蒸发硒化法制备CIS／CdS太阳电池研究

用蒸发硒化法制作的基于ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）膜的ＣＩＳ／ＣｄＳ太阳电池，面积为０．１ｃｍ２和１ｃｍ２电池的转换效率分别达到７．６２％和７．２８％，５ｃｍ×６ｃｍ电池的平均效率达到６．６７％。对制备工艺及关键技术、电池性能和退火效应进行了分析探讨。     

大面积集成型a－SiC：H／a－Si：H叠层太阳电池的研制

报道了大面积（２７９０ｃｍ２）集成型ａ－ＳｉＣ：Ｈ／ａ－Ｓｉ：Ｈ叠层太阳电池的研制及稳定性实验结果，讨论了限制该电池效率的一些因素。实验电池的性能参数：Ｖｏｃ＝４０．８Ｖ，ＩＳＣ＝５３０．４０ｍＡ，ＦＦ＝４９．４％，有效面积（２２８０ｃｍ２）光电转换效率ＥＦ＝４．６９％（ＡＭ１．５，１００ｍＷｃｍ－２，２５℃）。制备出光电子学性能优良的ａ－ＳｉＣ：Ｈ薄膜及解决电池内部ｎ／Ｐ结的接触问题是提高该电池性能的关键。     

400cm2 a-Si/a-Si叠层太阳电池的研究

以全部国产化装备和工业用原材料，以简单铝背电极制备出初始效率为８．２８％，经室外阳光照射一年后稳定效率为７．３５％，面积为２０ｃｍ×２０ｃｍ，有效面积为３６０ｃｍ２ａ－Ｓｉ／ａ－Ｓｉ叠层太阳电池。主要制备技术措施：（１）ＴＣＯ／ｐ界面接触特性的改善；（２）μｃ－ＳｉＣ∶Ｈ／ａ－ＳｉＣ∶Ｈ复合窗口层技术；（３）ｐ／ｉ界面Ｈ处理；（４）高质量本征ａ－Ｓｉ∶Ｈ材料；（５）优良的ｎ１／ｐ２隧道结；（６）最佳电池结构设计等。     

带有缓变层的大面积集成型a—Si：H太阳电池的研制

报道了把缓变层用于大面积（２７９０ｃｍ＾２）单结集成型ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板工业化生产的研究工作。分析了它对太阳电池板性能参数Ｖｏｃ，Ｉｓｃ、ＦＦ、η的影响和对提高ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板转换效率的作用。试验所得电池板的平均开路电压达２５．１Ｖ，平均转换效率达６．２％，分别比同时生产的无缓变层电池板的水平提高９．１３％和１６．９８％。试验中最好的电池板开路电压达２５．６Ｖ，转换效率达６．６％。     

多晶CdS／Cu2S异质结太阳电池光电流及转换效率的计算

根据半导体材料的性能参数，对多晶ＣｄＳ／Ｃｕ２Ｓ薄膜太阳电池在各种浓度下的光伏特性作了较深入的分析和计算。计算中考虑到耗尽区宽度的变化以及内表面复合损失对光电流ＪＬ的影响，同时还用Ｒｏｔｗａｒｆ晶界复合损失模型计算了晶粒度对光电流及光伏特性的影响。存在一个最佳Ｃｕ２Ｓ受主浓度Ｎａ＝１０＾１５ｃｍ＾－３，单晶和晶粒度Ｒ＝３μｍ的多晶电池，其转换效率分别为１３．６％和１３．３％。     

带有缓变层的大面积集成型a－Si：H太阳电池的研制

报道了把缓变层用于大面积（２７９０ｃｍ２）单结集成型ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板工业化生产的研究工作。分析了它对太阳电池板性能参数Ｖｏｃ、Ｉｓｃ、ＦＦ、η的影响和对提高ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板转换效率的作用。试验所得电池板的平均开路电压达２５．１Ｖ，平均转换效率达６．２％，分别比同时生产的无级变层电池板的水平提高９．１３％和１６．９８％。试验中最好的电池板开路电压达２５．６Ｖ，转换效率达６．６％。     

RTCVD工艺制备poly—Si薄膜太阳电池的研究

报道了快速热化学气相沉积（ＲＴＣＶＤ）工艺制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及电池的实验和结果。采用ＳｉＨ２Ｃｌ２作为原料气体，衬底温度为１０３０℃时，薄膜的生长速率为１０ｎｍ／ｓ。发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关。用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备１ｃｍ２的ｐ＋ｎ结样品电池，无减反射涂层，其转换效率为４．５４％（ＡＭ１．５，１００ｍＷ／ｃｍ２，２５℃）。     

激光开槽埋槽电极硅太阳电池的性能及分析

报道了面积为４５ｃｍ＾２的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的研制情况。在ＡＭ１．５、２５℃、１００ｍＷｃｍ＾－２的条件下，测试３６片该类太阳电池，其输出参数的平均值为：Ｊｓｃ＝３６．１ｍＡｃｍ＾－２，Ｖｏｃ＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后，分析了该类电池特有的工艺及结构设计的作用机理。     

EBV法制备Znln2S4薄膜的性质研究

用电子束加热真空蒸发法（ＥＢＶ法）制备了厚度为３５０ｎｍ的ＺｎＩｎ２Ｓ４薄膜。研究了最佳成膜工艺条件和最新电子能谱分析结果；通过不同气氛处理可以控制材料的导电类型，典型膜的电阻率为２．５×１０＾－１Ω．ｃｍ，Ｈａｌｌ迁移率为５２ｃｍ＾２．Ｖ＾－１．ｓ＾－１，载流子浓度为１．４２×１０＾１７ｃｍ＾－３，禁带宽度为２．１３ｅＶ。探讨了ＺｎＩｎ２Ｓ４膜的导电机理，并制作了ＺｎＩｎ２Ｓ４－Ｓｉ太阳电池。     

SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响

用ＰＥＣＶＤ方法制备出高电导率（～０．２ｓｃｍ－１）、宽带隙（～２．２ｅＶ）的Ｐ型微晶化硅碳合金（ｐ－μｃ－ＳｉＣ：Ｈ）薄膜材料。利用ｐ－μＣ－ＳｉＣ：Ｈ／ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ复合结构做ａ－Ｓｉ太阳电池的窗口材料，明显改善了ＳｎＯ２／ｐ之间的接触特性，从而使１０ｃｍ×１０ｃｍ单结集成型电池的填充因子从０．７０以下提高到０．７２。     

ＣＴ引导下１２５Ｉ粒子植入治疗晚期胰腺癌的临床疗效分析

目的 探讨ＣＴ引导下１２５Ｉ粒子组织间植入治疗晚期胰腺癌的疗效。方法 回顾性分析２００６年６月至２００８年６月１４例无法手术切除的晚期胰腺癌患者，于术前采用治疗计划系统（ＴＰＳ）重建胰腺肿瘤的三维立体图像，通过ＴＰＳ计算出所需粒子数目和总活度，在ＣＴ引导下将１２５Ｉ粒子植入胰腺肿瘤体内。采用的粒子活度为每粒０．５ ～ ０．８ ｍＣｉ，粒子间距为０．６ ～ １．０ ｃｍ，植入时避开血管、胰管以及肠管尤其是结肠等重要脏器，粒子植入后随访时间为２ ～ １８个月。结果 １４例患者粒子植入术后３ ～ ７ ｄ，疼痛开始缓解，术后２个月ＣＴ复查，完全缓解（ＣＲ）１例，部分缓解（ＰＲ）８例，疾病稳定（ＮＣ）３例，疾病进展（ＰＤ）２例，总有效率（ＣＲ　＋　ＰＲ）６４．３％。全组生存时间５　～　１８个月，中位生存时间１０个月。随访中无胰腺炎、胃肠道出血、放射性肠炎等严重并发症。结论　　　１２５Ｉ粒子组织间植入治疗晚期胰腺癌在疼痛缓解方面疗效明确，具有近期疗效好、创伤小、并发症少等优点。     

掺硼（B）非晶硅（a—Si：H）材料固相晶化（SPC）的研究

对掺硼（Ｂ）材料的固相晶化进行了研究。通过对不同掺Ｂ浓度的ａ－Ｓｉ：Ｈ样品退火前后的Ｘ射线衍射，光吸收系数、电导率、激活能及Ｈａｌｌ迁移率的测量发现，Ｂ原子在固相晶化过程中起晶核作用，晶化后的样品具有较高的迁移率及电导率，同时具有较大的禁带宽度。当掺Ｂ浓度仅为０．１７％时，晶化后样品的电导率４．３５ｓｃｍ＾－１，迁移率为１４０ｃｍ＾２Ｖ＾－１Ｓ＾－１，禁带宽度Ｅ０４＝２．１６ｅＶ。该材料是一种较好     

CdS／CdTe－CdS／Cu_2S异质二重结薄膜太阳电池的设计与计算

根据半导体材料的性能参数，考虑光电压Ｖ和耗尽区宽度Ｗ的变化对光电流ＪＬ的影响，较严格地计算了ＣｄＳ／ＣｄＴｅ和ＣｄＳ／Ｃｕ２Ｓ两种异质结单晶薄膜太阳电池的光伏特性曲线。然后在的条件下，对由上述两种异质结构成的二重结太阳电池的ＣｄＴｅ、Ｃｕ２Ｓ厚度进行匹配，计算各种组合下二重结太阳电池的光伏特性曲线。理论证明最佳匹配厚度Ｈｍａｘ约为９．０６μｍ，最大短路电流、开路电压、转换效率分别为１４．２２ｍＡｃｍ－２、１．３Ｖ和１４、６８％。     

经桡动脉冠心病介入诊疗中桡动脉痉挛的发生及其预测因素

目的 探讨经桡动脉入路行冠心病介入诊疗中桡动脉痉挛发生的风险及其预测因素。方法 入选经桡动脉入路行冠心病介入诊疗的患者１ ０２０例,记录所有患者的病史资料及用药方案,均经桡动脉行冠状动脉（冠脉）造影术。测量桡动脉直径并记录动脉解剖异常情况,再行下一步的冠脉造影（ＣＡＧ）或冠脉介入治疗（ＰＣＩ）。应用Ｌｏｇｉｓｔｉｃ回归模型分析各因素对冠心病介入诊疗过程中桡动脉发生痉挛的影响。结果　　　２０９（２０．５％）例患者发生桡动脉痉挛。多元Ｌｏｇｉｓｔｉｃ回归分析显示女性（ＯＲ　＝　２．８,９５％　ＣＩ ２．５　～　５．８;Ｐ　＝　０．００１）、年龄（ＯＲ　＝　０．６８,９５％　ＣＩ　０．６０　～　０．９２;Ｐ　＝　０．００３）、吸烟（ＯＲ　＝　２．３,　９５％　ＣＩ １．８　～　４．１;Ｐ　＝　０．０２６）、桡动脉鞘置入时前臂疼痛（ＯＲ　＝　３．０,９５％　ＣＩ ２．３　～　４．８;Ｐ　＝　０．００６）、桡动脉路径解剖异常（ＯＲ　＝　４．７,９５％　ＣＩ ３．６ ～ ７．２;Ｐ　＝　０．００２）、桡动脉直径／身高比值（ＯＲ　＝　５．２,９５％　ＣＩ ３．７　～ ８．１;Ｐ　＝　０．０１２）、桡动脉直径／导管外径比值（ＯＲ　＝　５．８,９５％　ＣＩ ４．２　～　６．９;Ｐ　＝　０．００６）、导管交换次数（ＯＲ　＝　２．３,９５％　ＣＩ １．４　～ ４．３;Ｐ　＝　０．０３８）是桡动脉发生痉挛的独立相关因素。结论　　　经桡动脉入路行冠心病介入诊疗过程中患者发生桡动脉痉挛事件较常见,女性、低龄、吸烟、桡动脉路径解剖异常、桡动脉直径／身高的比值低、桡动脉直径／导管外径的低比值、多次导管交换是其发生的主要危险因素。     

Ag／AuGeNi／n—GaSb欧姆接触的研究

研究了Ａｇ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＳｂ在１５０°－４５０°下合金处理对欧姆接触的影响，最佳合金温度为２２０℃，此进接触电阻率为６．７×１０＾－４Ωｃｍ＾２。用ＡＥＳ和ＸＲＤ研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化，并讨论了接触电阻率与微结构的关系。     

某些稀土离子对电沉积 CdTe 薄膜性能影响的研究

ＣｄＴｅ薄膜半导体电极通过电沉积法制备。电沉积溶液组成对ＣｄＴｅ薄膜组成和性能有较大影响，通过在电镀液中添加某些稀土离子，结合ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＸＰＳ和光电Ｉ－Ｖ特性曲线进行分析研究，表明电沉积ＣｄＴｅ薄膜存在择优取向，经２５０℃热处理后，晶粒长大，镀液中添加Ｙ３＋、Ｌａ３＋、Ｃｅ３＋和Ｎｄ３＋后增大尤为明显，晶粒线性尺寸最大达２．５—３．０×１０－７ｍ左右，并伴有孪晶产生，可提高薄膜Ｃｄ／Ｔｅ比等，有利于提高ＣｄＴｅ光电性能。经测试，其光电转换效率可增大到２．６—３．３％。     

某些稀土离子对电沉积CdTd薄膜性能影响的研究

ＣｄＴｅ薄膜半导体电极通过电沉积法制备。电沉积溶液组成对ＣｄＴｅ薄膜组成和性能有较大影响，通过在电镀液中添加某些稀土离子，结合ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＸＰＳ和光电Ｉ－Ｖ特性曲线进行分析研究，表明电沉积ＣｄＴｅ薄膜存在择优取向，经２５０℃热处理后，晶粒长大，镀液中添加Ｙ＾３＋、Ｌａ＾３＋、Ｃｅ＾３＋和Ｎｄ＾３＋后增大尤为明显，晶粒线性尺寸最大达２．５－３．０×１０＾－７ｍ左右，并伴有孪晶产生，可提高薄膜Ｃｄ     

高转换效率的多晶薄膜太阳电池

高转换效率的多晶薄膜太阳电池据《日经新材料和工艺》杂志１９９４年第１４２期报道，三洋电机公司研制成功转换效率达８．５％的多晶薄膜太阳电池。电池结构如图１所示。样品电池的大小为１ｃｍ×１ｃｍ。图１电池结构提高转换效率的主要措施是加大晶粒，减少晶界。与已...     

快速汽相沉积法制备硅薄膜太阳电池

对在重掺杂抛光单晶硅衬底上用ＲＴＣＶＤ法形成硅薄膜太阳电池进行了研究。衬底为〈１００〉晶向ｐ＋ ＋ 型重掺硅片,电阻率为５×１０－ ３Ωｃｍ 。主要工艺过程为：在衬底上生长一层硅薄膜同时掺硼,膜厚３８μｍ ,扩磷制备ｐ－ｎ 结,背面蒸Ａｌ及Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ 制背电极,正表面在扩散后生长一层ＳｉＯ２ ,前面用光刻剥离法制备Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ 电极,制成的１ｃｍ ２ 太阳电池,开路电压ＶＯＣ＝ ６１２．８ｍ Ｖ,短路电流ＩＳＣ＝ ２９．３ｍ Ａ,填充因子ＦＦ＝ ０．７５７９,效率η＝ １３．６１。对一些影响电池特性的因素进行了研究,发现硅薄膜的掺杂浓度、发射层的掺杂浓度以及减反射层都对太阳电池的特性有较大影响。     

短暂性脑缺血发作患者ＡＢＣＤ２评分与责任血管狭窄相关性的初步研究

目的探讨短暂性脑缺血发作（ＴＩＡ）患者ＡＢＣＤ２评分与责任血管狭窄的相关性,以及侧支循环对ＴＩＡ预后的影响。方法回顾性研究８４例ＴＩＡ患者入院时的ＡＢＣＤ２评分及脑血管ＤＳＡ影像学资料,根据ＡＢＣＤ２评分,分为≥４分组和＜４分组;根据ＤＳＡ影像学结果,分为责任血管狭窄≥５０％组和＜５０％组,评价ＡＢＣＤ２评分与责任血管狭窄的相关性,以及侧支循环对ＴＩＡ后２ｄ内脑卒中风险的影响。结果①责任血管狭窄率≥５０％组与＜５０％组比较,年龄≥６０岁者所占比率高［分别为５２．７％和２７．６％,χ２＝４．８７,ＯＲ值＝２．９２８,９５％ＣＩ（１．１０９,７．７３３）,Ｐ＝０．０２７］,既往有缺血性卒中史者所占比率高［分别为２９．１％和６．９％,χ２＝５．５５５,ＯＲ值５．５３８,９５％ＣＩ（１．１７６,２６．０８７）,Ｐ＝０．０１８］。②责任血管狭窄率≥５０％组与＜５０％组比较,ＡＢＣＤ２评分≥４分者所占比例高［分别为４５．５％和２０．７％,χ２＝５．００１,ＯＲ值＝３．１９４,９５％ＣＩ（１．１２５,９．０７０）,Ｐ＝０．０２５］。③责任血管狭窄率≥５０％组ＴＩＡ患者２日内卒中发生率高于狭窄率＜５０％组（分别为３６．４％和２７．６％）,但差异无统计学意义［χ２＝０．６５８,ＯＲ值＝１．５００,９５％ＣＩ（０．５６２,４．００６）,Ｐ＝０．４１７］。④责任血管狭窄率≥５０％组ＴＩＡ患者２ｄ内卒中风险与持续吸烟、ＡＢＣＤ２评分≥４分相关,侧支循环开放使２ｄ内脑卒中风险降低,［ＯＲ值＝０．１７９,９５％ＣＩ（０．０５１,０．６２４）,Ｐ＝０．００５］。结论①年龄及既往缺血性卒中史与血管狭窄程度相关。②ＡＢＣＤ２评分≥４分与责任血管狭窄≥５０％相关。③责任血管狭窄率≥５０％组中,持续吸烟、ＡＢＣＤ２评分≥４分使ＴＩＡ患者２ｄ内脑卒中风险增加;侧支循环开放使ＴＩＡ患者２ｄ内脑卒中风险降低。