从含铜蚀刻废液中回收硫酸铜

采用酸性蚀刻液与碱性蚀刻液混合中和沉淀铜的方法生产硫酸铜。试验结果表明，最佳工艺条件为：中和反应pH=6～7，酸解反应每100g滤渣消耗95％(质量分数)硫酸30mL，硫酸铜产率为84％，纯度为96％。混合沉淀铜后滤液中仍含有大量的氯化铵和少量的二价铜离子，实验采用水合肼还原除铜，回收滤液用于配制新的蚀刻液。水合肼还原除铜工艺条件：pH为8，滤液与水合肼体积之比为100：3，二价铜离子的去除率达到96．8％。该工艺简单可行，操作方便，成本低，是一种处理印制电路板(PCB)企业蚀刻废水、回收铜的有效方法，有一定的应用价值。     

利用PCB碱性蚀刻废液制备高纯度纳米铜粉

采用液相化学还原法从碱性蚀刻废液中制备高纯度的纳米铜粉,以回收碱性蚀刻废液中的铜。研究了还原剂种类和用量、反应温度和反应时间对纳米铜粉形貌、粒度和分散性的影响。结果表明,制备纳米铜粉的最佳还原剂为水合肼,最优工艺条件为:PVP(聚乙烯吡咯烷酮)0.003g/L,CTAB(十六烷基三甲基溴化铵)0.002g/L,n(N2H4.H2O):n{[Cu(NH3)4]2+}=1:3,反应温度70°C,反应时间30min。采用最优工艺可制得球状、粒径在100nm范围内、纯度高、抗氧化性好的纳米铜,对碱性蚀刻废液中铜的回收率在98%以上。     

铜电积液中氯离子的净化试验研究

本文介绍了利用印刷电路板含铜蚀刻废液生产阴极铜时,硫酸铜电积液中氯离子的净化工艺。考察了铜粉除氯法的反应时间、温度及不同氯离子浓度等条件对净化效果的影响。指出了动态搅拌接触法发优于静态的"铜粉柱"渗滤法。     

二氧化硫脲还原法制备纳米铜颗粒

以CuSO4×5H2O为原料、聚乙烯吡咯烷酮为分散剂、葡萄糖和二氧化硫脲为还原剂,采用液相两步还原法制备分散性较好的球形纳米铜粉,考察了预还原步骤、二氧化硫脲与铜离子浓度配比、反应温度和反应时间对铜粉粒度、分散性和形貌的影响,表征了铜粉的特性. 结果表明,较优的制备条件为：二氧化硫脲与硫酸铜溶液浓度比2:1、反应温度75℃、反应时间15 min,该条件下所制产品为粒径20~100 nm的类球形铜粉.     

印制板碱性蚀刻废液用于化学镀铜

印制板蚀刻液有酸性和碱性两大类,目前国内双面板主要应用碱性蚀刻溶液。主要或份为氯化铵,氯化铜,氨水等,蚀刻废液中铜离子的含量达160克/升,若制成硫酸铜,则一升废液可制得0.5kg的硫酸铜。由于废液中含有大量的铜和氨,溶液必须经过处     

硝酸铵氧化法制备氯化亚铜技术研究

介绍了硝酸铵氧化分解海绵铜生产氯化亚铜的方法。工艺过程：将海绵铜加入硝酸铵和硫酸的混合液中,海绵铜中的铜溶解得到硫酸铜溶液;向硫酸铜溶液中加入亚硫酸铵和氯化铵,亚硫酸铵将硫酸铜还原为硫酸亚铜,氯化铵将硫酸亚铜氯化沉淀为氯化亚铜;氯化亚铜经酸洗、醇洗、烘干得到成品;滤液经蒸发浓缩得到硫酸铵副产品。最佳制备条件：（1）海绵铜溶解过程,反应温度为60 ℃,硫酸浓度为0.2~0.3 mol/L,硝酸铵用量为过量10%~20%;（2）沉淀氯化亚铜过程,亚硫酸铵与硫酸铜的物质的量比为0.6,氯化铵与硫酸铜的物质的量比为1.0~1.1; （3）沉淀氯化亚铜用质量分数为2%的硫酸水溶液洗涤,再用质量分数为95%的乙醇洗涤,再经烘干得到氯化亚铜产品,所得产品质量符合GB/T 27562-2011《工业氯化亚铜》要求。     

含硫氰酸根废液综合利用及无害化处置技术路线研究

利用硫酸铜、亚硫酸钠与硫氰酸根据合成反应生成硫氰酸亚铜工艺,对硫氰酸钾废液进行无害化处置。实验结果表明,利用合成生成硫氰酸亚铜,可以对硫氰酸钾废液中的硫氰酸根进行回收利用,硫氰酸根的去除率达99%以上,合成后的滤液经过漂水氧化后用D403树脂进行离子交换去除铜、芬顿氧化去除COD处理后,铜离子浓度低于0.5 mg·L~(-1),COD浓度为213 mg·L~(-1),达到《污水综合排放标准》GB8978-1996三级标准。     

利用PCB碱性蚀刻废液制备纳米铜导电胶

以碱性蚀刻废液为原料,采用液相还原法制备了纳米铜粉,将制备的纳米铜粉作为导电填充料添加到环氧树脂中制备出纳米铜导电胶。研究了纳米二氧化硅、硅烷偶联剂KH570和纳米铜粉的添加量对导电胶剪切强度以及纳米铜粉添加量对导电胶体积电阻率的影响,探讨了环氧树脂与固化剂聚酰胺适宜的反应时间。实验结果表明,所制备的铜粉为球状,粒径在40～100nm之间;当环氧树脂与固化剂聚酰胺树脂650的质量比为4∶1,纳米二氧化硅、硅烷偶联剂和纳米铜粉的加入量分别占环氧树脂–聚酰胺树脂体系质量的1.5%、4.0%和70%时,在90°C下固化1.0h,可以制备出体积电阻率为3.05×10-3Ω·cm、剪切强度达8.04MPa的导电胶。     

碱性含铜蚀刻废液再生处理及回收铜技术研究现状与发展趋势

介绍了碱性蚀刻液的蚀刻机理、蚀刻废液的产生;综述了碱性含铜蚀刻废液再生方法及回收铜的工艺过程、技术特点和产品质量;简介了碱性含铜蚀刻废液再生处理及回收铜技术的发展趋势等。     

三效蒸发协同处理含铜蚀刻废液研究

含铜蚀刻废液的处理一直是印刷线路板(PCB)企业面临的较大的问题,主流工艺均采用从含铜蚀刻废液中制备精细铜化合物的工艺,从中回收有价值的铜.但回收完铜以后的废水中仍有大量氯离子,需进行后续处理才能符合国家排放标准.在近期的一个新建项目中,我们采用三效蒸发协同工艺处理含铜蚀刻废液,处理后的水可用于生产回用,从而实现零排放...     

含铜酸性蚀刻废液环保资源化利用技术

PCB行业含铜蚀刻废液产量大、污染指数高,又是一种有价复合资源,本文论述了萃取-电积、隔膜电解、铁置换铜及生产硫酸铜等资源化利用技术,介绍了上述技术的适用范围及存在问题的解决方法,指出酸性蚀刻废液环保资源化处置途径。     

铜蚀刻废液制备氧化铜

采用沉淀法分别以酸性蚀刻废液、酸性和碱性混合蚀刻废液制取氧化铜，并优化了工艺条件。结果表明，酸性蚀刻废液和混合蚀刻废液中铜离子沉淀的最佳pH值分别为9和4．3，氢氧化铜沉淀的最佳分解温度和时间分别为500℃和30rain，采用自来水洗3次、纯净水洗3次的洗涤方式，可有效去除沉淀中的杂质氯离子和铵离子。     

高砷含铜废酸综合利用试验研究

铜阳极泥酸浸脱铜后产出的高砷含铜废酸采用三段旋流电积工艺脱除铜、砷、锑、铋等杂质。针对系统存在的问题,技术人员对二段电积脱铜后的浸出液进行试验,分步硫化,提取铜元素,分离砷元素;然后利用氧化镁中和沉淀镍元素,废液浓缩制备七水硫酸镁产品,从而实现资源的回收利用。其中,硫化沉淀铜、砷元素的最佳工艺参数为硫化氢与铜元素摩尔比1.2、反应温度50℃。     

碱性蚀刻废液制备硫酸铜的研究2

研究了以碱性蚀刻废液、盐酸、硫酸为原料,采用酸化法制备硫酸铜.实验结果表明,以pH为5.2～5.6制备沉淀、添加了添加剂BY-1的水洗涤沉淀3次、化浆用水量约为沉淀重量的2倍、酸化后溶液pH值为1.5～2.0,粗结晶前加入添加剂BY-2,在重结晶中按硫酸铜饱和溶液:乙醇为7∶3的体积比加入乙醇,制备得到的硫酸铜,其纯度...     

采用液相还原法从废铜料中制备纳米铜粉

采用处理废铜料所得的硫酸铜溶液为原料,低毒害的铝粉为还原剂,使用液相还原法制备纳米铜粉。利用XRD和SEM对所制纳米铜粉进行表征。在反应温度80℃时,加入物质的量为硫酸铜10%的CTAB,获得晶粒粒径约45 nm的铜粉,其表面未有氧化。利用此法制备纳米铜粉,提高了废铜料的应用价值,实现了贵重资源的再生利用。     

含铜废液综合利用技术研究

研究了从含铜废液生产硫酸铜、铜粉及回收其它有价值化工产品的工艺技术，实现循环利用和废物排放最小化。     

利用含锌铜烟尘制备活性氧化锌和硫酸铜工艺研究

针对含锌铜烟尘,经过多方案对比,提出一条含锌铜烟尘制备活性氧化锌副产硫酸铜的工艺,即采用配碳还原挥发锌的方法,可实现锌铜分离,然后采用酸浸法制备活性氧化锌;含铜残渣用于制备硫酸铜.其中采用配碳高温还原挥发锌实现锌和铜有效分离是重要的关键技术.在确定的工艺条件下,全流程的锌和铜收率分别为96.21%和97.95%.获得的活性氧化锌达到HG/T 2572-1994的指标要求.硫酸锌和硫酸铜溶液净化过程中产生的氢氧化铁,经过烘干、焙烧,可获得优质铁精矿.硫酸锌制备活性氧化锌前驱体过程中产生的硫酸铵溶液,经过浓缩结晶获得硫酸铵产品,可作为农用肥料,浓缩产生的水可返回利用.该工艺对类似烟尘的综合利用具有借鉴作用.     

溶剂热法制备铜与氧化亚铜纳米晶

利用溶剂热法，以五水硫酸铜、氢氧化钠、无水乙醇为原料，在无水条件下通过乙醇还原氧化铜制得了形状均一、分散性较好的纳米铜颗粒；在有水条件下通过乙醇还原氧化铜合成出了一维氧化亚铜纳米棒。利用X射线粉末衍射仪（XRD）及高分辨透射电镜（HRTEM）对合成产物进行了物相与形貌分析。在实验中还发现反应温度与溶剂中水的加入量是影响乙醇还原性的主要因素，并由此决定了最终产物的相组成。     

铜氨废水处理与废铜液回收

简述某电子厂生产电路板过程中产生的镀铜废液，废水回收处理方法，介绍应用高质量浓度含铜废液制取工业硫酸铜与海绵铜的工艺方法和流程，铜氨废水的处理要用破络添加混凝剂沉淀后可达标排放，对调试，运行中一般故障的排除进行了论述。     

负载铜银粉导电胶制备的最佳工艺选择

本文采用化学还原法,即利用甲醛溶液还原银氨溶液,使还原出来的银粉均匀包覆在铜粉表面,制备出镀银铜粉。讨论了银氨溶液和甲醛浓度、反应温度、搅拌速度、研磨等工艺条件对镀银铜粉的粒径及形貌的影响,并确定了最佳的工艺条件。