a—C：H（N）薄膜的生物相容性

采用射频－直流等离子增强化学气相沉积法用Ｃ２Ｈ２与Ｎ２的混合气体制备了ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜,用动物急性实验法和细胞毒性实验法研究了ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜的生物相容性。结果表明,ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜的生物相容性优于常用生物材料纯Ｔｉ,且能为细胞的生长提供合适的生长表面。     

多弧法沉积Ti（C,N）膜中的CN相

在高速钢基片和〈１００〉单晶硅片上，用多弧法在Ｃ２Ｈ２，Ｎ２，Ａｒ的气氛中电弧蒸发Ｔｉ靶来制备沉积Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）膜。总气压在１．２Ｐａ内，起始镀膜温度为２６０℃。Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）膜的晶格取向以除了〈１１１〉，〈２００〉，〈２２０〉外，还出现一些新的衍射峰，配合ＸＰＳ成份分析，本文认为Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）膜中有ＣＮ结构相存在。随着Ｃ２Ｈ２／Ｎ２流量比的增加，膜中增加了ＴｉＣ、ＣＮ结构超硬相和石墨相，从而导致     

国外文摘

转化膜９８１１００１光线照射对Ｔｉ阳极氧化膜的影响——ＧｏｒｓｅＤ．Ｃｏｒ－ｒｏｓｉｏｎＡｂｓ，１９９６，３５（１）∶４（英文）研究了光线照射对通过惰性气体或金属离子的移植形成Ｔｉ阳极氧化膜的影响，膜层的电学、光学、电化学性能的改善取决于光照参数，特...     

真空和射频溅射对ITO膜性能的影响

为进一步探求磁控溅射的机理,本文通过用直流和射频两种磁控溅射沉积ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜的方法,由沉积的ＴＩＯ膜的特性来揭示不同溅射的机制。     

金刚石薄膜与基材之间过渡层技术的研究

通过ＴＥＭ观察发现在金刚石膜与单晶硅片，金刚石膜与ＡｌＮ陶瓷之间存在一层过渡层，过渡层的存在为金刚石的形核及生长提供了有利的条件，受此启发，为了改善金刚民基材的结合强度，采用磁控溅射，空心离子镀，真空蒸镀等方法在Ｍｏ片上沉积ＴｉＣ，ＴｉＣＮ（Ｃ／Ｎ＝１／２）ＴｉＣＮ（Ｃ／Ｎ＝１／１０）等薄膜，研究了它们对金刚石膜与基材的结合强度的影响。     

rf-dc PECVD制备的a-C∶H(N)薄膜的结构分析

采用射频－直流等离子增强化学气相沉积技术用Ｃ２Ｈ２和Ｎ２气的混合气体制备出ａ－Ｃ∶Ｈ（Ｎ）薄膜,用ＴＥＭ、红外谱、ＸＰＳ等多种分析测试手段研究了薄膜的结构。结果表明ａ－Ｃ∶Ｈ（Ｎ）薄膜中Ｎ与Ｃ原子可形成ＮＣ、ＣＮ和ＮＣ键,而碳氢原子主要以ＣＨ２基的形式存在。且薄膜中存在具有理想化学配比的Ｃ３Ｎ４相,薄膜的结构是由Ｃ３Ｎ４相镶嵌在非晶态ＣＮｘ基体中组成     

国外文献速递

薄膜技术９９０６００１用复合ＰＶＤ工艺制备装饰性膜——ＳｈｉｍｐｉＫＣ．Ｓｕｒ－ｆａｃｅ＆ＣｏａｔｉｎｇｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ,１９９７,９０（１～２）∶１１５（英文）研究了用反应弧蒸镀和磁控溅射复合工艺在不锈钢基体上制备逐渐过渡的氮化物和金合金薄膜...     

在不锈钢上电沉积烧结Cr2O3—Y2O3薄膜及其改性后的抗高温氧化性能

分别在Ｃｒ（ＮＯ３）３、Ｙ（ＮＯ３）３及二者混合溶液中以１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔ９不锈钢为阴极，电沉积Ｃｒ（ＯＨ）３、Ｙ（ＯＨ）３及Ｃｒ（ＯＨ）３－Ｙ（ＯＨ）３复合薄膜，然后经烧生成Ｃｒ３Ｏ４－Ｙ２Ｏ３及其复合薄膜层。通过研究未沉积试样与具有不同配比的薄膜试样在高温下静态氧化行为及表面氧化膜形貌、组成等。来探讨１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ表面经Ｙ、Ｃｒ的氧化物改性后的抗高温氧化性能。     

用等离子体基脉冲偏压技术制备DLC膜

用等离子体基脉冲偏压技术制备了ＤＬＣ膜，ＤＬＣ膜硬度值达３０ＧＰａ，电阻值达１００ＭΩ以上。降低脉冲负压峰值及适量引入氢气可促进ＳＰ＾３结构的形成，但氢气量超过一定阈值后ＳＰ＾２束片尺寸细化，ＳＰ＾２键含量有增加的趋势。在ＧＣｒ１５轴承钢基体上经磁控溅射沉积约３００ｎｍ纯Ｔｉ层，再用脉冲偏压技术沉积ＤＬＣ膜的改性层，在ＤＬＣ膜与ＧＣｒ１５钢基体之间形成了Ｃ－Ｔｉ成分渐变的梯度层。     

新型磁控溅射法合成C_3N_4/TiN复合膜

本工作采用在封闭型非平衡磁场ｄｃ磁控溅射系统中增加对阴极的方法制备Ｃ３Ｎ４／ＴｉＮ复合交替膜，用获得的ＴｉＮ对进行Ｃ３Ｎ４强迫晶化，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和电子衍射（ＴＥＤ）分析表明生成了立方氮化碳（ｃ－Ｃ３Ｎ４）。交替膜的界面处有ＴｉＣ的生成。     

新型磁控溅射法合成C3N／TiN复合膜

本工作采用在封闭型非平衡磁场ｄｃ磁控溅射系统中增加对阴极的方法制备Ｃ３Ｎ４／ＴｉＮ复合交替膜，用获得的ＴｉＮ对进行Ｃ３Ｎ４强迫晶化，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和电子衍射（ＴＥＤ）分析表明生成了立方氮化碳（ｃ－Ｃ３Ｎ４）交替膜的界面处有ＴｉＣ的生成。     

GCr15钢等离子体基离子注入Ti和C混合层的XPS研究

用Ｘ射线光电子谱研究了ＧＣｒ１５轴承钢不平衡磁控溅射沉积Ｔｉ，继之等离子体基离子注入碳的等离子体基离子注入混合层的Ｃ，Ｔｉ浓度深度分布及其化学结构。表明混合层的最表层为碳沉支，其Ｃｌｓ谱峰呈类金刚石特征，喇曼光谱肯定辽一特征。碳沉积层下面为Ｃ－Ｔｉ混合区，Ｔｉ和Ｃ各以游离态和化合物态存在。混合层内Ｔｉ和Ｃ浓度沿层深连续变化，无突变区，在原Ｔｉ沉积层与基材轴承钢发生反冲增强扩散现象。     

海外文献速递

薄膜２００００２０１微波等离子体增强化学气相沉积金刚石膜微观结构──Ｃｈｅｎ Ｙ Ｈ． Ｏｉａｍｏｎｄ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ, １９９８, ７（９）：１２７２（英文） 用富Ｓｉ氨化物作预聚物和用负偏压微波等离子体增强化学气相沉积方法,在Ｓｉ基体上选择性部位沉积（ＳＡＤ）金刚石膜。结果表明,Ｃｈ４／Ｈ２混合气体压力过低（７． ９８～９． ９８） × １０~３ Ｐａ,Ｓｉ基体上金刚石膜形核受到抑制,ＳｉＮ基体上形核不受影响,采用以上工艺可获得高ＳＡＤ金刚石膜。最佳沉积工艺参数：气体总压力７．…     

在不锈钢上电沉积烧结Cr_2O_3－Y_2O_3薄膜及其改性后的抗高温氧化性能

分别在Ｃｒ（ＮＯ３）３、Ｙ（ＮＯ３）３及二者混合溶液中以１Ｃｒ１８ＮｉｇＴｉ不锈钢为阴极，电沉积Ｃｒ（ＯＨ）３、Ｙ（ＯＨ）３及Ｃｒ（ＯＨ）３－Ｙ（ＯＨ）３复合薄膜，然后经烧结生成Ｃｒ２Ｏ２－Ｙ２Ｏ３及其复合薄膜层。通过研究末沉积试样与具有不同［Ｃｒ３＋］和［Ｙ３＋］配比的薄膜试样在高温下静态氧化行为及表面氧化膜形貌、组成等，来探讨１Ｃｒｌ８Ｎｉ９Ｔｉ表面经Ｙ、Ｃｒ的氧化物改性后的抗高温氧化性能。     

涂层与薄膜

２０００１２０１ 原位退火时磁控溅射Ｎｄ１Ｂａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜的影响——Ｍｏｒｉ Ｚ．Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ,１９９９,３５４（１～２）：１９５（英文） ＮｄＢａ２Ｃｕ３３Ｏ７－δ（ＮＢＣＯ）薄膜经原位退火后,薄膜质量得到改善。用单靶直流磁控溅射方法在 ＭｇＯ（１００）上制备 ＮＢＣＯ薄膜,沉积后将薄膜冷却至室温,然后在４００ＰａＯ２气氛中,将沉积室温升高至３５０－６００℃,保温０．５～８０．０ ｈ。经此处理后,薄膜的超导性能以及电阻率、粗糙度明显改善。原位退火后可提高薄膜Ｃ轴向零电阻温度…     

C2H2／N2流量比对沉积Ti（C,N）薄膜影响的研究

以Ｃ２Ｈ２和Ｎ２为反应气体，Ａｒ作载气，用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）薄膜。所制轩的薄膜分别用ＳＥＭ，ＸＲＤ，ＸＰＳ等技术进行分析与测试。结果表明，薄膜结构比较致密，膜厚在１．５－２．０μｍ。     

RF—PCVD沉积参数对TiN沉积速率的影响

用射频等离子体沉积ＴｉＮ膜，对影响薄膜生长的因素作了研究。特别是Ｈ２，Ｎ２，ＴｉＣｌ４及射频功能、偏压对膜生长速率的影响进行了报导。     

a-C:H(N)薄膜的制备及性能

采用射频－直流等离子化学气相沉积法用Ｃ２Ｈ２、Ｎ２和Ａｒ组成的混合气体制备ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜,研究了薄膜的制备工艺、结构及直流导电特性。实验结果表明,ａ－Ｃ：：Ｈ（Ｎ）薄膜的沉积速率随混合气体中Ｃ２Ｈ２含量的增加而增大,当混合气体中Ｎ２含量增加到７５％时,薄膜的含氮量增大到９．０９％。薄膜中Ｃ、Ｎ原子以Ｃ≡Ｎ和Ｃ－Ｎ键的形式存在,结合进薄膜中的氮大大降低薄膜的直流电阻率。     

基片负偏压对PEMSIP法铁基体TiN涂层相组成的影响

利用等离子体增强磁控溅射离子镀（ＰＥＭＳＩＰ）技术在铁基体上沉积ＴｉＮ涂层之前，先镀一层很薄的钛中间层，继之再沉积ＴｉＮ。研究了基片负偏压对涂层相组成的影响。结果表明，随着基片负偏压增加，膜层的相分朝着富氮相及其含量增加的方向发展，变化趋势为（ａ－Ｔｉ＋Ｔｉ２Ｎ＋ＴｉＮ）→（Ｔｉ２Ｎ＋ＴｉＮ）→ＴｉＮ。在基体中间层界面处有ＦｅＴｉ相；在中间层与后继膜的交接处，发现ａ＝１与Ｔｉ２Ｎ有取向关系。     

文献题录

文献题录９４１０３８等离子体促进物理气相沉积Ｔｉｃ涂层的性质（英）／ＵＰａｄｈｙａＫ／／ＭａｔｅｒＳｅｔＥｎｇＡ（瑞士）一１９９１，１４０（１／２）．－５４９～５５３９４１０３９用电弧过程镀制（ＴｉＡＩ）Ｎ膜层（英〕／ＣｏｌｌＢＦ…／／ＭａｔｅｒＳｃ...