金属基复合粉末制备技术的现状及展望

综述了目前国内外金属基复合粉末的制备技术，并对其发展提出了一些看法。     

颗粒增强金属基复合材料

综述了金属基复合材料的分类、主要性能特点，以及颗粒强化金属基复合材料的复合原理、制备工艺、组元作用和目前的典型应用等。     

金属复合氧化物纳米薄膜的防眩目原理及应用

在介绍金属复合纳米氧化物单层或多层薄膜的防眩目原理及其光干涉效应与反射率关系的基础上，指出利用多层纳米薄膜之间的干涉协同效应，在整个可见光波长范围内可达到防反射、防眩目的目的。     

ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究

用RF磁控反应共溅射法在Si( 111)衬底上制备出了铽 (Tb)掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响。结果表明 ,在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好c轴取向 ,电阻率降低到 9.3 4× 10 - 4Ω·cm ,且可见光段 ( 4 0 0～80 0nm)平均透过率大于 80 %的ZnO∶Tb新型透明导电材料。     

ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜国内的研究现状

综述了以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜的制备技术,系统地研究了各工艺参数,如氩气压强、射频功率、衬底基片温度、退火条件和氧流量等对其结构和光电特性的影响。在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率可降至8.7×10-4Ω.cm,可见光透过率在85%以上。X射线衍射谱表明,ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。     

金属基复合材料的发展和未来

阐述了研究金属基复合材料的意义, 并着重论述了金属基复合材料的发展史、分类、研究技术的发展和现状, 指出了金属基复合材料理论研究的不足, 提出了有关界面结构模型和凝固过程的研究方向。     

铟锡氧化物及其应用

简述了ITO粉末、ITO靶材、ITO透明导电薄膜的生产工艺、性质及用途，并介绍了国内外有关资源储量、生产和消费市场情况。     

金属基复合材料喷射成形装置研究

喷射成形是一种金属材料生产的新方法。本文介绍了自行设计的PS－1型直喷式喷射成形装置，该装置采用了复合喷嘴和水冷式接收器。利用该装置试制了多种铝合金材料的喷射成形试样。     

闭孔金属基复合泡沫材料制备技术研究进展

闭孔金属基复合泡沫材料是一种新型多孔复合材料,主要以空心微球和基体粉末为原料,将空心微球填充到金属或合金基体中复合而成;因其具有轻质、高强、良好的阻尼、吸能、隔热、隔音及电磁屏蔽等诸多优异性能,在减震、缓冲阻尼及防撞击等相关领域具有广泛的应用价值。本文主要介绍了利用空心微球制备闭孔金属基复合泡沫材料的方法,总结了其制备过程中存在的问题,并概述了闭孔金属基复合泡沫材料的应用。     

Zn-Sn-O透明导电膜的制备和光电性质

采用射频磁控溅射法在 70 5 9玻璃衬底上低温制备出Zn Sn O透明导电薄膜。制备薄膜为非晶结构 ,并且具有很好的稳定性 ,与玻璃衬底具有良好的附着性。薄膜主要是依靠膜中的氧空位导电 ,薄膜的电阻率强烈地依赖溅射气体中的氧分压。制备薄膜的最低电阻率为 2 2 7×10 - 3Ω·cm ,在可见光范围内的平均透过率达超过 90 %。     

AZO透明导电薄膜的性能和制备

AZO薄膜是一种应用广、发展快的高导电率、透光率的金属氧化物薄膜。文章基于国内外的发展情况,概述了AZO薄膜的光电性能、应用领域和不同的掺杂对AZO薄膜的性能影响。归纳了AZO薄膜的制备方法,着重介绍了磁控溅射沉积法制备AZO薄膜的几个工艺参数可能对AZO薄膜性能的影响。     

SnO2透明电热膜成膜研究

研究了在化学喷射法制备ＳｎＯ２透明电热膜中，掺杂浓度、反应温度、退火工艺及喷射参数对电热膜光电性能的影响。结果表明在４００～６００℃、Ｓｂ３＋掺杂浓度在０１％～０４％之间，可获得透光率＞８５％，面电阻１００～１５０Ω的ＳｎＯ２透明电热膜。     

Ferroelectric Thin Films and Multilayer Structures Based on Them

A brief review is presented of the results of recent research into ferroelectric films and their multilayer structures. The main attention is paid to theoretical calculation of the physical properties that characterize ferroelectric materials (electric polarization, phase transition temperature, dielectric response) in thick and thin films and their multilayer structures. Within the phenomenological theory it is shown that the main reason for a decrease in film symmetry is internal mechanical stress connected with the mismatch in lattice constants, difference in thermal expansion coefficients of the substrate and film, and also growth imperfections. These stresses lead to a change (decrease or increase) in the para-ferroelectric transition temperature that is actually observed in thick films. In thin films, where it is necessary to consider polarization gradients, a ferroelectric transition develops whose temperature depends on film thickness (thickness induced phase transition). The polarization and dielectric permittivity of films and their multilayer structures are calculated. It is demonstrated that permittivity becomes infinitely great close to the thickness induced phase transition temperature. The theory fits well with the recently observed huge dielectric permittivity and its temperature dependence in a multilayer structure of thin films of PbTiO₃ and Pb_0.72La_0.28TiO₃.     

非致冷红外焦平面阵列用铁电薄膜

在简要阐述红外成像发展现状基础上，系统介绍了铁电薄膜的性质、制备及在非致冷红外热成像系统应用中的一些热点问题。重点介绍当前有重大技术突破的介质测辐射热式焦平面探测器，比较了热释电模式、介电模式的优缺点及发展前景。由于介质测辐射热式信号获得方式较热释电式有较高的比探测率、响应率、成象精度和质量及较轻的体积和重量，可以预测在不断提高探测用铁电薄膜介电温度系数、损耗及大面积均匀性，不断改进其读出电路的基础上，将成为今后铁电非致冷红外热成像发展的主流。     

SnSb导电膜对钛基金属阳极涂层性能提高的深入研究

深入讨论了钛基金属阳极涂层制备中 ,在底层引入SnSb导电膜对其电催化性能提高的机理 ,并对影响电催化性能最重要的两个工艺参数 :温度和锑添加量进行了详细的研究。EDX面扫描结果表明 ,底层热分解成型的SbSn膜成分分布均匀 ,非常有利于DSA电催化性能的改善 ;X射线衍射结果证实了SnSb膜中主要以SnO2 和Sb2 O3相结构存在 ;对比实验得出了最佳工艺制备条件 :t=30 0℃ ,锑的添加量为 10 %。     

PZT薄膜的研究进展

综述了PZT薄膜的制备方法，从电极，微观结构和化学成分，生长方向，多层膜结构以及机械应力对性能的影响五个方面介绍了PZT薄膜的研究进展，提出了PZT薄膜存在的主要问题和发展方向。     

铂钨含量对CoPtW永久磁性薄膜结构及磁性能的影响

研究了钴钨含量对CoPtW永久磁性薄膜结构及磁性能的影响。研究表明，P1 W的原子含量在10％-12％之间时对晶体的晶面间距影响较大，晶系发现变化。随着这一含量的增大，在样品表面垂直和平行磁场方向上的矫顽力差值变大。     

Thickness Effect on Electronic Transport in Single Crystal La0.67 Ca0.33 MnO3 Thin Films

Lattice strain in thin films induced by film-sub-strate mismatchis one source for variant magnetic andresistive behaviors especiallyfor the manganite perovs-kites for which the lattice effects are wellestablished[1~5].It has been also reported that low-fi…     

Gd掺杂CdTe薄膜的结构和光学特性研究

用真空热蒸发法在玻璃衬底制备CdTe和Cd掺杂CdTe薄膜.研究热处理和Gd掺杂量对CdTe薄膜结构、光学特性的影响.结果表明,薄膜均为立方闪锌矿结构,Gd的掺入没有改变薄膜的晶体结构,但使薄膜的晶粒尺寸减小,晶格常数和晶胞体积略有增大,并使其择优取向由[220]晶向变为[111]晶向.掺Gd使薄膜在可见光范围透过率增强,但对光能隙影响不大.