基于新型倍压单元的准Z源耦合电感高电压增益DC-DC变换器

提出一种基于新型CLC倍压单元与耦合电感结合的准Z源高电压增益DC-DC变换器.通过倍压单元的改进,无需极限占空比即可实现变换器高升压增益特性.相比于传统准Z源变换器,该变换器具有的低应力特性可以在电路设计中选用电压等级更低、导通电阻更小的MOSSFET以减小导通损耗,从而实现更高的转换效率.在PSIM中搭建一个500 W的仿真模型,验证了拓扑和理论分析的正确性.     

NI推出首款基于PXI的源测量单元和业界最高密度的PXI开关模块——全新高精度直流产品把PXI平台功能延伸至半导体测试领域

美国国家仪器有限公司（简称NI）宣布正式发布其第一款基于PXI的源测量单元（source measure unit,SMU）和业界最高密度的PXI开关模块。这两款产品将PXI平台的应用延伸至高精密度直流测试领域,如半导体参数测试及电子设备器件的验证。工程师们可以同时使用这两款模块在多管脚设备上扫描电压和电流的特征参数,     

NI模块扩展PXI平台的功能，降低半导体研究分析和测试的成本——每个引脚数字参数测量和高密度的源测量单元模块都是半导体研究、测试的理想选择

美闷国家仪器有限公苦1（简称NI）扩展其PXI平台的功能,通过新发布的每个引脚参数测量单元模块（PPMU）和源测量单元模块（SMU）用于半导体的特性描述和生产测试。NIPXIe-6556200MHz高速数字I／O具备PPMU,NIPXIe-4140和NIPXIe-4141四通道的SMU可降低资本设备成本,缩短测试时间,...