金-硅共晶焊工艺应用研究

在混合集成电路中,对芯片的贴装多采用导电胶粘接工艺,但是由于其电阻率大、导热系数低和损耗大,难以满足各方面的要求;另一方面导电胶随着时间的推移会产生性能退化,难以满足产品30年以上长期可靠性的要求。而对于背面未制作任何金属化或仅仅制作了单层金的硅芯片又难以采用常规的焊接工艺进行贴装。介绍了一种硅芯片的贴装工艺金-硅共晶焊工艺,并对两种主要失效模式和工艺实施过程中影响质量的因素以及解决办法进行了论述。     

混合电路基板与外壳的共晶焊技术

文章简要介绍了混合电路基板与外壳共晶焊的几个关键工艺步骤,其中包括共晶焊设备的选用、焊料的选择、夹具的设计制作、共晶温度曲线的设置以及共晶实验等。文章对实现多芯片共晶同样具有一定的指导意义。     

厚膜基板上芯片共晶焊研究

本文介绍了厚膜HIC中芯片与基板共晶焊研究的主要内容和研究结果，阐明了为保证共晶焊质量所应采取的工艺控制方法和措施。     

薄膜基板芯片共晶焊技术研究

共晶焊是微电子组装技术中的一种重要焊接工艺,在混合集成电路中得到了越来越多的应用。文中简要介绍了共晶焊接的原理,分析了影响薄膜基板与芯片共晶焊的各种因素,并且选用Ti/Ni/Au膜系和AuSn焊料,利用工装夹具在真空环境下通入氮、氢保护气体的方法进行薄膜基板芯片共晶焊技术的研究。     

薄膜基板芯片共晶焊技术研究

共晶焊是微电子组装技术中的一种重要焊接工艺,在混合集成电路中得到了越来越多的应用。文章简要介绍了共晶焊接的原理,分析了影响薄膜基板与芯片共晶焊的各种因素,并且选用Ti/Ni/Au膜系和AuSn焊料,利用工装夹具在真空环境下通入氮、氢保护气体的方法进行薄膜基板芯片共晶焊技术的研究。试验证明:焊接基板金属化Au层厚度1.5μm,焊接压力为2kPa,焊接温度330℃,时间30s可有效地使空洞面积控制在10%以下。并在150℃高温贮存以及-65℃~150℃温度循环后对共晶焊接样品的剪切强度和接触电阻进行了试验。在可靠性试验后,样品的剪切强度满足GJB548B-2005的要求,接触电阻变化率小于5%。     

模压混合集成电路封装技术

AT&T公司在开关、信号传输产品中大量使用了混合集成电路,以提高集成度和可靠性,简化大系统的组装和测试。AT&T公司的新系统产品将采用一些I/O接头比现行设计多得多的混合集成电路,这些电路主要采用表面组装形式封装。我们正在为这些新的混合IC应用开发符合JEDEC标准的塑封系列产品。我们提供的混合IC在封装的外形和性能上都与分立IC相同,希望我们的用户能得到较大的好处。由于可用一些标准CAD库来确定部件布位、布线、焊接点尺寸和封装的电气特性,因此、系统设计可得到简化。由于可用工业标准设备进行电气测试、元件安放、回流焊、清洗和检查,因此可提高工艺性。总之,整个系统的可靠性得到了提高,因为在制造电路板时使用了标准元件、设备和优化工艺。AT&T公司还研究了68和124引线、1.27mm间距和132引线、635um间距的四方形封装的机械可靠性。结果表明,这三种封装都能承受几百次-40℃～+130℃的温度循环试验,而机械性能没有下降。目前正在做进一步的工作,就这些封装在厚薄膜金属化、厚薄膜、电阻、CBIC和CMOS丝焊IC、芯片电容和电阻、厚膜穿接、多层聚合物介质等方面进行全面考核。     

混合集成电路技术发展与展望

混合集成电路(HIC)作为微电子领域的一个重要分支,它的发展得益于军事电子装备的高性能、多功能、小型化和高可靠的要求.文章概要介绍了HIC技术和产品发展现状,简要分析了国内外HIC技术和产品存在的差距,展望了HIC未来发展趋势,最后提出发展我国HIC的目标和建议.     

34Mb／s厚膜混合集成光中继器的研制

本文介绍了一种３４Ｍｂ／ｓ混合集成光中继器的设计与制造。光中继器包含有四个混合厚膜集成组件：集成在１０×１５ｍｍ２陶瓷基片上、封装于６脚金属管壳内的光接收前置放大器组件（模块）；制作在２６×３７ｍｍ２的陶瓷基片上、并封装于４８脚金属管壳内的ＡＧＣ与主放大器模块；制作在１５×２７ｍｍ２的陶瓷基片上、再封装于２４脚金属管壳内的定财提取模块以及制作在１０×１５ｍｍ２陶瓷基片上的ＬＥＤ驱动模块。光中继器接收灵敏度小于－３４ｄＢｍ（误码率１０－９），眼图清晰，整机尺寸为１４５×７６×４４ｍｍ３。     

集成电路的防雷保护

随着电子技术的快速发展，电子设备运用越来越广泛，同时，因为雷击而导致电子设备损坏的问题也越来越严重。本文将分析电子设备中集成电路的防雷保护问题，探讨电子设备的防雷要点，对防雷器件进行比较，并分析如何选择防雷器件。     

厚膜混合集成电路可靠性技术

总结了混合集成电路的主要失效模式,在此基础上,主要从混合集成电路的设计和工艺两方面分析了其产生的原因,通过设计、工艺、原材料和元器件等方面采取对策和措施,达到提高混合集成电路可靠性的目的.     

薄膜混合集成电路关键电阻的确定方法

利用电路的计算机仿真技术对薄膜混合集成电路进行数／模仿真，确定其关键电阻，以便于薄膜多层布线版图设计时对元器件进行合理布局。并对电路的功能微调提供指导。     

功率集成电路的发展概况

本文简要叙述高压集成电路、智能功率集成电路等功率集成电路的工艺、结构、特性以及它们的应用领域和应用实例。     

集成电路的检测方法

电子技术的发展.使集成电路的应用越来越广.那么,这对电子电路的检修与排除故障带来了一定的困难,因此,在检修电路时,就会遇到检测集成电路的问题.     

模拟集成电路的测试与故障检测技术

本文综述了模拟集成电路的测试及故障检测等有关问题，首先介绍面向性能的测试方法，然后讨论故障模型和面向故障的测试方法，在介绍了模拟集成电路的可测性设计技术之后，讨论了利用电源监测进行故障检测的方法。     

基于高压BCD工艺的内集成自举电路

设计了一款基于高压BCD工艺的内集成MOS自举电路,将其应用于高压集成电路(HVIC)。对传统的内集成MOS自举电路进行改进,该改进版内置MOS自举电路集成升压控制模块,实现在HVIC通电后屏蔽HVIC输入信号,并通过集成的升压电路将自举电容电压充到预期值,解决了以往使用传统的内置MOS自举功能时,因充电速度慢、充电电压低所导致的触发HVIC欠压保护和电器频繁停机问题。基于SMIC 3μm BCD工艺对所设计的自举电路的HVIC进行流片验证。测试结果表明,升压电路将HVIC供电电压从15 V升高至16.4 V,自举电容电压可达到预期值,同时实现了替代外接自举二极管或通过SOI工艺内置自举二极管的自举功能。