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通过对1.3μmInGaAsP/InPRWG型激光器的加速老化寿命试验,证明了此种结构激光器的可靠性,它在环境温度为50℃、100mACW及环境温度为80℃、100mACW的条件下加速老化,经过3220h的实际测试共计193200器件小时,在测试过程中没有一支器件失效。在这样的条件下其50℃下的外推寿命MTTF为20万h,其统计标准偏差为σ=1.016;80℃下的外推寿命MTTF为3.8万h,其统计标准偏差为σ=0.804,从而推算出该结构激光器的退化激活能Ea=0.543eV,其25℃下的寿命MTTF为103万h。 相似文献
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文章以美国ATMEL公司1995年新推出大容量按小扇区操作FlashMemory29C040A(512K×8)为例,说明了ATMELFlashMemory与Intel28F*系列不同的设计特点,并结合在单片机系统的应用,介绍了其应用技巧和经验. 相似文献
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卫星名称静止轨道位置电视台名称 下行频率MHz 电视制式 极化方式伴音频率或数字压缩参数备注及卫星所属国Intelsat-70 1(国际 70 1) 180°E美国TBNRFO波利尼西亚泰国 5频道、SBNCanal 喀里多利亚、波利尼西亚abc新闻传送3 7643 7723 92 240 951113 5PALPALPALPALNTSCRRLLV7/82 9.90 03 /44 .5 663 /42 1.2 0 03 /42 7.5 0 06.8Intelsat-70 2 (国际 70 2 ) 172°E美国RFO波利尼西亚 40 2 7PALL 3 /44 .5 66PANAMSAT -2 (泛美 2号 ) 169°E美国中央电视台… 相似文献
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本文首先分析GaAs MESFET在自升温效应下的升温幅度,然后结合器件电学参数随温度变化的特点,对器件的大信号等效电路模型进行了自升温效应下的修正。修正后的模型更准确地反映了器件的工作特性,应用于GaAs MESFET功率MMIC CAD中能进一步提高电路的设计精度。 相似文献
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Elvin Wong 《电子产品世界》2001,(19)
E5 CSoC(可配置芯片)是一款全新的8501衍生产品。选用E5 CSoC来设计嵌入式系统,可以大大简化电路。以基于8501的POS终端机为例,E5 CSoC器件可以取代传统设计中的FPGA和8032单片机。Flash和MCU之间不需要任何粘合逻辑,使系统芯片数更少。 相似文献
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阐述了光纤通信前置放大器的设计原理,分析了光接收机中PIN二极管和GaAsFET器件的信号模型和噪声模型,提取了放大器用GaAsFET器件的模型参数(包括大信号、小信号和噪声模型参数)。利用PSPICE程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计,并实际制作了用于2.4Gb/s光纤通信的PIN-HEMT前置放大器。实测结果表明放大器3dB带宽达到DC~4.4GHz,增益为18±1dB;加入PIN二极管后的光接收模块的3dB带宽为DC~1.688GHz,满足了2.4Gb/s光纤通信的需要。 相似文献
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介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等。通过管芯的结构设计、材料优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET(high performance FET)管芯进行阻抗匹配,实现了器件的大功率输出;通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率;通过严格控制栅凹槽的宽度,实现了较好的线性特性。测试结果表明,器件在5.3~5.9GHz频段内,P1dB为45W,功率附加效率ηadd为41%,实现了预期的设计目标。 相似文献
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基于预放大锁存快速比较理论,提出了一种高速高精度CMOS比较器的电路拓扑.该比较器采用负载管并联负电阻的方式提高预放大器增益,以降低失调电压.采用预设静态电流的方式提高再生锁存级的再生能力,以提高比较器的速度.在TSMC0.18μm工艺模型下,采用Cadence Specture进行仿真.结果表明,该比较器在时钟频率为1GHz时,分辨率可以达到0.6mV,传输延迟时间为320ps,功耗为1mW. 相似文献
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大功率激光二极管高亮度、高功率密度光纤耦合 总被引:2,自引:0,他引:2
将条宽为 10 0μm ,有源区厚度为 1μm的大功率激光二极管 (L D)的输出光束高效地耦合到芯径是 5 0μm的多模光纤中 ,得到了高亮度、高功率密度的光纤输出 .功率密度高达 3.6× 10 4W/cm2 ,耦合效率为 70 % . L D输出光束的发散角较大并且存在较大的像散 ,因此耦合系统中需要结构复杂、性能可靠的微透镜 .采用在一个玻璃衬底上 ,具有两个不同曲率半径的双曲面透镜实现 L D与多模光纤的耦合 . 相似文献
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高密度高性能电子封装技术 总被引:1,自引:0,他引:1
本文简要概述了电子封装的发展过程及其结构形式,全面系统地介绍了近几年国外高密度高性能电子封装的最新进展,对当前电子封装的国际发展水平作一综述。 相似文献