同质及异质外延生长InSb中可控的p型和n型掺杂

本文对在ＩｎＳｂ及ＧａＡｓ衬底上用分子束外延生长的ＩｎＳｂ分别以Ｂｅ和Ｓｉ作ｐ型和ｎ型的掺杂作了研究。当衬底温度超过３４０℃时，利用二次离子质谱技术，在ＩｎＳｂ衬底上生长时，发现Ｂｅ向表面有反常迁移现象。而在ＧａＡｓ衬底上生长的掺Ｂｅ的ＩｎＳｂ薄膜中未发现这种迁移。在掺Ｓｉ的ＩｎＳｂ膜中也未发现掺杂剂的再分布现象。ＩｎＳｂ中Ｂｅ的掺杂效率约是ＧａＡｓ中的一半，若想使Ｓｉ在ＩｎＳｂ中的掺杂效率达到其在ＧａＡｓ中的掺杂效率，在整个生长过程中，需将衬底温度维持在＜３４０℃。利用低温生长技术，可生长出呈现二维电子气体特性的Ｓｉ△－掺杂结构。     

InP基InAlAs—InAs HEMT

对ＩｎＡｓ沟道ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓ高电子迁移率晶体管材料及器件的设计和器件制作工艺进行了研究，器件样品性能良好，１μｍ栅长ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓ ＨＥＭＴ器件的最大跨导３００Ｋ时达到２５０ｍＳ／ｍｍ。这是国内首次研制成功的ＩｎＡｓ沟道ＨＥＭＴ器件。     

InP基InAlAs-InAs HEMT

对ＩｎＡｓ沟道ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓ高电子迁移率晶体管材料及器件的设计和器件制作工艺进行了研究，器件样品性能良好，１μｍ栅长ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓＨＥＭＴ器件的最大跨导３００Ｋ时达到２５０ｍＳ／ｍｍ。这是国内首次研制成功的ＩｎＡｓ沟道ＨＥＭＴ器件。     

InAs薄膜Hall器件的材料生长与特性研究

本文在国内首次报道了利用ＩｎＡｓ外延薄膜制作霍尔器件，通过分子束外延技术在ＧａＡｓ衬底上生长的ＩｎＡｓ薄膜具有较高的迁移率和较好的温度特性．用这种材料制作的霍尔器件在每千欧姆内阻条件下灵敏度与ＧａＡｓ平面Ｈａｌ器件相比提高了５０％．     

采用缓变In_xGa_（1－x）As沟道的高性能δ掺杂GaAs／In_xGa_（1－x）As PHEMT

采用缓变Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ沟道的高性能δ掺杂ＧａＡｓ／Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ　ＰＨＥＭＴ近来，ＩｎｘＧａ；－ｘＡｓ三元合金已被公认为高电子迁移率晶体管有前途ｆ的沟道材料，因为它的有效质量较小，Ｆ一Ｌ间隙较大。据（（ＩＥＥ．Ｄ．Ｌ．）１９９...     

高电子迁移率晶体管新结构

介绍了通过插入ＩｎＡｓ层到ＩｎＧａＡｓ沟道中，改善了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的性质，合适的ＩｎＡｓ层厚度和准确的插入位置会使在３００Ｋ时此结构的ＨＥＭＴ比普通结构的ＨＥＭＴ的迁移率和电子速度分别提高３０％和１５％。     

InGaAs/GaAs量子阱双光束发光研究

本文报道采用双光束光致发光手段研究Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ本征样品及４种不同位置δ掺杂样品．观察到了由ＨｅＮｅ激光导致的激光强度随附加的第二束激发光（白光）强度变化而演变的现象．实验结果显示,未掺杂样品的光致发光增量较大;单边、双边掺杂样品的光致发光强度变化趋势一致;而阱中中心掺杂、界面掺杂样品随着白光强度的增强出现饱和趋势．应用光生载流子从表面到阱中在不同样品中的输运过程和辐射复合与非辐射复合的机制解释了上述现象     

δ掺杂的赝配HEMTAlGaAs／InGaAs／GaAs结构的光电流谱

本文首次报道了δ掺杂的赝配高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴＳ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ的光电流谱研究．实验观察到了ｎ＝１重空穴子带到ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带的激子吸收峰以及ＧａＡｓ本征吸收相位变化所引起的光电流结构，并对光电流谱随温度和偏压变化的行为进行了讨论．     

InP基增强型HEMT

据《ＣｏｍｐｏｕｎｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ》１９９９年第１期报道,Ｉｌｌｉｎｏｉｓ大学、ＮｏｔｒｅＤａｍｅ大学、Ｂｅｌｌ通信研究公司分别报道ＩｎＰ基高性能的Ｅ－ＨＥＭＴ。器件在半绝缘ＩｎＰ衬底上用ＭＯＶＰＥ生长Ｅ－ＨＥＭＴ材料,其结构是：缓冲层为Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ,沟道为２０ｎｍ未掺杂的Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ,５ｎｍ未掺杂的Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８ＡｓＩｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ隔离层,Ｓｉδ平面掺杂和１２ｎｍ未掺杂Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ肖特基层。器件用隐埋Ｐｔ栅制作,…     

δ掺杂的赝形HEMTs AlGaAs／InGaAs／GaAs傅里叶变换光致发光光谱

本文首次报道了δ掺杂的赝形高电子迁移率晶体管结构（ＨＥＭＴｓ）Ａｌ０．３０Ｇａ０．７０Ａｓ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ／ＧａＡｓ中的傅里叶变换光致发光光谱．观察到了ｎ＝１电子子带和ｎ＝２电子子带到ｎ＝１重空穴子带的强发光峰以及ｎ＝２电子子带到浅受主的弱发光峰，由于费米能级处在高于ｎ＝２电子子带的位置上，没有观察到属于费米边的发光峰，证实了理论上所预言的δ掺杂ＨＥＭＴＳ系统具有转移效率高的优点．     

InAs自组织生长量子点超晶格的电学性质

我们利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了一系列ＩｎＡｓ自组织生长的量子点超晶格样品，确认样品中存在体ＧａＡｓ缺陷能级ＥＬ２和ＩｎＡｓ量子点电子基态能级．测得１．７和２．５原子层ＩｎＡｓ量子点电子基态能级相对于ＧａＡｓ的导带底分别为１００ｍｅＶ和２１０ｍｅＶ，量子点电子基态的俘获势垒分别为０．４８ｅＶ和０．３０ｅＶ．     

GaAs／AlGaAs单量子阱中界面粗糙度散射

对三种不同生长条件、不同质量的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱进行了输运性质和光致发光谱的研究．在低迁移率的样品中，界面粗糙度对二维电子气的散射起主导作用．我们的研究也表明了：采用（ＧａＡｓ）４／（ＡｌＡｓ）２超晶格代替常规的ＡｌＧａＡｓ层，或在异质结界面生长过程中的停顿，都能有效地减少界面粗糙度．     

单片集成MSM／HEMT长波长光接收机

本文介绍了利用ＩｎＧａＡｓ金属－半导体－金属（ＭＳＭ）长波长光探测器与ＩｎＡ１Ａｓ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）单片集成来实现长波长光接收机的材料和电路设计、工艺途径等研究工作,基本解决了两种器件集成的工艺兼容性的问题,实现了１．３Ｇｂ／ｓ传输速率的单片集成长波长光接收机样品。     

真空分层蒸镀InSb薄膜的研究

采用双源分层蒸镀的方法制作ＩｎＳｂ薄膜，将区域熔融技术用于ＩｎＳｂ薄膜的热处理，提高了薄膜的纯度和择优定向程度，室温下电子迁移率达到３００００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）。在此基础上，分析了影响ＩｎＳｂ薄膜性能的几个主要因素。     

Siδ-掺杂In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变单量子阱光致发光研究

研究了单层Ｓｉ分别δ－掺杂于Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱系统中的单边势垒与双边势垒的光致发光谱,并与未掺杂样品相比较,发现掺杂样品的发光峰红移,其中单边势垒掺杂样品红移约４ｍｅＶ,双边势垒掺杂样品红移的量更多约１２ｍｅＶ．本文用杂质散射与空穴空间局域化来解释掺杂样品的发光半峰宽较本征样品大很多．用有效质量方法计算３个样品的光致发光能量,并用电子相关交换势解释掺杂样品发光红移的现象．     

压变应In0.63Ga0.37As／InP单量子阱的变温光致发光研究

我们对用ＧＳＭＢＥ技术生长的Ｉｎ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓ／ＩｎＰ压应变单单量子阱样品进行了变温光致发光研究，Ｉｎ０．６３Ｇａ０．３７Ａｓ阱宽为１ｎｍ到１１ｎｍ，温度变化范围为１０Ｋ到３００Ｋ，发现不同阱宽的压变变量子 激子跃迁能量随温度的变化关系与体Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ材料相似，温度系数与阱宽无关，对１ｎｍ的阱，我们观察到其光致发光谱峰为双峰，经分析表明，双峰结构由量了阱界面起伏一个分子单     

InSb/GaAs半导体界面结构研究

本文通过对ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面实验高分辨原子像的计算机定量分析得到了界面位错区附近的晶格点畸变位移分布，基于该实验结果中文提出了ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面的结构互平衡界面结构模型，该界面模型合理地解释了界面位错的起因及ＩｎＳｂ薄膜在ＧａＡｓ基体上升延生长过程中的物理现象，计算机模拟的界面电子衍射谱和高分辨原子像与实验结果的一致性符合验证的所建立的界面模型的正确性。     

InAs／GaAs亚单层结构的静压光谱研究

在１５Ｋ下测量了ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ亚单层结构的静压光致发光，静压范围为０～８ＧＰａ．常压下ＩｎＡｓ层中重空穴激子的发光峰随ＩｎＡｓ层厚的减小向高能移动，同时峰宽变窄，强度减小．其压力行为与ＧａＡｓ基体的基本一致，表明量子阱（线、点）模型仍适用于ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ亚单层结构．得到平均厚度为１／３单分子层的样品中由于附加的横向限制效应引起的电子和空穴束缚能的增加分别为２３和４２ｍｅＶ     

MBE生长的InAs薄膜Hall器件

利用ＧａＡｓ衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件,具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓＨａｌｌ器件的１．５倍）,不等位电压温漂小等优点．可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中,具有广阔的应用前景     

在砷化镓衬底上用分子束外延法生长锑化铟薄膜

用分子束外延方法在ＧａＡｓ上生长ＩｎＳｂ薄膜。方法是先在温度３８０℃生长ＩｎＳｂ有源层。然后低温（３００℃）生长一层约０．０３μｍ厚的ＩｎＳｂ缓冲层。Ｓｂ＿４与Ｉｎ的束流等效压强比为４：１时，可获得温度７７Ｋ最大霍尔迁移率的材料。在２～５μｍ厚度的薄膜中，温度７７Ｋ的霍尔迁移率大于３５０００ｃｍ￣２Ｖ￣（－１）·ｓ￣（－１）和Ｘ射线半峰宽小于２５０（″）。温度７７Ｋ的霍尔迁移率比最近报导的结果大３倍。Ｘ射线半峰宽也相对小。对可改进薄膜性能的几种可能性作了探讨。