沉积条件对CVD-SiC沉积热力学与形貌的影响

以CH3SiCl3为源物质，H2为载气，Ar气为稀释气体，研究了沉积温度和沉积气氛压力对SiC沉积形貌的影响。应用晶体成核－长大理论和SiC沉积热力学理论，解释了SiC沉积的各种形貌。研究表明：降低系统压力和提高沉积温度，能减小SiC在气相中形核所需的最大能量，促进形核。SiC沉积热力学随沉积条件的改变决定了SiC沉积形貌的改变。     

喷射沉积快速凝固材料的研究及应用概况

喷射沉积是一种新型的快速凝固技术，近年来广泛应用于研究和开发多种高性能愉速凝固材料。简要介绍了喷射沉积技术的基本原理和特点，对其在快速凝固材料中的应用进行了综述。     

雾化喷射沉积技术的发展概况及展望

雾化喷射沉积技术是一种新的金属成形工艺，近年来发展十分迅速。本文从实验装置、传热特点、临界沉积条件、沉积材料的组织和性能及主要工业化产品等方面对该工艺进行了综述。并对雾化喷射沉积技术作了评价和展望     

电子束物理气相沉积技术研究进展

电子束物理气相沉积是真空蒸发技术的一种,具有蒸发速率高和无污染的特点,目前广泛应用于材料表面涂层的制备.将离子束辅助和等离子辅助与电子束物理气相沉积技术相结合,可以提高蒸发粒子入射能量和扩散能力,改善由于电子束物理气相沉积工艺本身存在阴影效应和扩散能力低而引起的沉积材料的不致密等不足.介绍了电子束物理气相沉积技术的概况,并展望了该技术的未来应用及发展前景.     

NbN沉积膜的抗腐蚀特性研究

利用磁过滤等离子体沉积技术在单晶Si和碳钢衬底上生长一层NbN沉积膜，用XPS，XRD和SEM对膜层进行测量和分析，结果表明，沉积膜为δ-NbN，沉积膜的质量与样品的衬底温度有关，衬底温度越高，生成的膜越致密，膜的表面越平整光滑，多次循环阳极极化扫描曲线测量表明，沉积样品的致钝电流密度（Ip)较碳钢降低（1－2）个数量级，抗腐蚀性能大 幅度提高。     

用ECRCVD方法制备优质氮化硅钝化膜

利用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR—CVD)技术，以SiH4和N2为反应气体进行了氮化硅钝化薄膜的低温沉积技术的研究。采用原子力显微镜、傅立叶变换红外光谱和椭圆偏振光检测等技术对薄膜的表面形貌、结构、厚度和折射率等性质进行了测量。结果表明，采用ECR—CVD技术能够在较低的衬底温度条件下以较高的沉积速率制备厚度均匀的氮化硅薄膜，薄膜中H含量很低。薄膜沉积速率随微波功率和混合气体中硅烷比例的增加而增大。折射率随微波功率的增大而减小，随混合气体中硅炕比例的增大而增大。在相同气体混合比和微波功率条件下，较高衬底温度条件下制备的薄膜折射率较大。     

新型离子束增强沉积技术

离子束增强沉积技术是近年在离子注入技术基础上发展的新型材料表面改性技术，本文简要介绍多功能离子束增强沉积设备和应用技术研究，设备具有金属离子注入、气体离子注入、离子束增强沉积、磁控溅射沉积功能，进行材料表面改性和制备各种材料薄膜科学研究。     

雾化喷射沉积技术的发展概况及展望

雾化喷射沉积技术是一种新的金属成形工艺，近年来发展十分迅速，本文从实验装置、传热特点、临界沉积条件、沉积材料的组织和性能及主要工业化产品等方面对该工艺进行了综述。并对雾化喷射沉积作了评价和展望。     

气相沉积制备硬质薄膜技术与应用述评

本对气相沉积技术的发展与最新趋势给出了述评，重点强调了等离子体辅助化学气相沉积（PCVD）的优势，进展及其在工模具领域的应用。     

晶体硅太阳电池的电化学沉积金属化技术研究进展

传统丝网印刷作为晶体硅太阳电池的栅极金属化工艺，在现今发展成本低、效率高的太阳电池背景下仍存在很多不足，如金属银价格高，阴影损失大等。近些年，通过电化学沉积过程来实现晶体硅太阳电池片表面金属化被广泛报道。该技术可以在电池片的正反面进行快速的选择性沉积，提高栅极与衬底的结合力的同时也降低了电阻率，并且利用铜替代银，大大降低了太阳电池的成本。本文总结了电化学沉积法制备晶体硅太阳电池片栅极的研究现状和发展趋势，同时介绍了未来该项技术在推广和应用中存在的机遇与挑战。     

镍的金属有机化学气相沉积

介绍了用MOCVD技术沉积镍膜的应用状况，以及几种典型前驱体的沉积性能，着重介绍了羰基镍的沉积特性。结合MOCVD技术的最新进展，对镍的化学气相沉积技术了简要的展望。     

电沉积功能陶瓷技术

本文评述了电沉积功能陶瓷技术的原理，以及该技术在制备超导陶瓷、生物活性陶瓷和铁电陶瓷等方面的应用，讨论了电沉积过程中一些主要实验条件对陶瓷镀层性能的影响。     

钯金属薄膜制备方法的研究现状与进展

近年来,钯金属薄膜由于具有电阻率低和催化活性高等优异性能引起人们的广泛关注,钯及其合金薄膜在集成电路互连应用、氢传感、储氢和催化方面获得了越来越多科研工作者的兴趣。目前已有诸多制备钯金属薄膜的研究,本文重点介绍了利用物理气相沉积技术、化学气相沉积技术、原子层沉积技术以及等离子体辅助原子层沉积技术制备钯薄膜的研究现状,讨论了各种制备方法的优缺点,对所使用的前驱体作了总结,并展望了钯薄膜制备技术未来发展趋势。     

纳米颗粒薄膜的真空喷射沉积研究

利用真空喷射沉积技术制备了Ｚｎ纳米颗粒薄膜，研究了工艺参数对薄膜形貌及晶体结构伯影响规律，给出了颗粒尺度和外形随Ａｒ气流量，蒸发源温度，喷嘴尺寸形状和沉积时间的变化规律，并对其机理进行了分析。     

含Fe聚合物混合薄膜的制备

采用等离子体增强金属有机化合物化学气相沉积技术（ＰＥＭＯＣＶＤ）制备含Ｆｅ聚合物混合薄膜，系统考查了偏压，源物加工热电压，沉积位置对膜沉积的影响，对膜的组成和结构进行了研究。     

脉冲激光气相沉积技术现状与进展

介绍了脉冲激光沉积法(PLD)制备薄膜技术的原理、特点和这一研究领域的现状，着重介绍了脉冲激光沉积薄膜技术的研究动态和进展情况。大量研究表明，脉冲激光沉积法是一种最好的制备薄膜的方法之一。     

脉冲激光沉积（PLD）薄膜技术的研究现状与展望

综述了脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的研究现状，并按照研究方向将整个研究领域分为三个部分：PLD法沉积薄膜的机理，PLD的工艺研究以及PLD法沉积的主要薄膜材料，分别进行了阐述，对相关的研究工作提出了建议，并对PLD技术的应用前景做了展望。     

原子层沉积技术及其在铁电薄膜制备中的应用

讲述原子层沉积技术原理与特点的同时，进一步论述了它在沉积机理和实验真空度这两方面与传统薄膜沉积工艺的异同；综述了此技术在铁电薄膜制备研究方面的最新进展，前驱体的制备与选择、薄膜缺陷的控制以及表面化学反应动力学依然是当前原子层制备铁电薄膜研究的重点；最后展望了原子层沉积技术制备铁电薄膜的发展方向。     

刀具镀层的技术进展

综述了化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）工艺的特点与开发，以及CVD和PVD镀层及金刚石镀层刀具的性能和应用。中温CVD，PVD和金刚石镀层刀具等技术的进展标志着先进镀层应用时代的来临。     

IAD技术在钼酸铅晶体表面镀膜中的应用

讨论了离子束辅助沉积技术在真空沉积过程中的应用原理。通过与常规的热蒸发工艺镀制的膜层相比较，证实了离子束辅助沉积技术有助于提高钼酸铅晶体表面红外增透膜的膜层品质及中心波长位置的精确度。