La位Y掺杂对亚锰酸盐La0.7 Sr0.3 MnO3低场磁电阻影响

针对钙钛矿亚锰酸盐在较低磁场下的磁电阻效应,采用固相反应法制备了亚锰酸盐多晶样品La_(0.7-x)Y_xSr_(0.3)MnO_3(x=0, 0.1, 0.2),测量了两个样品(x=0, 0.2)的X射线衍射谱及3个样品(x=0, 0.1, 0.2)在未加磁场和加0.25 T磁场的电阻-温度(R-T)曲线和磁电阻-温度(MR-T)曲线,分析了La位Y掺杂对样品低场磁电阻效应的影响。实验结果表明,样品La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3的晶体结构由立方结构向四方结构畸变,样品La_(0.5)Y_(0.2)Sr_(0.3)MnO_3为立方结构。随着La位Y掺杂量从x=0增加到x=0.2,晶格常数减小。在实验温区内,3个样品的R-T曲线没有出现金属-绝缘体转变峰,呈现出金属电阻温度特性。在相同的温度下,3个样品在加磁场时的电阻比未加磁场时的电阻要小,表现为负磁电阻。3个样品的MR-T曲线没有出现峰值温度T_P,磁电阻的大小随温度的降低而增加。在0.25 T磁场下,3个样品在实验温区都具有明显的低场磁电阻效应。为钙钛矿亚锰酸盐在磁电子学领域的应用研究提供了重要参考。     

亚锰酸盐La0.7-xCexCa0.3MnO3的磁电阻效应

用固相反应法制备亚锰酸盐La0.7-xCexCa0.3MnO3系列多晶样品(量分数x＝0,0.05,0.10,0.15,0.20),并在零磁场和0.3T磁场下研究了电阻和磁电阻与温度(77～300K)的关系.结果发现随x的增加,样品的巨磁电阻效应减弱,磁电阻峰有所扩宽,磁电阻峰值出现的温度比无掺杂相对提高了约14K.     

亚锰酸盐La0.7-xCexCa0.3MnO3的磁电阻效应

用固相反应法制备亚锰酸盐La0.7-xCexCa0.3MnO3系列多晶样品(量分数x＝0，0．05，0．10，0．15，0．20)，并在零磁场和0．3T磁场下研究了电阻和磁电阻与温度(77-300K)的关系．结果发现：随x的增加，样品的巨磁电阻效应减弱，磁电阻峰有所扩宽，磁电阻峰值出现的温度比无掺杂相对提高了约14K．     

亚锰酸盐La0.7—xYcCa0.3MnO3的电磁特性和磁电阻效应

研究了用固相反应法制备亚锰酸盐多晶样品La0.7-xYcCa0.3MnO3，并研究了Y的不同掺杂（x=0.1,0.2），对样品的晶体结构，电磁特性和磁电阻效应的影响。实验结果表明，随着温度的降低，X＝0．1样品的R－T曲线没有出现峰值，而x=0.2样品出现了峰值，显示了复杂的输运特性，而种样品的磁电阻Rm都随着温度的降低而升高，但都没有出现出值。X＝0．2的样品在较宽的温区内，磁电阻效应都很显著，而且Y掺杂由x=0.1提高至x=0.2，磁电阻效应增强。     

亚锰酸盐La0.7-xYxCa0.3MnO3的电磁特性和磁电阻效应

研究了用固相反应法制备亚锰酸盐多晶样品La0.7-xYxCa0.3MnO3,并研究了Y的不同掺杂(x=0.1,0.2)对样品的晶体结构、电磁特性和磁电阻效应的影响.实验结果表明,随着温度的降低,x=0.1样品的R-T曲线没有出现峰值,而x=0.2样品出现了峰值,显示了复杂的输运特性.两种样品的磁电阻Rm都随着温度的降低而升高,但都没有出现峰值.x=0.2的样品在较宽的温区内,磁电阻效应都很显著,而且Y掺杂由x=0.1提高至x=0.2,磁电阻效应增强.     

亚锰酸盐La0.7-xYxCa0.3MnO3的电磁特性和磁电阻效应

研究了用固相反应法制备亚锰酸盐多晶样品La0.7-xYxCa0.3MnO3,并研究了Y的不同掺杂(x=0.1,0.2)对样品的晶体结构、电磁特性和磁电阻效应的影响.实验结果表明,随着温度的降低,x=0.1样品的R-T曲线没有出现峰值,而x=0.2样品出现了峰值,显示了复杂的输运特性.两种样品的磁电阻Rm都随着温度的降低而升高,但都没有出现峰值.x=0.2的样品在较宽的温区内,磁电阻效应都很显著,而且Y掺杂由x=0.1提高至x=0.2,磁电阻效应增强.     

多晶La0.49Sr0.51(Mn1-xNbx)O3的磁电阻研究

采用四探针法测量多晶La0.49Sr0.51(Mn1-xNbx)O3(x=0,0.05,0.15和0.25)在磁场下的电阻率温度曲线.实验结果显示:①在0.45T磁场下,对于x=0和x=0.25的样品,几乎观察不到磁电阻(Magnetoresistance,MR)效应,而对于x=0.05和x=0.15的样品,磁电阻效应较明显.这种差异可能与样品中铁磁相是否占主导作用有关;②比较x=0.05和x=0.15这两种样品的MR机制,前者可能与载流子在弱连接晶界上的自旋相关散射有关,且其主要是非本征的;而后者主要是本征的.     

Ti掺杂对La1.2Ca1.8Mn2-xTixO7磁电阻的影响

研究层状钙钛矿结构锰氧化物 La1 .2 Ca1 .8Mn2 - x Tix O7( x=0 .0 0 ,0 .0 5,0 .1 0 )块状样品磁电阻性质 ,发现 Mn位掺杂 Ti4 离子使材料电阻率上升 ,电阻率峰值温度 Tp 降低 ,Tp 附近及低温下磁阻增加 ;当 x=0 .1 0时 ,材料在所测温区表现为类绝缘态 ,但在 H=0 .5T外场下可观察到场致的金属 -绝缘体转变 ,同时获得磁电阻 ( MR=〔ρ( H) -ρ( 0 )〕/ρ( 0 ) )高达 -4 3 %。对以上结果的解释应是同时考虑在层状钙钛矿材料内的各向异性交换作用和因磁结构被破坏而产生的具有不同磁相关长度的区域的共存     

Sr离子含量的减少对于La0.60Sr0.25Na0.15Mn3材料性能的影响

利用溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了稀土锰氧化物多晶样品La0.60Sr0.25-xNa0.15MnO3发现随着Sr离子含量的减少,样品在室温附近庞磁电阻效应有了明显的改善.在1.8 T的磁场下,对于x=0.05的样品,其CMR值在240～320 K的温区范围内均保持在5.3%(±0.2%),温度稳定性有显著改善.     

Sr离子含量的减少对于La0.60Sr0.25Na0.15MnO3材料性能的影响

利用溶胶-凝胶法（sol-gel）制备了稀土锰氧化物多晶样品La0.60Sr0.25-xNa0.15MnO3,发现随着Sr离子含量的减少,样品在室温附近庞磁电阻效应有了明显的改善。在1.8 T的磁场下,对于x=0.05的样品,其CMR值在240~320 K的温区范围内均保持在5.3%（±0.2%）,温度稳定性有显著改善。     

Sm替代对DyMn6Ge6化合物磁性和磁电阻效应的影响

利用X射线衍射和磁化强度测量，研究了Dy1-x，SmxMn6Ge6（x=0．2～1．0）化合物的磁性和输运性质。结果表明：x≤0．4的样品主要由HfFe6Ge6型相构成；0．6≤x≤1．0的样品主要由YCo6Ge6型相构成。样品的点阵常数和单胞体积随着Sm含量的增加而增大，随着Sm含量的增加，样品发生反铁磁-亚铁磁-铁磁性转变。x=0．2，0．4的样品为反铁磁性，其夸尔温度分别为425，430K，并在50K下发生二次磁相转变。x=0．6，0．8，1．0的样品在整个磁有序温度区间，其磁性由亚铁磁过渡为铁磁性，其居里温度分别为445，450，454K。x=0．6的样品在磁场高达5T下的磁电阻曲线上的拐点可能是由于磁场对费米面的影响，也可能是由于磁矩和洛仑兹力对传导电子散射作用之间竞争的结果。     

多晶La0.85Na0.17MnOz晶界间自旋相关的输运性质

实验研究了晶粒间弱连接和致密连接的La0.85Na0.17MnOz多晶样品的电磁性质,发现弱连接的样品和致密连接的样品在居里温度以下的输运性质显著不同,弱连接的样品从居里温度到77 K在低场下具有较大的磁电阻,而致密连接的样品在低温的磁电阻几乎为零.结合低温下的电阻率与外磁场的关系,可以得出,晶粒间的自旋相关的隧道效应对低温的低场磁电阻起着重要作用.     

多晶La0.85Na0.17MnO2晶界问题自旋相关的输运性质

实验研究了晶粒间弱连接和致密连接的La0.85Na0.17MnO2多晶样品的电磁性质。发现弱连接的样品和致密 连接的样品在民里温度以下的输运性质显著不同，弱连接的样品从居里温度到77K在低场下具有较大的磁电阻，而致密连接的样品在低温的磁电阻几乎为零，结合低温下的电阻率与外磁场的关系，可以得出，晶粒间的自旋相关的隧道效应对低温的低场磁电阻起着重要作用。     

钙钛矿锰氧化物La_(0.9)Sb_(0.1)MnO_3电子自旋共振谱的研究

制备了电子掺杂钙钛矿锰氧化物庞磁电阻材料La0.9Sb0.1MnO3,并在不同温度测量了La0.9Sb0.1MnO3的电子自旋共振谱.观察到La0.9Sb0.1MnO3体系存在相分离现象,实验证明,这种电子掺杂的锰氧化物具有复杂的磁结构,随温度升高样品逐渐由铁磁态向顺磁态转变,在220～260K的过渡温区,样品的磁状态最复杂,存在铁磁、顺磁多个磁相共存的现象.通过分解电子自旋共振的积分吸收谱,分析了La0.9Sb0.1MnO3样品磁性随温度的演变过程,并讨论了电子掺杂锰氧化物的磁不均匀性和相分离现象.     

Cu掺杂对 Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响

研究了Cu掺杂对Fe/Si多层膜的层间耦合和负磁电阻效应的影响。在用磁控溅射方法制备的Fe/Si多层膜中,发现在Si的标称厚度tSi =1.9nm附近存在一较强的反铁磁耦合（AFM）峰和与之相对应的负磁电阻峰,在Si层中掺入6％的Cu后,发现反铁磁耦合峰的饱和场显著降低,峰宽变窄,峰位略向较厚方向移动。掺杂后磁电阻峰的宽和峰位变化与AFM峰相似,而磁电阻峰值则略有下降,在液氮温度T＝77K下,掺杂前后具有负磁电阻效应的多层膜样品阻率都降低,而磁电阻效应和饱和场均增大,实验结果表明,用磁控溅射方法制备的Fe/Si多层的层间耦合机制和磁电阻效应的机制与磁性金属／非磁金属多层膜的层间耦合及磁电阻效应的机制是一致的。     

铁磁性Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物的正磁电阻效应

对天然多层膜材料Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物（441K以下为铁磁性）磁电阻和热容进行了测量,结果表明,使用50kOe的外磁场,Er0.2Sm0.8Mn6Ge6化合物的磁电阻值在45K以下为正,随着温度的降低,磁电阻逐渐增大,最大磁电阻达5．89％。本文对于铁磁体中出现正磁电阻给出了解释。     

水热合成La1-x-yCayAxMnO3的磁热性能

采用水热合成法制取了钙钛矿型La1-x-yCayAxMnO3(A为Sr或Ba)化合物粉末.在1.4 T的磁场下,利用自制的ΔTad-T曲线测量仪测得其磁热效应,发现A离子的掺杂量x会使居里温度TC增加.依据拟合的曲线规律,控制化合物的成分,制得室温附近不同掺杂的镧锰氧化合物样品,估算的居里温度与实测值接近.     

半掺杂铋基锰氧化物的磁相变和输运性质

为了探测电荷有序锰氧化物中自旋动力学、短程磁相互作用及微观磁相的形成,文中通过磁化强度、电子自旋共振和电阻研究了半掺杂铋基锰氧化物Bi0.5Ca0.5MnO3的磁相变和输运性质.研究结果表明:高温顺磁区域存在铁磁自旋团簇,及"瓶颈"自旋-晶格相互作用;在电荷有序态,伴随着轨道有序的增强,反铁磁相互作用逐渐增强并占优势,反铁磁相变温度发生在奈耳温度(TN=125K).由于铁磁有序和反铁磁有序的竞争,在自旋冻结温度(Tf=35K)附近发生自旋玻璃转变.电阻表现为半导体导电行为,并在电荷有序相变温度出现电阻突变.电阻数据符合Mott可变程跃迁模型,在TN出现斜率的变化,这与自旋相关的输运机制有关.Bi0.5Ca0.5MnO3中的反铁磁和电荷有序相变伴随着铁磁和反铁磁电荷有序相的激烈竞争.     

La_(0.65)Sr_(0.35-x)Na_xMnO_3的磁卡效应

采用溶胶-凝胶技术制备了钙钛矿型稀土锰氧化物La0.65Sr0.35-xNaxMnO3(x=0.05,0.10,0.15),利用X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)对样品的结构、居里温度和磁卡效应进行了研究。结果表明,随着Na含量的增加,晶胞体积减小,居里温度提高,当x=0.15时,La0.65Sr0.35-xNaxMnO3的最大磁熵变达到了1.66 J/(kg.K)。     

La_(0.65)Sr_(0.35-x)Na_xMnO_3的磁卡效应

采用溶胶-凝胶技术制备了钙钛矿型稀土锰氧化物La0.65Sr0.35-xNaxMnO3(x=0.05,0.10,0.15),利用X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)对样品的结构、居里温度和磁卡效应进行了研究。结果表明,随着Na含量的增加,晶胞体积减小,居里温度提高,当x=0.15时,La0.65Sr0.35-xNaxMnO3的最大磁熵变达到了1.66 J/(kg.K)。