富士通研制成功划时代的超高速半导体器件

富士通研究所最近利用新的原理研制成功划时代的超高速半导体器件(晶体管)。这项成果是6月23日在纽约康奈尔大学召开的第38届器件研究会议上发表的。 这种晶体管称为高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor简称HEMT)。 现在,信息处理机厂商正在研究开发超高速计算机的可能性,这里的关键问题是构成逻辑电路与存储器的基本器件。目前,世界上正在研究的使用硅晶体管的超     

简讯

日本日立公司中央研究所最近研制出低噪声、高增益的砷化镓场效应晶体管。其最高振荡频率f_(max)为50千兆赫,4千兆赫下噪声系数N为2.6分贝,功率增益为20分贝。为研制该管,日立公司进行了五个方面的研究工作: (1)研究了场效应晶体管的设计理论和最佳设计; (2)研究了低损耗场效应晶体管的封装设计; (3)改进电极材料的组分以降低欧姆电阻; (4)为实现短栅所需的光刻工艺; (5)高质量的晶体外延生长。该器件已提供日本邮政省无线电研究实验室试用,用于通讯卫星毫米波中继设备的     

具有逻辑功能的晶体管

不久前,美国电话电报公司贝尔研究所研制成功了能单独进行逻辑运算的晶体管。这种新器件叫做共振隧道效应双极晶体管(RTBT),它具有砷化镓铝与砷化镓薄层相重迭的构造。当电压处在某个值以下     

IBM公司宣布开关速度最快的锗硅晶体管

IBM公司近日宣布，采用一种新版本的高速锗硅工艺处理技术，已经试制成功世界上开关速度最快的锗硅晶体管。IBM公司称已经研制出的锗硅晶体管，其开关频率(Transit Frequency,简称Ft)可高达350GHz。这种晶体管据说比目前的器件快300%，比以前曾报道过的集成电路芯片快65%。根据该公司提供的材料，这种晶体管的性能优于用其他化合物半导体工艺(如砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)工艺)制造的器件。IBM公司宣称新的以锗硅工艺为基础的晶体管已经演示了其高速开关性能，但此技术目前仍处于研究开发阶段。该公司期望这种晶体管制造技术将会在2…     

晶体管以后是什么?

1947年美国Shockley、Brattain和Bardeen发明晶体管迄今已近60年,自1963年开发出CMOS晶体管技术也已有40年。根据Moore定律,半导体线宽将于2014年达到10纳米,接近它的物理极限。换句话说,信息社会的发动机—CMOS晶体管(工业社会的发动机是钢铁)将在15年内淡出历史。但业界目前还不确切知道用什么来取代它。美国半导体工业协会(SIA)呼吁政府出资的纳米电子研究所(NRI)在2020年前研究出CMOS的取代技术。历史表明,从科学发现到工业应用平均需要15年的时间。SIA建议在某些大学设立NRI办事处,以便领导大学和公司研究所开展的研究工作…     

一种新颖的光调制器兼光开关

美国贝尔研究所研制成功一种启动电压为4.5伏、调制带宽为数千兆赫的长波段光调制器兼光开关。它是用于波长为1.3~1.5微米的长波长光纤通信的元件，其最大特点在于同TTL(晶体管-晶体管逻辑电路)相容的启动电压低。在铌酸锂衬底上设置两条平行的钽扩散的光波导，使光在这两条波导间往复交替行进，这就是所谓调制/开关的原理。     

将用于光计算机的全光晶体管

印度Birla技术研究所的科学家研究了一一种可用于光计算机的全光晶体管。这种可执行光子功能的全光器件类似于传统的电子晶体管。将这种全光晶体管用于光子计算机来替代现今的电子计算机，可使计算机在小型化和速度方面有巨大提高，在技术方面也将获得改进，并将使科幻中的光计算变为现实。     

低导通电压的收集极朝上的Ge／GaAs异质结双极晶体管

低导通电压的收集极朝上的Ｇｅ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管日本ＮＴＴ研究所最近报道了一种收集极朝上的Ｇｅ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管，这种晶体管能满足高频低功耗工作的要求。通过采用重掺杂Ｂ的Ｇｅ基区和新开发的自对准工艺，降低了基区电阻和寄生参量，其本征基区...     

射频功率晶体管及其脉冲应用

射频功率晶体管有三种主要品种:硅场效应晶体管(FET),硅双极晶体管(BT)以及砷化镓场效应晶体管(GaAsMESFET)。本文介绍了这三种功率晶体管的国外发展水平和一些应用特点,另外着重对功率晶体管的脉冲应用作了讨论,介绍了国外的一些应用实例。     

混合信号技术造就了体积更小的电源IC

AMI Semiconductor公司(位于美国爱华达州Pocatello)通过减小高压晶体管的导通电阻RDS（on）(降幅高达25%)和提高晶体管效率的方法，而使其混合信号半导体技术得到了进一步的改善。凭借这些经过改进的晶体管性能，该技术(名为12T100 Smart Power)有望减小中高电压汽车和工业混合信号IC的外形尺寸和功耗。     

一种具有粗细调谐能力的FET VCO

<正>用微波场效应晶体管和砷化镓超突变结变容二极管组成的电压控制振荡器(简称FET VCO),具有调谐速度快,线性好,电路效率高,而且供电简单.使用南京电子器件研究所研制的场效应晶体管(WC59)和砷化镓电调变容二极管(WB62)制成的具有粗细调谐能力的FET VCO,粗调频率在C波段电调带宽600MHz,电调灵敏度的最大最小变化比小于     

英特尔在晶体管研制方面取得重大突破

英特尔设计出新款晶体管(电晶体)，这种晶体管将使微处理器的耗电更少，速度更快。     

机械电子部第十三研究所成果鉴定会及学术年会简介

<正> 一九八八年十二月二十五日机械电子部第十三研究所召开了第二十次科研成果鉴定会,会上有二十一项成果通过了专家和使用单位的设计定型鉴定,其中五项通过了部级鉴定。这五项成果是(1)四种砷化镓超高速集成电路;(2)DL36型八抽头并入串出CCD时间延迟积分器;(3)WZ531型GaAs微波振荡功率场效应晶体管;(4)CX911型GaAs微波场效应晶体管;(5)WD351型微波线性功率晶体管。在这次鉴定会上专家和使用单位的代表一致认为:这二十一项成果全是国内领先和国内先进水平,并与国际上80年代初期和中期水平相     

悬浮引线式无管壳晶体管

据报导,日本电信电话公司武藏野电气通信研究所最近研制出一种无管壳悬浮引线式晶体管(LiftedLeadTransistor)。此种晶体管的结构如下:首先,将厚度约为50微米的晶体管芯片的两个侧面,上表面的一部分及整个下表面电镀上厚度约为30微米的金层,在两个镀了金的侧面引出集电极引线,这两根引线即可以支承片子又可以作为热导通路。接着,在与集电极引线垂直的方向上引出发射极和基     

法国工程师制成超高速晶体管

法国国家电信研究中心的微电子研究所(CNET)内一支工程师队伍已成功地制成单块半导体-金属-半导体晶体管。早在二十多年前就提出用这种结构来代替常规的npn晶体管,自那时起,它一直困扰着研究者们。他们的成就是获得了用一层很薄的金属代替标准晶体管基区的器件。这样就避免了常规晶体管因基区电阻率造成的性能局限,大大缩短了电子从集电极到发射极的必要渡越时间。AT＆TBell实验室的研究人员计算过:对于优化的SMS晶体管,其理论截止频率应为30GHz左右,它甚至比GaAs器件的速度还快。从结构上讲,SMS晶体管简单得令人难以置信,钴的二硅化物薄层夹在二层较厚的硅层中。工作时,二个硅层分别作为晶体管的发射极与集电极,而把CoSi_2作为基区。     

双极晶体管ΔVbe瞬态热阻测试法精度修正

对双极型晶体管ΔVBE瞬态热阻测试法中晶体管壳温波动和测量延迟时间的误差进行了分析，提出了提高测试精度的误差修正方法．以3DK457(F0金属封装)双极晶体管为实验对象进行了研究，结果表明：晶体管瞬态热阻ΔVBE修正测试方法与红外扫描热像法和标准电学法相比较在保持较高测量精度的前提下，测试成本低，测量效率高．     

快捷半导体推出新型水平偏转晶体管

快捷半导体公司 (Fairchild Semiconductor International) 现已推出新一代水平偏转晶体管 (行管HDTR)。这种先进的双极性晶体管提高了电压，达到1500V和1700V，具有高速开关速度，适合高分辨率(high-resolution)显示器及宽屏幕电视使用。在水平偏转产品中，双极晶体管要优于IGBT，因为它成本低、开关速度高，而且没有拖尾。 这些新一代HDTR有一个薄型外延层(epitaxial layer)和一个使用中空多发射级结构的优化单元。它的电流容量大、安全操作区域更宽，而功耗更小。这些晶体管中减小了基极散布电阻，具有更宽的驱动范围，简化了水平偏转电路的设计。此外，用电子辐射进行的寿命控制可以实现统一的开关速度(一般为0.1μs)及稳定的参数分布。     

双异质结NpN GaAlAs/GaAs双极晶体管

已经研制出双异质结NpN Ga_(0.7)Al_(0.3)As/GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As双极晶体管并进行了测试,为了形成NpN双异质结,除了一个宽禁带发射极之外,又引进了一个宽禁带集电极,NpN双异质结晶体管与双极晶体管一样,能双向工作。I/V测试表明:双异质结晶体管消除了正常情况下(共发射极)的Npn宽禁带发射极GaAs/Ga_(0.7)Al_(0.3)As晶体管0.2V的导通电压。与Npn GaAs晶体管比较,晶体管的存贮时间t_s约等于NpN GaAs晶体管的一半。     

GaAs pHEMT外延层转移技术研究

<正>随着化合物半导体技术日益成熟,利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现Si CMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路/系统性能,既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。南京电子器件研究所开展了基于外延层转移技术的晶体管级异构集成方面的研究,在国内首次将1.5|im厚的76.2 mm(3英寸)GaAs pHEMT外延层薄膜完整地剥离并转移到Si衬底上(如图1所示),     

Ge_xSi_(1-x)/Si异质结器件的研制现状

介绍了应变层Ge_xSi_(1-x)/Si异质结构的生长、材料特性及其在异质结双极晶体管(HBT)、双极反型沟道场效应晶体管(BICFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)、谐振隧道二极管、负阻效应晶体管(NERFET)、毫米波混合隧道雪崩渡越时间(MITATT)二极管和光电探测器等器件中的应用状况,并指出了其发展前景。