三氯化铁蚀刻液的蚀刻能力研究

研究了三氯化铁蚀刻液对铁镍合金的蚀刻能力,通过对比实验,得出三氯化铁蚀刻液的最佳刻蚀温度为40℃,40℃时,20 mL蚀刻液的最大蚀刻速度为0.021 mg·min-1·mm-2；达到有效蚀刻量46.39 g/L时,蚀刻速度为0.009 4 mg·min-1·mm-2；达到最大蚀刻量58.79 g/L时,蚀刻速度为0.002 46mg·min-1·mm-2.     

玻璃蚀刻机理研究

通常建筑用白色玻璃需要制作一些如山水画,花鸟鱼虫,著名书画和名人题词等用于装饰.大规模制作可用机械和玻璃喷沙加工工艺.对于那些产量不大,图案不断变化的地方选用化学蚀刻方法最好.将蚀刻制成油墨状进行丝网印刷可以得到所有需要的图案.     

高纯度蚀刻气体的开发和生产

关东电化工业（株）是以生产金属镁和烧碱为目的，1938年成立的公司。战后金属镁淘汰后，一直生产以烧碱为主的无机工业化学品195O年起，利用食盐电解生成的C12，开始生产含氯有机溶剂（三氯乙烯、四氯乙烯、1，l，亚一三氯乙烷）等。197o年在日本首次成功地进行工业性的氟气生产，并开始提供以SF。为主的各种含氟产品。另外，SO年代开始，由于半导体产业高集成化的急剧加速，要求用主纯度的氟化物气体作为蚀刻剂来取代以往的HF，关东电化对应于这种需要，用独特的生产方法，不断成功地开发高纯度蚀刻刑并商品化。这产品如表1所示，其特…     

不锈钢蚀刻速率影响因素研究

研究了蚀刻液中FeCl3、HCl及HNO3的质量浓度以及温度对1Cr18Ni9Ti钢蚀刻速率的影响。实验结果表明,FeCl3质量浓度的增加可以提高蚀刻速率以及蚀刻液的稳定性;蚀刻速率随HCl质量浓度的增加先升高后降低;HNO3质量浓度和温度的增加都可以提高蚀刻速率。     

碱性蚀刻废液再生新方法研究

采用碱性蚀刻废液中直接通入氨气的方法,从废液中回收Ｃｕ（ＮＨ３）Ｃｌ２。对影响回收率的因素：通氨时间、ＮＨ４Ｃｌ的加入量以及反应温度作了探讨,找到了最佳工艺条件。分析了母液的组成,再生方法及Ｃｕ（ＮＨ３）４Ｃｌ２的再利用途径。     

柔性ITO导电薄膜蚀刻痕消除工艺

主要介绍柔性ITO导电薄膜蚀刻痕消除工艺,分析薄膜膜系结构设计和主要影响其蚀刻痕的因素。     

零件电化学蚀刻工艺探析

电化学蚀刻广泛应用于航空领域各种零件的永久性标识,如果字迹不合格,进行返修时,很容易出现重影或越界腐蚀等质量问题,因此提高电化学蚀刻工序一次合格率特别重要。通过实际蚀刻过程中的探索实验,分析了影响电蚀刻质量的主要因素,并提出了解决办法。     

装饰不锈钢管材的快速电化学蚀刻

不锈钢管材以其良好的机械加工性能、耐腐蚀性、明亮的光泽等 ,在室内外建筑装饰方面的应用日趋增多。随着人们文化素养、生活水平的提高 ,目前多采用带有艺术图案的不锈钢管材。在不锈钢表面蚀刻艺术图案 ,传统的方法是化学蚀刻法。即在其表面涂盖一层耐腐蚀保护层 ,用物理法刻出所需的线条图案 ,将其侵入化学腐蚀液中进行蚀刻。由于不锈钢有较好的耐腐蚀性 ,化学反应速率很慢 ,需要较长时间反复腐蚀。这样就易产生掩膜下的横向腐蚀 ,而且效率低、成本高。电解蚀刻法可有效解决上述问题 ,是一种高速、高效的金属蚀刻方法。1　基本原理电化…     

酸性蚀刻剂的开发与应用

本文介绍一种在印制板生产中使用的氯酸盐型蚀刻铜再生剂及其工作原理。     

碱性蚀刻盐的研制

介绍了一种在现代印制板生产中使用的碱性蚀刻盐及其工作原理。     

新型快速电路板用液体蚀刻剂

近年来世界各国电子行业的发展很快，据初步统计仅我国每年就需蚀刻剂的用量近１００kt，但传统蚀刻剂大多采用氯化铜类和氯化铵类固体产品。此类产品在蚀刻中要求温度较高，而且对铜和铝的蚀刻时间也较长，因此造成蚀刻成本高等不足。为解决上述问题，由武汉现代工业技术研究院最新研究成功了一种新型快速液体蚀刻剂技术，该技术经多家企业试用均达到很好的效果，并证实了该产品具有蚀刻速度快，成本低于传统蚀刻３５％左右。该产品主要用于印制电路板铜和铝的蚀刻，其主要特点有；通过减少侧蚀，改进焊重融及可焊性，获得更好质量的印制板…     

日本纳米芯片加工用含氟蚀刻剂

大金公司已经成为世界上第一家开发出低成本、大批量生产含氟蚀刻和清洁溶剂的生产工艺，产品用于纳米线宽的半导体。Osaka公司计划于2003年11月启动全球生产方案。     

TC18钛合金电化学蚀刻标记新工艺研究

针对TC18钛合金零件电化学蚀刻标记深度不满足0.08 mm~0.13 mm要求的生产现状,引入新牌号蚀刻液MA04、T10和新牌号蚀刻纸DIG-3100、LST6010,对TC18钛合金进行电化学蚀刻标记工艺研究。结果表明,使用蚀刻液MA04、T10和蚀刻纸DIG-3100、LST6010后,标记深度及清晰度均满足要求,具有一定的应用和推广价值。     

硫酸／过氧化氢蚀刻工艺

１　引言　　距今已有１５个年头了,硫酸过氧化氢蚀刻工艺在缓慢地发展着。就其中原因,并非此种工艺不优越。实验证明该工艺具有如下优点：适应各种抗蚀层;蚀刻速度快,一般蚀刻速度为２０～４０μｍｍｉｎ,有的高达８０μｍｍｉｎ;溶铜容量相当大,其值可达８０～１１６ｇＬ。笔者测试可达１４３ｇＬ;蚀刻系数大,蚀刻质量高。在通常情况下,蚀刻系数为１∶１,国外曾报道为１．１～３．０之间。作者研制的蚀刻液蚀刻系数一般在１．４３～３．３３之间［１］。回收再生简便。该体系的废液只含有水和硫酸铜。只要将废液进行…     

从含铜蚀刻废液中回收硫酸铜

采用酸性蚀刻液与碱性蚀刻液混合中和沉淀铜的方法生产硫酸铜。试验结果表明，最佳工艺条件为：中和反应pH=6～7，酸解反应每100g滤渣消耗95％(质量分数)硫酸30mL，硫酸铜产率为84％，纯度为96％。混合沉淀铜后滤液中仍含有大量的氯化铵和少量的二价铜离子，实验采用水合肼还原除铜，回收滤液用于配制新的蚀刻液。水合肼还原除铜工艺条件：pH为8，滤液与水合肼体积之比为100：3，二价铜离子的去除率达到96．8％。该工艺简单可行，操作方便，成本低，是一种处理印制电路板(PCB)企业蚀刻废水、回收铜的有效方法，有一定的应用价值。     

感光法玻璃蚀刻工艺

本文对感光法玻璃蚀刻工艺进行研究，提出该方法的工艺特点及注意事项。