温度系数连续可调的带隙基准源电路设计

为了对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片的驱动电压进行温度补偿以改善TFT-LCD的性能,本文基于标准CMOS(3.3V)的chrt35rf 0.35$m工艺,设计了一款温度系数可连续调节的带隙基准电压源,其中包括核心电路、运算放大器电路和启动电路3个子模块。该电路使用MOS晶体管作为可变电阻,通过调节MOS栅极电压控制MOS漏源等效电阻的连续可变,进而改变电路中的电阻比值,实现带隙基准源的温度系数连续可调。使用Cadence的Spectre仿真器进行仿真,结果表明,在-25~125℃的工作温度范围内,带隙基准源电路的输出电压的正温度系数可连续调节范围为156.6~2 545.0ppm/℃,输出电压的负温度系数的连续变化范围为156.6~1 337.7ppm/℃,输出基准电压变化为0.95~2.67V,低频时基准电压的电源抑制比达到73.13dB。该电路实现了基准电压从负温度系数向正温度系数的连续可调节,且调节范围较大。     

新日本无线公司单J-FET输入高精度运算放大器

新日本无线公司推出了单J-FET输入高精度运算放大器NJM411。它采用J-FET（结型场效应晶体管）作为输入元件，实现了高输入阻抗，偏压电流典型值为50pA，压摆率为15V／μs的高性能，同时还具有0．8mV低偏移电压和7μV/℃低温度漂移的特点，可对初始偏移电压进行小幅调节。可广泛应用于高速DAC输出缓冲器、取样保持电路、感应放大器、高精度参考电压放大器等各种测量设备及工业应用的信号处理。www．njr．co．jp／china     

4～20mA电流环供电温度传感器

用一个模拟温度传感器、一个运放、一个晶体管和一个低压降线性稳压器构成的电路（见图１)提供4～20mA输出(3.75～28V范围)。因为所用器件都具有低静态电流,所以可用此电流环为这些器件供电。温度传感器IC1输入到运放/晶体管组合A1和Q1,图中R1做为放大器负载。温度传感器的输出特性由0℃时的744mV补偿和11.9mV/℃定标系数标定。R1的选择是使其符合IC1的温度范围和4～20mA输出。在本例中,IC1在-25℃时的输出是0.4465V。选择R１为111Ω将在-25℃提供4mA输出。在125℃,IC1输出是2.213V,在所选111Ω阻值的R1上给出19.937mA输出。…     

一种低温度系数的全CMOS基准电流源

基于传统基准电流源结构,增加了一条负反馈支路,将片上电阻的温度系数、晶体管载流子的温度系数与晶体管阈值电压的温度系数相互抵消,实现了基准电流源的温度补偿。测试结果表明,该基准电流源在1.1 V的电源电压下能正常工作。在1.2 V工作电压下,该基准电流源的静态电流仅为26 μA,输出平均电流为10.36 μA;当工作温度从-40 ℃到85 ℃变化时,电流的温度系数仅为3.79 ×10-4/℃。该电路采用55 nm CMOS工艺,其芯片面积为4 488 μm²,满足低功耗低成本的要求。     

可提供4～20mA输出的温度传感器

图中所示电路输出正比于温度的电流(4～20mA)。该电路工作电压8至40V。电路经调整后,PSR指标超过0.0003％/V,在-50℃到+150℃温度范围内精度可达±1％。IC1输出电压V_(TEMP)正比于温度变化使电路作为温度传感器,并相当于一个2.5V参考信号。V_(TEMP)在25℃时等于0.55V,温度系数为1.9mV/℃。微功耗,单电源运算放大器IC_2缓冲了V_(TEMP)端上的漏电流,该运放功耗电流不大于50nA,     

一种低功耗亚阈值全MOS管基准电压源的设计

分析了工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管不同电流特性,设计了一种低功耗全MOS基准电压源电路。使用工作在线性区的MOS晶体管代替普通常规电阻,使整个电路实现全MOS基准源的特性,同时有效减小电路芯片面积,并且输出基准电压为线性区MOS管提供偏压以进一步降低功耗。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计电路。仿真结果表明此电路在1.8 V电源电压下,–50~+150℃的温度系数为22.6×10–6/℃,基准电压源输出电压约为992 m V,25℃时静态电流为327.3 n A,电路总静态功耗为0.59μW,10 k Hz时的电源抑制比为–25.36 d B。     

2～20GHz宽带单片集成双向放大器北大核心CSCD

基于分布式放大器理论,设计了一款基于GaAs赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺的2~20GHz宽带单片集成双向放大器。该款放大器将两个独立放大器与开关控制电路集成,通过开关控制放大器的正反向导通,实现双向放大器接收和发射状态的切换。其中放大器采用的是宽带分布式低噪声放大器,开关控制电路的控制电平为0V和-5V。测试结果表明,该款放大器在＋5V工作电压下,工作电流为60mA,在2~20GHz的宽带频率内实现小信号增益大于14dB,1dB压缩点输出功率大于11dBm,噪声系数小于5.5dB。双向放大器的芯片尺寸为3.1mm×2.1mm。     

模拟与混合信号

采样率达3GSps的ADC；14BIT和12BIT ADC；内含复杂模拟区块的高集成度模拟电路；采用SOT23封装的功率晶体管；具有关断功能的超低噪声放大器模块；安森美推出低VCE（sat）双极晶体管；电平移动式差动放大器；采用微型电源封装的轨至轨2A运算放大器；提供1A电流和真彩PWM调光功能的LED驱动器；电磁加热用1200V NPT沟道IGBT；低导电损耗的60V MOSFET；超小型高频MEMS继电器     

采用SAP15N/P音响对管的甲类功率放大器

<正> 甲类晶体管功率放大器,音色温暖甜美,使人倾心。但甲类功放温升较高,如采用普通的双极性晶体管,则温度稳定性较差,调试困难,使用中也让人担心。本文介绍输出级采用三肯产品SAP15N/P音响对管的甲类功放。SAP15N/P输出电流15A,耐压160V,功率150W,结温150℃。该晶体管内置温度补偿二极管阵列,解决了功放电路中温度补偿延迟的技术难题,它的温度补偿二极管置于晶体管芯片的中心部位,能够快速同步地检测晶体     

一种非线性二阶补偿的CMOS带隙基准源

该文依据带隙基准的基准原理设计-基于CSMC0.5um标准CMOS工艺的非线性二阶补偿的带隙基准电压源,在基准中利用非线性电流INL进行二阶补偿,该基准源的工作温度为-25℃～-125℃.温度系数为24×10-6V/℃.增加基于冗余晶体管的启动电路电流仅为1-2uA,具有较小的功耗,较好的可靠性.常温下的输出电压为1....     

锥形激光放大器系统温控电路设计及调试

温度对于锥形激光放大器(TA)的输出特性影响较大,为了保证TA芯片处于合适的工作温度,需要设计温控电路对芯片温度进行实时高精度调控。文中设计包括温度设定电路和温度主控电路在内的温度控制系统,通过小体积的硬件电路实现了温度的高可靠比例积分(PI)调节功能,并给出了PI参数的整定方法以提高控制模块响应速度与控制精度。实验结果表明,在设定温度25℃,工作电流2.0 A的条件下,注入35 mW种子激光,采用该温控系统的锥形激光放大器输出功率可达额定值1 W,且具有较好的长期稳定性和快速响应的突出优点,可以满足对高质量激光光源的需求。     

晶体管h_(FE)快速测试仪

本文介绍一种测试晶体管直流电流放大系数h_(FE)的快速测试电路.整个电路是由一个稳压电源、一个负反馈放大器及被测晶体管三个部分组成,反馈放大器与被测晶体管构成一个自动增益控制电路,达到恒定被测晶体管集电极电流,从而直接在基极电流的测量中直读h_(FE).     

适合于低功耗电桥传感器应用的低成本、集成信号调理器

AD8211（单放大器）和AD8213（双放大器）精密电流检测放大器具有20V／V设置增益，在-40℃～＋125℃整个工业温度范围能够保持0．5％增益误差最大值。缓冲输出电压可以直接与模数转换器相连。优良的共模抑制（-2V～＋65V）与5V电源无关。专门提供的特殊电路保证了在0mV-250mV整个差分输入范围内的输出线性，不管是否存在共模电压。     

一种新型滞环电流控制电路的设计

传统的滞环电流控制电路通过共基极差分放大器采样电流信号,放大器的偏置电流会对检测电流有较大影响.提出了一种新型滞环电流控制电路,其采用宽共模输入电压范围的比较器结构,电流检测信号从双极型晶体管基极输入,能有效减小对检测电流的影响.该电路在25 V 1.5μm BCD工艺下设计实现,运用在白光LED恒流驱动芯片之中.仿真结果表明该电路的共模输入电压范围为5～25 V,从检测电流吸收的偏置电流不超过308 nA,能较好地完成恒流控制的功能.     

WT—8900无绳电话机故障检修

故障现象分机不能打外线电话，其他功能正常。分析检修检查主机接收电路工作良好，说明主机控制电路有故障（见图1）。根据主机电路分析，当分机按下通话键时，主机接收其导频信号送入控制集成电路A3的10脚，A3的2脚输出高电平，经电阻器R112耦合使晶体管V13导通，搞机继电器K工作，其触点K1—1使市话耦合变压器与市话外线接通，主机接口电路呈摘机状态。参照图1，分机处在市话外线通话状态，用示波器观察A3的10脚输入信号正常，测量A3的供电电压正常，检查电阻器R112、R113、电容器C88、晶体管V13、二极管VD8和继电器K等元器件，发现…     

一种低功耗高PSRR的基准电压源

提出一种基于耗尽型晶体管与增强型晶体管串联产生基准电源的无运算放大器结构电路.通过将两个基准电源电路级联,可以获得较好的电源抑制比特性,并保持较小的电压功耗.TT模型下的仿真结果表明,基准电源的电源抑制比(PRSS)在1 MHz下,低于-100 dB,-40～+125℃范围内的温度系数为13.7 ppm/℃,静态电流小于1 μA.     

一款高精度低功耗电压基准的设计与实现

设计了一款高输出电压情况下的高精度低功耗电压基准电路.电路采用了比例采样负反馈结构达到较高和可控的输出电压,并利用曲率补偿电路极大地减小了输出电压的温度系数.针对较宽输入电压范围内的超低线性调整率规格,给出了多级带隙级联的电路结构.针对功耗和超低负载调整率的问题,电路采用了基于运算放大器的限流模式和内置大尺寸横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的设计.该电路在CSMC 0.25 μm高压BCD工艺条件下进行设计、仿真和流片,测试结果表明,该电压基准输出电压为3.3V,温度系数为19.4×10-6/℃,线性调整率为5.6 μV/V,负载调整率为23.3 μV/V,工作电流为45 μA.     

自动选择工作模式的宽范围稳压器

图1所示电路可在外部DAC（未示出）控制下为EEPROM提供编程电压。您可以用一个电位器来代替该DAC，以建立从12V电源上工作并能提供OV～32V可变输出电压的通用电源。如图1所示，凌特科技公司（Linear Technology）的LT1072HV型可变升压开关稳压器IC1，驱动一个由运放IC2、升压级Q3及发射极跟随器达灵顿晶体管Q2组成的A类放大器。电阻器R9和R10将放大器的正相环路增益设定为1＋（R9／R10）。     

一种电流温度稳定度小于1μA/℃的V/I变换器

本文介绍一种高温度稳定度的V/I变换器电路,通过一种可以调节温度变化量的温度补偿电路,使V/I变换器的输出电流温度稳定度小于1μA/℃。应用于对电流稳定度要求极高的传感器信号处理或精密仪器仪表电路。     

电源

200W DC/DC转换器可在105℃下工作 NBP系列DC/DC转换器额定功率200W,输出2.1、3.3、5.0、12.0和15.0V。输入电压18～36V,36～72V,200～400V。 工作温度范围-25～ 105℃。其它特性:负载调整率0.20％,线性调整