光学传感器星上定标漫射板空间稳定性测试与分析

对光学传感器星上定标漫射板进行了研究,考查其在航天环境下的稳定性和适应性.漫射板经振动冲击、高低温循环、热真空和紫外辐照等系列环境模拟试验仍然保持良好的光学特性;紫外辐照前后其在350 nm处的反射率衰变不超过3%,分析认为这种紫外辐照下的反射率衰变是由于污染所致,通过改进工艺和环境控制是可以消除的;同时,漫射板通过了空间力学环境试验.研制的星上定标漫射板的空间稳定性能够满足航天应用要求.     

星载电子设备抗辐照分析及器件选用

对星载环境下空间辐射对电子设备的各种影响进行了较为详细的分析,并针对辐照产生的不同后果给出有效的防护方法。同时对航天电子系统中电子元器件的选用作了简要说明。     

短波通信电台带内辐照试验替代方法*

通过分析典型短波电台带内辐照试验,提出改变辐照试验电磁能量耦合途径以简化试验装置的设想.通过理论分析和仿真计算,分析了短波电台带内辐照试验的电磁能量耦合途径,得出电台天线是短波电台带内辐照试验主要能量耦合途径的结论,通过设计电磁辐照法和电流注入法比较试验,验证了仿真计算结论,且证明在该试验条件下电流注入法可以替代电磁辐照法.该结论可以推广到电磁能量耦合途径单一的电磁辐照试验中.     

纯硅芯光纤的空间辐照环境适应性

研究了光纤的辐照损伤机理,对纯硅芯光纤与传统芯层掺杂光纤的结构特点进行了系统地分析,从结构组成特点上分析了两者的抗辐照性能差异。研究了国内外关于光纤的抗辐照试验标准,对各标准中剂量率、总剂量等试验条件差异进行了对比,并对不同剂量率对光纤辐照试验结果的影响进行了分析,给出了光纤在空间辐照环境条件下应用的辐照试验条件的选择原则。最后,采用0.1 rad（Si）/s剂量率对某国产纯硅芯光纤的抗辐照性能进行了试验评估,光纤在20 k rad（Si）总剂量辐照后光纤损耗为1.934 dB/km。空间辐照性能评估结果满足该项目的宇航型号的空间环境使用需求,辐照评估结论为可用。     

器件尺寸对MOS器件辐照效应的影响

随着MOS器件的尺寸越做越小,其辐照效应也随即发生改变,对于小尺寸器件的辐照效应研究也就占据了一个非常重要的位置.对一些器件几何尺寸的辐照效应影响进行了综述.     

CMOS图像传感器辐射敏感参数测试电路设计及试验验证

以航天领域广泛应用的CMV4000型CMOS图像传感器(CIS)为研究对象,通过开展CIS辐射敏感参数测试电路设计,将CIS辐照电路板与测试电路板中FPGA数据采集及传输板分离,辐照电路板与测试电路板通过接插口通信,从而实现开展辐照试验时对FPGA数据采集部分进行辐射屏蔽防护,避免FPGA数据采集板受到辐射影响。开展了CIS测试电路中的电源模块、数据采集、存储模块、外围电路等设计及PCB版图的布局布线设计。采用Verilog HDL硬件描述语言对各个功能模块进行驱动时序设计,实现CIS辐射敏感参数测试功能。通过开展CMV4000型CIS ⁶⁰Co γ射线辐照试验,分析了平均暗信号、暗信号非均匀性、暗信号分布等辐射敏感参数随总剂量增大的退化规律,验证了CIS辐射敏感参数测试系统的可靠性。     

电气和电子工程用材料科学

TB43 2004010015掺柿玻璃型二次表面镜热控性能稳定性研究/常天海(华南理工大学)11上海航天.一2003,20(2)一48一51对卫星用掺钵玻璃型二次表面镜(SSM)的热控性能在空间辐照环境中的长期稳定性进行了研究.给出了经紫外、电子和质子模拟辐照试验后,导电和非导电掺钵玻璃型二次表面镜热控性能的数据,并对其衰退机理进行了分析.结果表明,掺钵玻璃型二次表面镜的热控性能在地球同步轨道空间辐照环境中的长期稳定性可以满足卫星设计要求.图4表1参5(刚)TB43 2004010016直流磁控溅射氮化铁薄膜生长的动力学标度/王欣,高丽娟,于陕升,郑伟涛,徐娓,…     

集成电路补充筛选的重要性

本文概要地介绍了集成电路补充筛选试验在航天型号研制中的重要性，对集成电路补充筛选的原则及筛选工艺流程也作了详细的介绍，对测试试验，功率老化试验，DPA试验在补充筛选试验中的重要性作了详细的分析。     

注入法等效替代电磁辐照法试验技术研究

针对目前实验室条件下高强度辐射场无法构建,单一辐照法难以有效开展系统级电磁辐射敏感度及安全裕度试验的问题,对互联系统注入法等效替代电磁辐照法的试验技术进行了研究.以设备端口的响应电压相等作为等效依据,推导了注入电压与辐照场强之间的等效对应关系,确定了强场条件下注入电压源线性外推应满足的条件,提出了基于耦合模块的等效注入试验新方法.在理论分析的基础上,以典型非线性互联系统为受试对象,分别开展了单频连续波辐照与注入试验研究,结果表明:辐照场强和等效注入电压源之间为线性变化关系,替代高场强辐照试验的等效注入电压源可以采用低场强下的对应关系线性外推得到,试验结果验证了注入等效替代辐照试验方法的有效性.     

热真空试验标准与方法分析

热真空试验是针对航天产品特有的试验项目,其一般参照相应的试验标准和方法进行.但是,如果标准中规定的试验条件过松,则有可能达不到检测产品的真实性能的目的;如果试验条件过严,则又可能导致过试验现象,影响产品的性能.因此,对航天产品热真空试验的相关标准进行了对比分析,以期对该试验项目相关标准的正确选择和应用提供一定的参考.     

1. 319μm 激光诱导HgCdTe (PV 型)探测器混沌的研究

通过对1. 319μm 连续波激光辐照PV 型HgCdTe 探测器的实验研究,发现当激光辐照 功率密度超过探测器的饱和阈值以后,激光能诱导探测器产生混沌现象,并得出了相应的激光辐照功率密度范围,文中还对试验结果进行了论证与分析。     

应答机技术研究与展望

在现代航天测控任务中,应答机作为合作测控目标,配合地面测控站完成航天飞行器的测控对应答机技术的研究具有重要意义.为此,介绍了应答机的工作原理,针对应答机的主要性能参数进行了详细的分析和讨论,并展望了应答机的技术发展,对工程应用具有借鉴价值.     

热真空环境中超亮白光LED发光强度性能研究

超亮白光发光二极管(LED)是最近发展起来的一种固体发光器件,它的许多特点非常适合在航天环境中应用.为了验证超亮白光LED在航天照明中的可行性,对其进行了热真空试验,检验LED在热真空环境下的发光强度等性能.通过对试验结果的分析,证明超亮白光LED在热真空环境中工作性能稳定,同时给出了合理的使用方法,为超亮白光LED在航天照明领域的应用奠定了基础.     

GaAs集成电路辐照效应试验研究

GaAs集成电路因其良好的电性能和抗辐射能力,广泛应用于各领域,尤其是航天航空方面.电路的抗辐射能力与设计和工艺密切相关,因此对3 bit GaAs加权相加电路进行了全面的辐照效应试验技术研究,主要对该电路进行中子、γ总剂量和γ剂量率辐照试验研究,对GaAs集成电路的耐辐照性进行了探讨,为建立中等规模耐辐射GaAs IC的电路设计、工艺制造和测试技术平台奠定了基础.     

一种基于CMOS工艺的抗辐照A/D转换器

空间辐射对电子系统的损伤是航天设备发生故障的重要因素。A/D转换器是航天电子系统的关键器件之一,其抗辐射性能将直接影响航天设备的整体性能。基于标准0.35 μm CMOS工艺,设计了一种流水线型14位A/D转换器,从总体架构、关键核心单元、版图等方面进行抗辐照设计。辐照测试结果表明,该A/D转换器的抗总剂量能力达到1.0 kGy(Si),抗单粒子闭锁阈值达到37 MeV·cm²/mg,满足宇航电子系统的应用要求。     

基于EMVA1288标准的图像传感器辐照效应参数测试系统的研制

提出了光电图像传感器辐照效应参数测试需要解决的问题,简述了光电图像传感器参数测试国际标准(EMVA1288)的原理和要求,建立了基于EMVA1288国际标准的光电图像传感器辐照效应测试系统,并进行了辐照试验验证.验证试验表明:该系统能对光电图像传感器辐照前后的时域、空域和光谱类参数进行测试,较好地解决了光电图像传感器辐照效应测试难题,如测试效率、数据可比对、兼容和拓展性等,具有较好的推广应用前景.     

宇航辐照对挠性电路的损伤性能及机理研究

针对柔性电路在宇航运行的环境进行综合辐照试验,明确辐照试验对柔性电路表面微观形貌的影响,并通过XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)分析微观形貌变化中柔性电路表面聚酰亚胺基团变化情况.通过分析可知,聚酰亚胺主链结构具有较强抗辐照功能,但是聚酰亚胺聚合过程中缺陷基团可能导致聚酰亚胺加速...     

电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si双界面系统的作用

采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加电离辐照相当程度地减少位于S iO2/S i界面区S i3N4态(结合能B.E.101.8 eV)S i的浓度。同时辐照中所施偏置电场对S iO2/S i界面区S i3N4态键断开有显著作用。文中就实验现象的机制进行了初步探讨。     

基于定向耦合装置的宽频带差模电流注入试验技术

本文对一种新型的宽频带差模电流注入试验技术进行了研究.以设备端口的响应电压相等作为等效依据,建立了差模电流注入与辐照响应的分析模型和强场条件下注入电压源外推模型,确定了差模电流注入与强场辐照等效应满足的条件.研究了工程上差模电流注入的实现技术,确定了辅助试验设备的功能、结构设计方案,推导了注入电压与辐照场强之间的等效对应关系,提出了基于定向耦合装置的宽频带差模电流注入试验新方法.通过对典型射频前端系统进行辐照与注入试验研究,验证了该试验方法的有效性.     

基于GaN的DC/DC变换器总剂量与单粒子辐射损伤效应研究

对基于GaN的DC/DC变换器进行了总剂量、单粒子及耦合辐照效应研究,讨论了DC/DC变换器在特定负载及电压条件下,输出电压、输出电流、输出效率随不同辐照条件的变化。试验结果表明,使用GaN MOSFET开关管的DC/DC变换器在总剂量、单粒子及耦合辐照条件下,均表现出了优异的抗辐照性能,即输出电压、输出电流、输出效率等性能在三种辐照条件下均没有发生明显的退化。该DC/DC变换器实现了抗总剂量辐照能力大于1 kGy(Si)和抗单粒子LET≥75 MeV·cm²·mg^-1,表明使用基于GaN的DC/DC变换器未来可广泛应用于航空、航天等供电系统领域。