1.3μm InGaAsP／InP RWG型激光器的可靠性

通过对１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＲＷＧ型激光器的加速老化寿命试验，证明了此种结构激光器的可靠性，它在环境温度为５０℃、１００ｍＡＣＷ及环境温度为８０℃、１００ｍＡＣＷ的条件下加速老化，经过３２２０ｈ的实际测试共计１９３２００器件小时，在测试过程中没有一支器件失效。在这样的条件下其５０℃下的外推寿命ＭＴＴＦ为２０万ｈ，其统计标准偏差为σ＝１．０１６；８０℃下的外推寿命ＭＴＴＦ为３．８万ｈ，其统计标准偏差为σ＝０．８０４，从而推算出该结构激光器的退化激活能Ｅａ＝０．５４３ｅＶ，其２５℃下的寿命ＭＴＴＦ为１０３万ｈ。     

高质量的一级光栅1．55μmDFB激光器

本文详细叙述了ＤＦＢ激光器的设计要点和新的工艺。采用一级全息光栅和二步液相外延法批量研制出高稳定单纵模工作的１．５５μｍ分布反馈激光器（ＤＦＢ—ＬＤ）。外延片成品率＞４０％。器件特性：２５℃时阈值电流２０ｍＡ，单面光功率＞１０ｍｗ，主边模抑制比ＳＭＳＲ达４３ｄＢ（λ／４相移光栅），谱线宽度△ν－２０ｄＢ＝０．３ｎｍ，调制速率＞１．８ＧＨｚ。可靠性测试显示：高温监测光谱稳定，２５°Ｃ时阈值退化率△Ｉｔｈ／ｔ＜０．３ｍＡ／ｋｈ，对应器件预估寿命将超过１０万ｈ。     

按小扇区擦除和编程的ATMEL Flash Memory及应用

文章以美国ＡＴＭＥＬ公司１９９５年新推出大容量按小扇区操作ＦｌａｓｈＭｅｍｏｒｙ２９Ｃ０４０Ａ（５１２Ｋ×８）为例，说明了ＡＴＭＥＬＦｌａｓｈＭｅｍｏｒｙ与Ｉｎｔｅｌ２８Ｆ＊系列不同的设计特点，并结合在单片机系统的应用，介绍了其应用技巧和经验．     

德国电信将与THOM CAST共同开发DRM标准

两个原来的竞争对手———德国电信和ＴＨＯＭＣＡＳＴ日前宣布，它们将集中力量联合开发３０ＭＨｚ以下ＡＭ波段数字广播通用标准。这样，ＤＡＭ标准的开发工作又向前推进了一步。德国电信、ＴＨＯＭＣＡＳＴ及其合作伙伴ＴｅｌｅｆｕｎｋｅｎＳｅｎｄｅｒｔｅｃｈｎｉｋ和法国ＴＤＦ的ＣＣＥＴＴ以前均独立开发着不同的系统，今年３月，他们在德国Ｆｒａｕｎｈｏｆｅｒ学院的实验室参加了一系列的系统测试，尽管采用了不同的技术方案，各个系统的测试均很成功。随后两家公司一致同意集中专家力量并与其它ＤＲＭ成员一起开发一个最佳的Ｄ…     

GaAs MESFET大信号瞬态模拟

本文采用了大信号瞬态分析方法，从砷化镓（ＧａＡｓ）材料参数和器件几何参数出发，通过求解Ｐｏｉｓｓｉｏｎ方程和连续性方程，模拟出ＦＥＴ器件端口特性，得到了大小信号器件模型不同的定量依据，并在此基础上提取出了ＦＥＴ非线性模型参数．本文所开发的软件，其有效性在从材料器件物理参数出发，一步设计出微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）的ＣＡＤ过程中得到了验证．     

最新实用中国上空卫星电视频道表

卫星名称静止轨道位置电视台名称 下行频率ＭＨｚ 电视制式 极化方式伴音频率或数字压缩参数备注及卫星所属国Ｉｎｔｅｌｓａｔ-70 1(国际 70 1)　 180°Ｅ美国ＴＢＮＲＦＯ波利尼西亚泰国 5频道、ＳＢＮＣａｎａｌ 喀里多利亚、波利尼西亚ａｂｃ新闻传送3 7643 7723 92 240 951113 5ＰＡＬＰＡＬＰＡＬＰＡＬＮＴＳＣＲＲＬＬＶ7/82 9.90 03 /44 .5 663 /42 1.2 0 03 /42 7.5 0 06.8Ｉｎｔｅｌｓａｔ-70 2 (国际 70 2 )　 172°Ｅ美国ＲＦＯ波利尼西亚 40 2 7ＰＡＬＬ 3 /44 .5 66ＰＡＮＡＭＳＡＴ -2 (泛美 2号 )　 169°Ｅ美国中央电视台…     

自升温效应下的GaAs MESFET大信号模型

本文首先分析ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ在自升温效应下的升温幅度,然后结合器件电学参数随温度变化的特点,对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性,应用于ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ功率ＭＭＩＣ ＣＡＤ中能进一步提高电路的设计精度。     

Linear View~(TM) CD-ROM免费索取

ＬｉｎｅａｒＶｉｅｗＴＭＣＤ－ＲＯＭ免费索取ＬｉｎｅａｒＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ公司（ＬＴＣ）在模拟器件制造领域享誉世界，该公司把该公司数据手册１～５卷、应用参考１～３卷及该公司各种设计软件如：ＳｗｉｔｃｈＣＡＤ、ＦｉｌｔｅｒＣＡＤ、Ｎｏｉｓｅ及Ｓｐｉｃ...     

构造独特的8051(上)

Ｅ５　ＣＳｏＣ（可配置芯片）是一款全新的８５０１衍生产品。选用Ｅ５　ＣＳｏＣ来设计嵌入式系统，可以大大简化电路。以基于８５０１的ＰＯＳ终端机为例，Ｅ５　ＣＳｏＣ器件可以取代传统设计中的ＦＰＧＡ和８０３２单片机。Ｆｌａｓｈ和ＭＣＵ之间不需要任何粘合逻辑，使系统芯片数更少。     

2．4Gb／s跨阻型光前置放大器CAD及验证

阐述了光纤通信前置放大器的设计原理，分析了光接收机中ＰＩＮ二极管和ＧａＡｓＦＥＴ器件的信号模型和噪声模型，提取了放大器用ＧａＡｓＦＥＴ器件的模型参数（包括大信号、小信号和噪声模型参数）。利用ＰＳＰＩＣＥ程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计，并实际制作了用于２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的ＰＩＮ－ＨＥＭＴ前置放大器。实测结果表明放大器３ｄＢ带宽达到ＤＣ～４．４ＧＨｚ，增益为１８±１ｄＢ；加入ＰＩＮ二极管后的光接收模块的３ｄＢ带宽为ＤＣ～１．６８８ＧＨｚ，满足了２．４Ｇｂ／ｓ光纤通信的需要。     

GaAs高效率高线性大功率晶体管

介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等。通过管芯的结构设计、材料优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET(high performance FET)管芯进行阻抗匹配,实现了器件的大功率输出;通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率;通过严格控制栅凹槽的宽度,实现了较好的线性特性。测试结果表明,器件在5.3~5.9GHz频段内,P1dB为45W,功率附加效率ηadd为41%,实现了预期的设计目标。     

一种高速高精度比较器的设计

基于预放大锁存快速比较理论,提出了一种高速高精度CMOS比较器的电路拓扑.该比较器采用负载管并联负电阻的方式提高预放大器增益,以降低失调电压.采用预设静态电流的方式提高再生锁存级的再生能力,以提高比较器的速度.在TSMC0.18μm工艺模型下,采用Cadence Specture进行仿真.结果表明,该比较器在时钟频率为1GHz时,分辨率可以达到0.6mV,传输延迟时间为320ps,功耗为1mW.     

时空穿梭 到达未来

房间的主人想把这个视听室设计成一艘船的内部形状。如果曾经看过古代木船设计的朋友,一定知道古代木船的内部都是以木为主,而且是层层拼接,木头的质感非常强列。另外,主人还想要一个拱形的天花,灯光要柔和而浪漫。这个视听室还装备了各种世界级的影音器材,设计师为了衬托出这些顶级的器材,在装修时特地使用了昂贵的红木。     

高速高压光电耦合器

文章叙述了高速高压光电耦合器的工作原理、制作工艺、器件特性以及设计考虑。     

高占空比大功率激光器阵列

设计并研制了1cm长折射率渐变分别限制单量子阱(GRIN—SCH—SQW)单条激光器阵列。占空比为20％，在70A工作电流下，输出功率达到61．8W，阈值电流密度为220A／cm^2，斜率效率为1．1W／A，激射波长为808．2nm。     

大功率激光二极管高亮度、高功率密度光纤耦合

将条宽为 10 0μm ,有源区厚度为 1μm的大功率激光二极管 (L D)的输出光束高效地耦合到芯径是 5 0μm的多模光纤中 ,得到了高亮度、高功率密度的光纤输出 .功率密度高达 3.6× 10 4W/cm2 ,耦合效率为 70 % . L D输出光束的发散角较大并且存在较大的像散 ,因此耦合系统中需要结构复杂、性能可靠的微透镜 .采用在一个玻璃衬底上 ,具有两个不同曲率半径的双曲面透镜实现 L D与多模光纤的耦合 .     

高速高压大电流达林顿管

介绍了高速高压大电流达林顿管的设计及基本工艺。     

大功率激光二极管高亮度、高功率密度光纤耦合

将条宽为100μm,有源区厚度为1μm的大功率激光二极管(LD)的输出光束高效地耦合到芯径是50μm的多模光纤中,得到了高亮度、高功率密度的光纤输出.功率密度高达3.6×104W/cm2,耦合效率为70%.LD输出光束的发散角较大并且存在较大的像散,因此耦合系统中需要结构复杂、性能可靠的微透镜.采用在一个玻璃衬底上,具有两个不同曲率半径的双曲面透镜实现LD与多模光纤的耦合.     

一种应用于高速高精度模数转换器的比较器

文中设计了一种基于CMOS工艺的高速高精度时钟控制比较器。该比较器包含一个全差分开关电容采样级、一级预放大器、动态锁存器及时钟控制反相器。预放大器采用正反馈放大技术保证了增益和速度,锁存器采用两个正反馈锁存器和额外的反馈环路提高了锁存的速度。基于0.18μm 1.8V CMOS工艺进行了设计和仿真,结果表明该比较器可以应用于500 MSPS高精度流水线模数转换器。     

高密度高性能电子封装技术

本文简要概述了电子封装的发展过程及其结构形式，全面系统地介绍了近几年国外高密度高性能电子封装的最新进展，对当前电子封装的国际发展水平作一综述。