Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(Mg_(1/2)W_(1/2))O_3-PbTiO_3三元系低温烧成多层陶瓷电容器瓷料的研究

本文选择Pb(Ni_(1/3)Nb_(2/3))O_3-Pb(Mg_(1/2)W_(1/2))O_3-PbTiO_3三元系低温烧成独石电容器瓷料为研究对象.实验结果表明,一次合成工艺优于分别合成工艺.采用适当的配方,可获得900℃左右烧成ε～8000,tgδ0.01～0.025,-25℃～+85℃下△C/C<±45%,且其它性能亦良好的独石瓷料.升温速度的加快将导致介电性能的下降.微观结构研究结果表明,颗粒尺寸的增加和高介电常数晶体的增多将有利于ε的提高.获得了890℃～920℃下一次烧成该瓷料用的全银电报.     

MnCO3和CuO对中高压电容瓷料介电性能的影响

研究了MnCO3,CuO对0.90(Sr0.54Pb0.26Ca0.20)TiO3-0.1Bi2O3·3.5TiO2为系统的中高压瓷介电容瓷料的介电性能的影响,实验发现掺加MnCO3能提高居里温度,使ε-t峰向正温方向移动.MnCO3能起压峰作用,使介电常数(ε)减小,同时能改善瓷料的温度性能.MnCO3可以降低瓷料的低温损耗,但室温损耗变化不大.CuO的掺加有明显的展宽作用.     

改性添加物对SrTiO3基高压电容器瓷料性能的影响

本文在魏敏敏等人研究工作的基础上,研究了SrTiO3基瓷介电容器瓷料犤(Sr1-xPbx)TiO3犦y·(Bi2O3·3TiO2)y的高压电容器性能,着重讨论了Bi2O3、MnCO3、稀土元素M2O3改性添加物对材料性能的影响,研制出介电常数εr约3100,Eb>13.5kV/mm,△C/C(25-85℃)<6%的高压电容器瓷料。     

BaTiO_3——玻璃粉系瓷料低温烧结机理探讨

一、降低瓷料烧结温度的基本途径目前我国采用的铌镁铅(简称PMN)系瓷料,介电常数虽高,但成本高、对环境污染严重。我们所研制的低温烧结、Ag为电极的BaTiO_3基独石电容器瓷料,成本低、对环境污染小、性能较好而且可以大幅度降低能耗(初步估算,910℃烧成的瓷料,其     

空气中一次烧成Ln2O3掺杂SrTiO3GBBLC的研究

本文采用空气中一次高温还原烧成、快冷至中温氧化新工艺,系统地研究了稀土氧化物Ln_2O_3(Ln—La、Sm、Dy)掺杂对SrTiO_3半导瓷晶界阻挡层电容器(简称GBBLC)结构和性能的影响。获得了介电常数ε≥50000、介质损耗tgδ≤0.010、绝缘电阻率ρ≥10~(10)Ω·cm、介电常数温度系数(-25℃—85℃)α=±(10—12)％的La_2O_3掺杂SrTiO_3GBBLC_o其综合性能、稳定性、重复性好。实验结果表明:不同种类的La_2为_3掺杂对SrTiO_3显微结构和性能有很大彤响。提出了不同掺杂量时,Ln_2O_3掺杂SrTiO_2的晶粒缺陷机制。用XRD测定了Ln_2O_3掺杂SrTiO3的晶胞常数,SEM分析显示:Dy_2O_3、Sm_2O_3掺杂比La_2O_3掺杂的SrTiO_3晶粒生长缓慢,且Sm_2O_3掺杂的SrTiO_3晶粒生长呈取向分布。研究了非化学计量比对稀土氧化物掺杂SrTiO_2GBBLC的影响:探讨了烧成制度对性能的影响。     

SrTiO3基中高压电容器瓷料的合成条件研究

在文献[6]的基础上,进行了详细的合成条件研究,结果表明,2B4-2000组SrTiO3基中高压电容器瓷料可采用工艺流程较短,能耗较低的一次预烧合成工艺制备.其主要性能指标达到ε(20℃7≥2000 tgδ 40×10-4 ρv≥1012Ω.     

SrTiO_3基中高压电容器瓷料的合成条件研究

在文献 [6]的基础上 ,进行了详细的合成条件研究 ,结果表明 ,2B4 -2 0 0 0组SrTiO3 基中高压电容器瓷料可采用工艺流程较短 ,能耗较低的一次预烧合成工艺制备。其主要性能指标达到 :ε(2 0℃ ) ≥2 0 0 0　　　tgδ 4 0× 1 0 -4 　　　ρv≥1 0 12 Ω·cmΔε/ε2 0°c<± 1 0 %　　　Eb>9kv/mm     

BaO-Nd2O3-TiO2系陶瓷材料的研究

以BaO-Nd2O3-TiO2为主要研究体系,以Bi2O3,PbO为添加剂,研究了系统的成分配比和工艺对瓷料的介电性能的影响,成功研制出了性能优良的高频、高Q的MLC陶瓷材料.研究结果表明,当BaO:Nd2O3:TiO2的摩尔比为1:1:5时,可在中温范围内(≈1160℃)制成介电常数ε≈98, 介电损耗tg δ≈1.3×10-4(Q≈8000), 电容量的温度系数αc≈30ppm/℃,绝缘电阻IR>1013Ω的高频、高Q的MLC陶瓷材料;当BaO:Nd2O3:TiO2的摩尔比为1:1:4.5时,可在较高温度范围内(≈1200℃)制成介电常数ε≈93,介电损耗tg δ≈0.8×10-4(Q≈10000),电容量的温度系数αc≈10ppm/℃,绝缘电阻IR>1013Ω的高频、高Q的MLC陶瓷材料.     

掺杂Y3+,Dy3+的BaTi0.91Sn0.09O3陶瓷系统介电性能研究

研究了BaTiO3-BaSnO3系陶瓷电容器瓷料中掺杂稀土氧化物Y2O3和Dy2O3及不同掺杂方式对材料介电性能的影响.初步制得有高介电常数、低温度变化率的高压陶瓷电容器瓷料,应用X-射线衍射对样品进行微观结构分析,并探讨了改性作用的机理.     

试析滑石瓷的工艺改进

滑石瓷是特种瓷中Ⅳ级A组材料,属装置瓷的一种。是以天然矿物滑石(3MgO·4SiO_2·2H_2O)为主要原料制备,以偏硅酸镁(MgSiO_2)为主晶相的瓷料,其它包括粘土、BaCO_3等。滑石瓷也叫高频瓷,是一种介电性能优良而价格便宜的装置瓷。它的介电常数ε=6～7;介质损耗正切值tgo波动于3～20×10~(-4)0;绝缘强度是20～30KV/mm;体     

CeO2掺杂(Ba,Sr,Ca) TiO3 基高压电容陶瓷的研究

采用固相烧结法合成0.97(Ba0.6Sr0.3Ca0.1)TiO3·0.03(Bi2O3·3TiO2)陶瓷材料,研究了掺杂稀土氧化物CeO2对陶瓷材料介电性能的影响.随CeO2加入量的增加,材料的介电常数先增大后减小再增大后减小,而介电损耗先减小后增大,击穿场强先增大后减小.当CeO2为0.1wt%时,介电常数最大,εr=2384.当CeO2为0.2 wt%时,获得了介电常数为1730,介电损耗为0.0060,耐压为13.125 kV/mm的高压低损耗陶瓷电容器瓷料.利用SEM分析了不同CeO2加入量时样品的断面形貌,结果表明:CeO2可以抑制晶粒生长,细化晶粒,形成固溶体,而过量的CeO2偏析于晶界.     

BaTiO3系低温烧成高介X7R电容器瓷料

介绍了BaTiO3 系低温烧成高介X7R瓷料。采用了由BaTiO3 与Nd2O3 合成的主基材料 ,添加Bi2O3 ·2TiO2 陶瓷烧结助熔剂和硼硅铅低熔玻璃 ,可适于在低于1100℃下烧成 ,且介电常数大于3200 ,对影响瓷料的各种因素进行分析研究     

TiO_2/MgO共掺对99氧化铝瓷结构和微波介电性能的影响

采用无压烧结,在1550℃制备了TiO_2/MgO共掺99氧化铝瓷。研究了不同比例的TiO_2/MgO共掺对99氧化铝瓷的致密化、微观结构和微波介电性能的影响。研究发现:在共掺总量为1wt%的条件下,不同TiO_2/MgO掺杂所得的99氧化铝瓷均为单一刚玉相;TiO_2/MgO比例的提高有利于促进99氧化铝瓷的致密化、晶粒长大、介电常数εr的提高和介电损耗tanδ的降低;当TiO_2/MgO为0.8 wt%/0.2 wt%时,99氧化铝瓷的密度可达3.88 g/cm~3,介电常数εr可达9.90,tanδ约为0.0003。     

ZnO—B2O3—SiO2系统的介电性能研究

对ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元系统进行了ＸＲＤ和介电性能研究，提出系统的主晶相为方石英，另外还存在Ｚｎ２ＳｉＯ４相。Ｚｎ２ＳｉＯ４的ε为７．７，ｔｇδ≤５×１０＾－４，αｃ（介电常数温度变化率）为＋９０×１０＾－５／℃。调整各组分，获得一系列αｃ〉０的超低介电常数的介质陶瓷，其中介电性能为：ε≤５，Ｒｉ≥１０＾１３Ω，αｃ＝０±３０×１０＾－５／℃的组分，其烧结温度为１１４０℃，可用来制造高频低     

稀土元素及金属氧化物掺杂对BaTiO3系统耐压性能的影响

研究了稀土元素Er2O3掺杂对细晶BaTiO3系统介电及耐压性能的影响.其在BaTiO3晶粒中可抑制晶粒生长,使尺寸变小,体密度增高,呈现细晶效应,ε峰在整个温区范围内弥散,提高室温下介电常数,减小容量变化率.ZnO的加入使瓷料形成致密的细晶结构,有效地阻止了晶粒过度长大,改善了微观结构,减小了因气孔而造成的击穿,提高了耐压强度.     

助烧剂和基料晶粒尺寸对BaTiO_3-Nb_2O_5-Co_3O_4-La_2O_3系陶瓷性能影响

采用固相反应法制备温度稳定型BaTiO_3-Nb_2O_5-Co_3O_4-La_2O_3体系陶瓷材料,研究了助烧剂ZnO-B_2O_3和BaTiO_3基料晶粒尺寸对瓷料性能的影响。实验结果表明,适当用量的助烧剂引入,瓷料可以在900～1000℃范围内实现烧结,并保持X7R、X8R特性所需的介电性能。同时,制得的陶瓷材料晶粒为亚微米级,粒度分布范围窄,有利于减薄MLCC的介质厚度。BaTiO_3基料的晶粒尺寸对陶瓷材料的介电性能有明显影响。当基料为900℃预烧的小晶粒BaTiO_3时,在助烧剂掺杂量为最优值时,样品烧结后致密度高,损耗小,介电常数处于峰值。此后,随着助烧剂含量增加,介电常数逐渐下降;当基料是1000℃预烧的大晶粒BaTiO_3时,随着助烧剂的掺杂量增加,样品烧结后的直径收缩、介电常熟、介电损耗也一直增加,并不在某点出现峰值。     

B2O3-P2O5-SiO2系陶瓷的相组成和介电性能

讨论B2O3-P2O5-SiO2系低温共烧陶瓷的研究过程。该陶瓷用正交实验设计法安排试验,用单因素法设计陶瓷添加剂试验,用XRD分析其物相组成。从而获得了介电常数为4.1、介电损耗为5.0×10-4的低温共烧陶瓷。结果表明,该瓷料能满足1060℃共烧低介陶瓷的要求。     

纳米掺杂剂中Mn离子对BaTiO3基多层陶瓷电容器瓷料的影响

通过溶胶-凝胶法合成含Mn的复合氧化物Y3MgMgMnxSiO7.5 x(x=0.1,0.2,0.5,1.0)纳米掺杂剂,并采用纳米掺杂工艺制备BaTiO3基多层陶瓷电容器瓷料.采用热重-差热分析、X射线衍射、透射电子显微镜对干凝胶及其焙烧粉体进行表征,并研究了纳米掺杂剂中Mn离子对陶瓷微观结构、介电性能以及抗还原性的影响.结果表明:干凝胶经650,750,850,950 ℃焙烧后获得平均粒度分别为25.9,40.2,51.8,67.9 nm的Y3MgMnxSiO7.5 x纳米粉,在850℃附近从无定形态向结晶态转变.Mn能够显著地抑制BaTiO3基陶瓷的晶粒生长并提高均匀性和致密性,平均晶粒尺寸约0.4μm.随着纳米掺杂剂中Mn含量的增加,陶瓷由四方晶型向赝立方晶型转变,并促使"壳-芯"结构的形成,从而显著改善介电温度特性并提高室温介电常数(ε25℃≥2 600).纳米掺杂剂中多价态Mn离子作为受主能抑制自由电子浓度,增强瓷料的抗还原性,使瓷料的介质损耗减小(tanδ＜1.0%),绝缘电阻率提高(p=1012Ω·cm),符合EIA X7R/X8R标准.     

添加Co2O3对微波低介电常数陶瓷机械品质因数的影响

研究了添加不同质量分数的Co2O3对Mg3TiO4-Mg2SiO3基微波低介瓷料微观结构及介电性能的影响，通过XRD，SEM分析，发现Co2O3在瓷料中起助溶作用，有效降低了瓷料的烧结温度，使瓷体致密化，同时降低了损耗即提高了机械品质因数Q。加入的Co2O3分解生成的Co2^ 置换主晶相Mg2TiO3中的Mg^2 形成了固溶体(Mg，Co)2TiO3。当添加质量分数为2．4％的Co2O3时获得介电性能较好的瓷料。     

(Ba1-xSrx)(Mg1/3 Ta2/3)O3微波陶瓷介电性能研究

Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BMT)陶瓷是A(B′1/3B″2/3)O3(A=Ba,Sr;B′=Zn,Mg;B″=Nb,Ta)型复合钙钛矿化合物中的一种,A位由Sr离子取代Ba离子,形成(Ba1-xSrx)(Mg1/3Ta2/3)O3(简称BSMT)固溶体型化合物,也具有复合钙钛矿结构。Sr含量x≥0．6时发生相转变,形成一种新的低温相,这是由于氧八面体畸变造成的。这种低温相结构与BMT六方晶系结构相比具有较低的对称性。低温相的形成．可显著降低BSMT陶瓷的烧结温度．在150℃即可烧结致密(BMT为160℃)。BSMT的微观结构和介电性能(如介电常数ε和介电常数温度系数aε)的变化也与此相转变有关。