引线框架材料的开发

可裸焊接合的引线框架是指在集成电路组装时将电路片和引线直接焊接到引线框架表面上不需要采取传统的镀银，不仅节省了镀银费用而且还大大缩短了组装时间．日本神产钢铁公司开发了两种可裸焊接合的材料DKLF合金和KFC合金．DAnF合金是已取得专利权的铜基合金，DKLF－5的成分是Cu—Zngn－0．l％Fe－0．03％P已广泛作为可禅焊接合的引线框架用于小型晶体管和二极管．在DKLF合金上的焊料即使经过423KX1000h的退火以后也不会脱落，可是通常在镀铜合金上的焊接经过yX：）11的退火后就会脱落．最近的研究表明，DKLF合金在空气中退火12…     

引线框架材料的冲裁加工性

引线框架材料的冲裁加工性引线框架合金的冲裁加工性是提高引线框架合金质量和满足电子机器高性能化需求的一个重要条件。为此，研究了添加微量元素（Ｓ）对其冲压塌边的影响以及消除应力退火对引线位移的影响。研究的材料成分为Ｆｅ－４２Ｎｉ，Ｆｅ－４２Ｎｉ－－０．０...     

日立金属公司的引线框架材料

日立金属公司的引线框架材料引线框架材料大致分为冲压用材和蚀刻用材两类，作为冲压用材日立金属公司开发了ＹＥＦ４２和ＹＥＦ４２－ＳＨ合金，作为蚀刻用材则使用ＹＥＦ４２Ｌ和ＹＥＦ４２ＬＴ合金。ＹＥＦ４２是４１％Ｎｉ－Ｆｅ合金，与硅晶片的热匹配性好，强度高而...     

高强度Cu-Ni-Si系引线框架材料研究进展

综述了引线框架用Cu-Ni-Si材料中Ni、Si元素质量比及含量对Cu-Ni-Si合金性能的影响。归纳总结了Cu-Ni-Si合金的强化机制、影响电导率的因素,并简单列举了Cr、Zn、P、Al微量元素加入的机理．介绍了不同热处理工艺对Cu-Ni-Si系合金性能的影响。     

Cu-Ni-Si基引线框架材料的性能研究

分析了固溶处理、冷变形以及时效处理对Cu-Ni-Si系列合金的显微硬度、电导率的影响规律.同时通过设计3种不同成分(Cu-Ni-Si、 Cu-Ni-Si-Ag、 Cu-Ni-Si-P)的引线框架材料,分析了合金成分Ag、 P对Cu-Ni-Si基引线框架材料性能的影响.结果表明,微量P能有效提高合金的显微硬度,稍微降低了铜基体的电导率;微量的Ag能提高合金的硬度,但作用没有P明显,而且Ag能提高铜基体的电导率.     

引线框架材料Cu-Fe-P合金试制产品分析

应用光学显微镜、电子拉力机、导电仪和硬度计等,研究了Cu-0.1?-0.03%P铜合金框架材料的生产过程及其形变时效机理,试制品性能与国外同类产品进行了比较,结果表明:σb=421MPa,HV0.5=123,导电率90.87%IACS,软化温度425℃,综合性能和国外产品相当,可以替代进口产品.怛伸长率稍低.     

引线框架材料Cu-Ni-Si系合金的发展

概述了引线框架用Cu-Ni-Si合金的研究现状。介绍了Cu-Ni-Si合金中Ni、Si元素的含量及其质量比对Cu-Ni-Si合金性能的影响,合金化特点,时效过程中的组织转变及热处理工艺和Zn、P、Ag、Cr、Al、稀土等微量元素对Cu-Ni-Si合金硬度、电导率等性能的影响。     

引线框架用铜合金材料弯曲回弹有限元分析

阐述了引线框架材料在国内外的研究与发展现状,着重分析了铜合金材料的弯曲回弹量.利用三维软件建立弯曲模型,然后在模拟软件中进行模拟,进行计算和必要的后处理后,最后根据有关数据计算出四种铜合金材料的弯曲回弹量的大小,得出四种铜合金材料CuFeP、CuCrSnZn、CuCrZrMg、CuNiSi的回弹量由大到小顺序排列为:CuCrZrMg、CuNiSi、CuFeP、CuCrSnZn,表明四种引线框架铜合金材料的弯曲性能依次增大;铜合金框架材料的最小弯曲半径越小,其回弹量越小.     

C194铜合金引线框架材料的形变热处理

研究了形变热处理对C194铜合金引线框架材料组织和性能的影响。C194铜合金板坯经固溶处理后进行冷轧变形,然后分别在550℃和450℃进行两次时效处理,并在两次时效间再对合金实施不同程度的冷轧变形。结果表明,随着两次时效间的冷轧变形率从0％到80％变化,合金内的位错密度升高,γ-Fe相充分均匀析出;当这种冷轧变形率达到70％时,C194铜合金获得最佳的综合性能,抗拉强度提高到440MPa,电导率提高到72．7％ IACS。     

引线框架铜合金材料弯曲成形性能数值分析

结合有限元法分析了三种不同的高性能引线框架铜合金材料(Cu-Fe-P、Cu-Ni-Si、Cu-Cr-Sn-Zn)的弯曲成形过程,找出相应材料的最小弯曲半径值,比较它们的弯曲成形性能的优劣。结果表明,Cu-0.38Cr-0.17Sn-0.16Zn框架材料的弯曲成形性能最好,Cu-0.1Fe-0.03P次之,Cu-3.2Ni-0.75Si最差。     

引线框架材料Cu-Fe-P合金的析出相研究

用透射电子显微镜对市售的两种编号为A、B的C194铜带的显微组织和析出相进行观察分析,结果表明两种试样的析出相中都有Fe3P,只是A试样的析出相有三种,一是数量极少的粗大的γ-Fe,一是直径为100 am左右的球形颗粒α-Fe,另一种为50 am左右的微小粒子Fe3P.B试样中只有分布均匀且密度较高的纳米微粒Fe3P.B试样的微观结构均匀性优于A试样,且没有粗大的第二相γ-Fe和α-Fe,这是两者性能差异的主要原因.     

引线框架用铜合金

引线框架用铜合金作为集成电路引线框架用的材料，铜合金大约占７０％，其余则是４２合金。之所以广泛使用铜合金，主要是因为它比４２合金具有更好的传热性而且价格也合算。随着电气、电子机器的小型化和轻量化，集成电路组装也向高集成化、小型化发展。为了适应这种发展...     

引线框架材料C194x的组织性能分析

利用光镜、SEM和TEM等手段研究了热处理对合金微观组织的影响,通过测定应力-应变曲线、维氏硬度和电导率来研究合金的性能变化规律,并分析了材料组织性能变化的机理。     

手机快充端子铜镍硅引线框架材料研究进展

简述了手机的快充模式与应用,综述引线框架的材料发展。对比了几种常见手机快充端子引线框架材料的力学性能和导电导热性能。介绍了Cu-Ni-Si合金的研究情况,结合主流手机充电端子的设计思路探讨可能发生的失效模式和产生原因,为提高手机Cu-Ni-Si引线框架的品质提出措施。     

IC铜合金引线框架材料的氧化失效及其机理

通过氧化膜剥落实验发现,在相同条件下,EFTEC64T和C194两种材料的氧化膜与基底结合强度较高,不易剥离,而C5191和C7025两种材料则较差.通过AES对各铜合金材料氧化膜进一步的分析表明:铜合金材料氧化膜基本结构为CuO/Cu2O/Cu,且氧化膜的结合强度与CuO成分在氧化膜中所占比例有关,比例愈高则越易剥落.研究还发现:在氧化过程中,铜合金的某些微量元素会在氧化膜与基底的界面上发生富集偏析,这是导致氧化膜结合强度减弱的主要原因.     

引线框架材料C194x的组织性能分析

利用光镜、SEM和TEM等手段研究了热处理对合金微观组织的影响，通过测定应力-应变曲线、维氏硬度和电导率来研究合金的性能变化规律，并分析了材料组织性能变化的机理。     

Cu-Fe-P合金引线框架材料残余应力的有限元分析

针对微观状态下的Cu-Fe-P合金引线框架材料起皮处Fe颗粒密集区,采用弹塑性有限元方法建立力学模型分析残余应力的分布.主要研究了对施加一定位移载荷的模型卸载后Fe颗粒对材料残余应力分布规律的影响.研究发现,Cu基体和Fe颗粒界面附近两相的残余应力值很大;且在卸载前后沿载荷方向,颗粒和基体的残余应力方向相反.界面两侧的残余应力差值也因两种反向应力的作用而加大,最终导致界面处被撕裂,材料表面起皮.     

IC铜合金引线框架材料的氧化失效及其机理

通过氧化膜剥落实验发现,在相同条件下,EFTEC64T和C194两种材料的氧化膜与基底结合强度较高,不易剥离,而C5191和C7025两种材料则较差.通过AES对各铜合金材料氧化膜进一步的分析表明铜合金材料氧化膜基本结构为CuO/Cu2O/Cu,且氧化膜的结合强度与CuO成分在氧化膜中所占比例有关,比例愈高则越易剥落.研究还发现在氧化过程中,铜合金的某些微量元素会在氧化膜与基底的界面上发生富集偏析,这是导致氧化膜结合强度减弱的主要原因.