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由轻稀土Sm和3d过渡族金属Co组成的SmCo非晶垂直磁化膜具有独特的磁、磁光和磁电性能,是制作高密度存贮器件和薄膜传感器的一种很有前途的材料。本文用透射电子显微镜(TEM)研究了用双源共蒸发法制备的SmCo非晶磁化膜的显微结构特征及其与成份、温度的依赖关系。讨论了非晶态SmCo磁化膜的形成过程及其结构对磁光特性的影响。实验结果表明:1.SmCo非晶磁化膜的典型结构是由直径约30A的高密度柱状区和一个低密度的网络组成的,如图1所示,图中右上角的电子衍射插图表明该结构是典型的非晶态。2.Sm_xCo_(100-x)(15相似文献
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为了研制可用于高温环境下进行应变测量的应变层,采用脉冲激光沉积(PLD)法在陶瓷基底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜.研究了PLD法中不同基底温度对ITO薄膜显微结构、电学性能以及阻温特性的影响.采用X射线衍射仪(XRD)测试了薄膜的晶体结构,通过四点探针测量法测得薄膜的薄层电阻,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)对... 相似文献
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在低真空(2.3×10-3 Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜.溅射温度200 ℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90 %氧化铟、10 %氧化锡的陶瓷靶.用场发射扫描电子显微镜和X衍射仪研究了薄膜的显微结构, 用X射线光电子能谱表征了薄膜的成分.ITO薄膜在可见光范围内有较高的透射率(80 %~95 %).在低工作气压(1 Pa)下,氧气流量比率[O2/(O2+Ar)]越小,薄膜的透射率越高、导电性越好.在高工作气压(2 Pa)下,制备得到低质量、低透射率的无定形薄膜. 相似文献
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La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)薄膜是一种典型的巨磁阻(CMR)材料,在信息存储领域具有广阔的应用前景[1,2](如磁记录读出磁头等),而LCMO与高温超导材料YBa2Cu3O7(YBCO)组成的双层薄膜更显示出许多奇特的物理性质[3]。由于薄膜的微结构对其物理性能有很大影响,因此研究薄膜的微结构有助于对此类材料的磁性与超导电性相关机制的理解。本文利用高分辨电子显微镜系统地研究了YBCO/LCMO双层薄膜的显微结构。本文使用的YBCO/LCMO双层薄膜样品是在(100)LaAlO3(LAO)单晶衬底上,用脉冲激光沉积法制备的。制备的程序是:首先在衬底上沉积LCM… 相似文献
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用脉冲激光沉积法在(110)取向的SrTiO3(STO)单晶衬底上制备了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/NiFe2O4/La0.7Sr0.3MnO3(PZT/NFO/LSMO)磁电复合外延薄膜,并用X射线衍射和透射电镜技术研究了外延薄膜的物相和显微结构。原子力显微镜结果表明PZT、NFO和LSMO薄膜表面均平整,晶粒尺寸分布均匀,表面粗糙度分别为1.8,1.7和0.2 nm。X射线衍射、选区电子衍射和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)测试结果均证明各层薄膜沿(110)STO衬底外延生长,其外延关系为(110)PZT//(110)NFO//(110)LSMO//(110)STO和[001]PZT//[001]NFO//[001]LSMO//[001]STO。HRTEM结果显示,NFO/LSMO界面和LSMO/STO界面平整外延性好,无缺陷,而PZT/NFO界面较粗糙;NFO薄膜表面呈锯齿状,锯齿状面为立方NFO的能量最低{111}面,而PZT薄膜表面呈岛状,进一步的显微结构分析认为PZT薄膜为层状-岛状生长模式。 相似文献
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采用激光分子束外延法先在Si(111)衬底上制备Zn薄膜,在不同的氧气体积流量和生长温度下,用热蒸发法在镀有Zn薄膜的Si(111)衬底上制备了不同形貌的ZnO纳米晶须。分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对样品的成分、微结构和形貌进行了表征。Zn薄膜在高温下被氧化,并为晶体生长提供均匀的成核点,有利于形成一定大小和数量的ZnO晶核。研究结果表明,氧气体积流量和生长温度对ZnO纳米晶须的形貌有一定的影响。 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》2004,(2)
TB43,TM273 2004020007磁控溅到制备5 mCo薄膜的工艺及磁性研究/邱轶,万红,刘吉燕,斯永敏,赵询(国防科技大学)11国防科技大学学报一2003,25(5).一26一30用直流磁控溅射方法制备了SmC。薄膜,通过正交设计实验考察了一〔艺因素对薄膜沉积速率的影响规律.研究结果表明,影响薄膜沉积速率的主要因素是溅射功率,其次为靶基距,在0.5~2.OPa的压强范围内,Ar气压强的大小对溅射速率的影响很小.X一射线衍射结果表明:制备态的SmCo薄膜为非晶结构,500℃真空热处理后,薄膜中出现少量的微晶SmCos化合物磁性能测试表明:制备态SmC。薄膜的矫顽力随薄膜… 相似文献
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用X射线衍射(XRD)和透射电镜术(TEM)观察Si和Ge基板上PbTe、CdTe及PbGeTe单层薄膜及其与ZnS组合的多层薄膜的显微结构,给出了薄膜附着牢固度与薄膜显微结构的关系 相似文献
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使用溶胶-凝胶法制备N∶ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)对晶体结构进行表征,用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面形貌,用荧光光谱仪测量低温(8K)及变温条件(8~200K)下的光致发光(PL)光谱。分析了各个发射峰的形成机理,通过薄膜缺陷态发光和受主能级的关联性,计算出了N作为受主所需电离能的大小在0.255~0.31eV范围内。研究结果为以后P型ZnO薄膜的制备和研究提供了依据。 相似文献
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使用溶胶-凝胶法制备N:ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)对晶体结构进行表征,用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面形貌,用荧光光谱仪测量低温(8 K)及变温条件(8~200 K)下的光致发光(PL)光谱.分析了各个发射峰的形成机理,通过薄膜缺陷态发光和受主能级的关联性,计算出了N作为受主所需电离能的大小在0.255~0.31 eV范围内.研究结果为以后P型ZnO薄膜的制备和研究提供了依据. 相似文献
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本文利用脉冲激光沉积技术在LaAlO3(100)和SrTiO3(100)衬底上生长了LaTiO3薄膜,利用高分辨X射线衍射和透射电子显微术对薄膜的显微结构进行了系统表征,利用霍尔效应测量系统对薄膜的电学性能进行了研究。XRD结果表明在两种衬底上生长的LaTiO3薄膜均为单晶薄膜,SrTiO3衬底上的薄膜具有更高的结晶度。透射电镜显微结构表征的结果显示,LaTiO3薄膜在两种衬底上均实现了外延生长,SrTiO3衬底上的薄膜具有更少的晶格缺陷,薄膜与衬底之间的界面也更平直和明锐。薄膜I-V曲线测量的结果表明SrTiO3衬底上的LaTiO3薄膜具有更低的电阻率。两种薄膜显微结构和电学性能的优劣主要源自于薄膜与衬底之间的晶格失配大小,更小的界面失配有利于高质量薄膜的外延生长。 相似文献
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我们利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对a-Si,a-Si∶H,a-Si∶Cl和μc-Si薄膜进行了观测。文中讨论了a-Si(或a-Si∶H,a-Si∶Cl)和μc-Si薄膜的生长机理;提出了可能的结构模型,即a-Si(或a-Si∶H,a-Si∶Cl)薄膜具有卵石状结构或柱状结构,μc-Si薄膜具有锥状结构。 相似文献