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本发明所述显示装置包含一个阴极射线管和一个给阴极射线管提供信号的符号发生器组合,符号发生器控制电子束在阴极射线管荧光屏上描画出字母、数字、符号等。一具主偏转装置使电子束定位于阴极射线管屏面上选定的位置,然后符号发生器给符号偏转线圈提供控制信号,控制电子束在该位置上发生予定时信号。主偏转线圈和符号偏转线圈已在美专刊3337860中叙述。 相似文献
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这种新型射线管,厚16.5毫米,宽55毫米,总长133毫米。重155克,其中包括重65克的偏转线圈。平板型阴极射线管的体积为55厘米~3,作为比较,具有同等荧光屏尺寸的普通阴极射线管,体积达90厘米~3。电子枪与荧光屏平行安置,这种结构使阴极射线管厚度大为减小。电子束的水平偏转,是由阴极射线管外面的偏转线圈所产生的磁场实现的。而电子束的垂直偏转是由管内静电偏转板完成的。水平和垂直偏转角分别是58°和10°。前端的透明电极与荧光屏产生的电场使电子束转弯射向荧光屏。人们所看到的图象是由荧光屏反射光通过透明的前端电极形成的。 相似文献
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彩色电视机CRT的荧光屏上涂有如图1所示形状红、绿、蓝三种荧光体。从CRT三个阴极发射的三条电子束在扫描过程中,不管打到屏的任何地点,都要同时打到对应的荧光体上,决不能有误。例如,仅红束发射,其他二束截止,荧光屏上就出现一幅纯正的红色。所谓色纯就是在电视机中某一种基色不受其他二种基色混杂的程度。如果红束的着屏点偏移,打到红绿荧光体各一半上,红绿荧光体都发光,在荧光屏上就显现黄色。图1所示每种荧光条宽 相似文献
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CRT 在使用中,荧光体在电子束轰击下发光效率变低,被称为“烧伤”。近年来,荧光屏注入功率密度很大的投影管及高亮度显示器的应用,荧光体“烧伤”问题更显严重。各国除致力于开发发光效率高的新荧光体外,还不断研究荧光体使用中的“烧伤”原因。本文对此进行了综合分析。 相似文献
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目前,采用硫化物荧光质的一些电子束器件的荧光屏,基本上均是采用液体介质中沉淀荧光质的方法来制造。黑白显象管生产也是如此。它是利用硅酸钾(水玻璃)将荧光质微粒和玻璃以及微粒之间牢固地粘合在一 相似文献
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在条状荧光屏的涂屏制造中,需要通过曝光该蚀来形成R、G、B荧光粉条。由于 罩槽孔的间断性,荫罩槽孔间的桥遮挡光线,使屏上沿Y向的照度分布不均匀,形成周期性的照度明暗分布,造成粉条周期性的宽窄变化。这一现象行业内称为缩颈,但根据荫罩结构,选择适光长度的光源,可将缩颈降低到最小程序。本篇论文就是阐述如何借助计算机辅助设计优选光源长度的方法。 相似文献
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一般阴极射线管的荧光屏做成凹面形或平面形,其形状是规则的矩形或圆形。本文介绍了一种可做成任意形状的并制造于凸球面上的荧光屏结构及其制造方法。 相似文献
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忻华泰 《激光与光电子学进展》1980,17(10):36
最近不用影罩管而用红绿蓝三只单色阴极射线管的三管式显象管录象装置已付诸实用,人们正致力于改进图象质量,然而与磁带磁象机比起来图象质量差了。显象管录象用录象照相机对荧光屏上显示出来的图象进行再摄象,然而尽管纹细、效率高的荧光体已研制成功,但再摄象方式会因眩光等使图象质量受到限制。本文介绍的激光录象装置不是借助荧光屏而是通过红绿蓝三束激光直接将图象记录在胶片上的。就这点说,这种方法象装置形式简单、性能较好。 相似文献
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这项发明涉及的是微颗粒荧光材料的制备方法。这类荧光材料适合用在飞机驾驶舱中和彩色投影电视系统中的高亮度、高分辨率阴极射线管的荧光屏上。飞机驾驶舱和彩色投影电视系统中的彩色阴极射线管必须具 相似文献
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对适用于象增强器或者小型阴极射线管的高分辨率荧光屏进行研究时,通常需要将荧光屏与电子光学系统分开,单独测量荧光屏的调制传递函数。由于电子激发在实际测量中是必不可少的,所以,如果需要测量大量的荧光屏,就需要一种可拆卸的真空系统。将一台扫描电子显微镜与一台标准的调制传递函数测量设备组合起来,就可以满足上述要求。荧光屏位于扫描电子显微镜的取样室,一条不足2μm宽的线条被扫描电子显微镜的聚焦电子束激发,只朝着线条方向偏转。荧光屏的结构将线条质量降低,用特制的光学系统把降低了质量的线条的图象从扫描电子显微镜输送到调制传递函数分析仪。本文对确定这种系统响应的测量方法和各种荧光屏的测量结果一一作了说明。 相似文献
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以14cm高分辨率黑白显示管为例,分别从材料和工艺两方面改善显示管荧光屏抗灼伤性能,提高荧光材料在电子束轰击下的稳定性和改善荧光体的散热环境等。 相似文献
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电子束曝光是研制亚微米线宽VLSI的重要手段,虽然电子束机本身可达100(?)或更高的分辩率,但入射电子在胶和衬底中的散射却使曝光分辨率降低到微米级,这说明电子束入射后的能沉过程及沉积能的分布是影响曝光分辨率的关键因素。本文利用多层介质中电子散射的Monte-Carlo计算模型计算了不同条件下的能沉过程,提示并使用了三维接近函数来描述胶中沉积能的分布规律,研究了曝光条件对沉积能分布的影响,文中并给出表示电子空间输运过程的矩阵递推式,使散射过程描述更加完善和简化,以便能更好的应用于电子束曝光的邻近效应校正和曝光条件的优化中。 相似文献
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电子束曝光的Morte Carlo模拟 总被引:3,自引:0,他引:3
建立一个更为严格地描述电子散射过程的物理模型,运用Monte Carlo方法模拟高斯分布电子束在靶体PMMA-衬底中的散射过程,研究不同曝光条件对沉积能密度的影响,获得的沉积能分布规律是:有利于降低邻近效应的高束能、薄胶层,提高曝光分辩率。 相似文献