 的灵敏度和选择性比较突出。     

LPG气敏元件批量测试分选系统硬件设计

介绍了LPG气敏元件批量测试分选系统硬件设计,对测试系统的工作原理进行了叙述。给出了系统硬件电路的实现方法,该测试分选系统已经在生产中应用,实际应用表明该系统实现了LPG气敏元件高效、准确的批量测试分选,已经成为LPG气敏元件生产中的重要装备。     

微型薄膜气敏元件芯片的传热系数和热功耗

热功耗是关系到气敏元件的应用、热特性分析和工艺设计的重要参数 ,至今无计算气敏薄膜元件热功耗的实用公式 ;在研究微型薄膜气敏元件引线的散热量 ,芯片传热系数随芯片尺寸和温度变化的规律的基础上 ,给出了热功耗的相关计算方法和公式 ,据此计算得出微型薄膜气敏元件的热功耗数值 ,与实验结果一致     

Al2O3基气敏元件反应过程中脱附量的研究

气敏元件的性能不但与材料的显微结构有关，而且与气敏过程中氧化还原的产物及量的多少相关。针对此问题，借助于TGA热分析系统对3种不同晶粒尺寸的Al2O3基气敏元件在不同温度工作时的脱附量、吸附量进行了研究。     

新型金属氧化物薄膜气敏元件基材料的开发

根据电导气敏机理的氧负离子理论,提出制备n型金属氧化物气敏基材料的理论,指出禁带宽度Eg＞2eV的金属氧化物材料都有可能研制薄膜气敏元件,并通过Fe2O3／1％Sb2O3和TiO2薄膜元件的制备和表征,论证了该理论的正确性.     

新型CO2气敏元件的研究

利用纳米技术和半导化技术,制备了ＣｕＯ－ＢａＴｉＯ３复合氧化物电子陶瓷电容型ＣＯ２气敏元件,该元件可用于环境中ＣＯ２气体的监测。该元件在１２７－４７７℃范围,对ＣＯ２气体呈现较好的敏感特性;可测气体浓度范围０－９５％,在低浓度范围内,电容与浓度呈线性关系;能经受高浓度ＣＯ２气流的冲击,有较快的响应恢复速度;重现性和选择性较好,是一种很有发展前途的ＣＯ２气敏元件。     

掺镍多孔纳米SnO_2材料的制备及其气敏性能

以SnCl4.5H2O为原料,聚乙二醇（PEG-1000）作为分散剂,利用沉淀法制备出SnO2纳米粉体,采用扫描电镜（SEM）和X-射线衍射（XRD）对其形貌和微观结构进行表征.并以其作为基底材料以离子的形式掺杂摩尔比为1%的Ni2＋作为气敏材料,制作掺杂和未掺杂两种旁热式气敏元件,测试其对乙醇、甲醇和丙酮的气敏特性.发现在较低的工作温度下两种元件对三种气体都有较高的敏感性,同时Ni离子的掺杂对三种气体的灵敏度有不同的影响,对乙醇表现出很好的选择性.     

掺镍多孔纳米SnO2材料的制备及其气敏性能

以SnCl4·5H2O为原料,聚乙二醇(PEG-1000)作为分散剂,利用沉淀法制备出SnO2纳米粉体,采用扫描电镜(SEM)和X-射线衍射(XRD)对其形貌和微观结构进行表征.并以其作为基底材料以离子的形式掺杂摩尔比为1%的Ni2+作为气敏材料,制作掺杂和未掺杂两种旁热式气敏元件,测试其对乙醇、甲醇和丙酮的气敏特性.发现在较低的工作温度下两种元件对三种气体都有较高的敏感性,同时Ni离子的掺杂对三种气体的灵敏度有不同的影响,对乙醇表现出很好的选择性.     

α—Fe2O3气敏元件的可靠性环境试验

探讨了α－Ｆｅ２Ｏ３半导体气敏元件的可靠性环境试验方法，对该元件的可靠性环境试验结果进行了数据处理和统计分析；探讨了该元件的主要失效模式，运用不同的评定方法对元件的环境应力适应能力进行了定量估计。     

气相法制备的WO3纳米粉体对CH4气敏性能的影响

以传统的热分解法和新型的以纯钨丝为原料的气相反应法制备纳米WO3气敏材料,并以WO3为基材,制备了CH4气敏传感元件．气敏性能测试表明,热分解法制备的材料对CH4几乎没有气敏性能,而气相反应法制备出的WO3在2．5V加热电压下对5000ppm的CH4灵敏度均接近2．6．分析结果认为气相法制备的材料是非晶态的混合物,晶形呈菱形八面体状,晶粒间的缺陷是增加元件对CH4灵敏度的主要原因．     

Zn掺杂对SnO_2纳米线的气敏性能的影响

为了提高SnO2纳米线基气敏传感器在实际应用中存在着灵敏度低、选择性差等问题,采用物理热蒸发法制备纯SnO2纳米线和不同质量百分比（7%,8%,9%,10%）的Zn掺杂SnO2纳米线,将制得的气敏基料制备成旁热式气敏元件,应用静态配气法对浓度均为500ppm的无水乙醇蒸汽、CO及CH4分别进行气敏性能测试.实验结果显示,Zn掺杂SnO2纳米线相比纯SnO2纳米线的气敏性能有了明显提高（乙醇提高2.46倍,CO提高13.88倍,CH4提高1.43倍）,并得出无水乙醇气敏性能在工作温度为280℃最高,CO,CH4在300℃最好.当Zn的掺杂比例为质量百分含量为9%时,各种比例材料所制成的气敏元件气敏性能最高.     

测试电压和湿度对气敏特性的影响

对影响金属氧化物薄膜气敏元件测量可靠性的因素－测试电压ＶＴ和湿度［Ｈ２Ｏ］进行了实验研究：给出了灵敏度Ｓｎ随测试电压ＶＴ变化的曲线,得出了存在一个Ｓｎ稳定的测试决压区间;给出了Ｓｎ随［Ｈ２Ｏ］变化曲线的形式,得出了Ｓｎ随［Ｈ２Ｏ］变化的相对起伏是大的结果;研究了相对灵敏度Ｓｎ′≡Ｓｎ（Ｃ０）／Ｓｎ（Ｃｓ）,得出了Ｓｎ′基本不随湿度变化的结果。     

Pt／TiO2氧敏元件工艺和氧敏机制的研究

此文主要阐述了通过热分解氯铂酸工艺对TiO_2元件进行第二次铂催化能大幅度提高氧敏特性,并使元件呈现许多新特点。在总结实验的基础上,发展了肖特基势垒氧敏机制,较好地解释了实验现象。