带有缓变层的大面积集成型a—Si：H太阳电池的研制

报道了把缓变层用于大面积（２７９０ｃｍ＾２）单结集成型ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板工业化生产的研究工作。分析了它对太阳电池板性能参数Ｖｏｃ，Ｉｓｃ、ＦＦ、η的影响和对提高ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板转换效率的作用。试验所得电池板的平均开路电压达２５．１Ｖ，平均转换效率达６．２％，分别比同时生产的无缓变层电池板的水平提高９．１３％和１６．９８％。试验中最好的电池板开路电压达２５．６Ｖ，转换效率达６．６％。     

大面积a—Si：H太阳能电池薄膜均匀性的研究

本文对３０５×９１５ｍｍ规格单结ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池进行切割分析，指出同块电池上下同区域的“子电池”的电性能差异以及ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池在制造过程中产生这种不均匀性的工艺设备因素，最后提出改进措施，以提高大面积ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳能电池的成膜质量。     

大面积a—si：H太阳电池

本文介绍了大面积a-Si:H太阳电池的结构、制造工艺和我们目前取得的进展。整个电池由29个子电池内部串联而成,面积为2790cm~2。最好的太阳电池,有效面积转换效率为7.9％,总面积转换效率为6.4％。讨论了并联电阻和填充因子的关系,在结构、材料和工艺确定的情况下,并联电阻是影响填充因子和效率的主要因素。     

太阳能电池方阵与遮挡物距离的确定

探讨了根据太阳能电池方阵安装地点的情况方阵前后排之间的距离或方国与遮挡物之间距离的问题，选出了最经济可行的方案。     

a—Si：H^＋太阳电池的电调制反射谱测量

本文报道了用电调制反射(ER)谱技术测量a-Si太阳电池中非晶硅膜的禁带宽度E_g和厚度均匀性的结果。该技术简单,测量灵敏度和分辨率高,并可直接对成品电池进行测量,无需专门加工样品。另外,ER谱只与a-Si膜的性质有关,不受玻璃和ITO膜的影响。     

带有缓变层的大面积集成型a－Si：H太阳电池的研制

报道了把缓变层用于大面积（２７９０ｃｍ２）单结集成型ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板工业化生产的研究工作。分析了它对太阳电池板性能参数Ｖｏｃ、Ｉｓｃ、ＦＦ、η的影响和对提高ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板转换效率的作用。试验所得电池板的平均开路电压达２５．１Ｖ，平均转换效率达６．２％，分别比同时生产的无级变层电池板的水平提高９．１３％和１６．９８％。试验中最好的电池板开路电压达２５．６Ｖ，转换效率达６．６％。     

Spectral response of a-Si:H p–i–n solar cells

The spectral response of a typical thin-film a-Si:H p–i–n solar cell has been investigated using the simulation RAUPV2. The peak in the external quantum efficiency has been observed to shift towards the violet part of the spectrum on decreasing the cell thickness. Moreover, the height of the peak increases as cell thickness is decreased. This is correlated with an enhancement in cell performance for thinner cells, due to a general increase in the drift field within the cell. The external quantum efficiency of a cell with an optimal concentration of phosphorous in the intrinsic layer has also been investigated. The external quantum efficiency for this cell is similar to that of the thinner cell, and is associated with the enhancement of the drift field near the p/i interface that is brought about by the phosphorous doping of the intrinsic layer. However, the integrated recombination for the thinner cell and the phosphorous-profiled cell differ significantly at long wavelengths, despite their similarity at shorter wavelengths. This effect is due to the weakening of the drift field near the n/i interface in the phosphorous-profiled cell.     

晶体硅太阳电池丝网印刷电极接触电阻及其测量

金属电极与硅的接触电阻是影响太阳电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的重要因素之一，本文研究了晶体硅太阳电池丝网印刷烧结银电极与硅接触电阻及其测量。判断印刷烧结工艺的好坏。应在保证p／n结特性良好的前提下使接触电阻最小为最佳。     

确定太阳电池结品质因子的新方法

提出了一个确定太阳电池结品质因子Q的新方法，并给出理论推导、求解步骤和实际计算结果。     

染料敏化纳米TiO2薄膜太阳电池测试

从染料敏化纳米薄膜太阳电池(以下简称DSCs)结构和原理出发,探讨DSCs与常规硅太阳电池在测试上的区别。讨论了不同光源光谱条件、光强、数据采集速率以及环境温度对DSCs光伏性能测试的影响,获得准确测试DSCs光伏性能的方法和技术。     

高空飞艇薄膜太阳电池内辐射量计算研究

修正了任一方向的平面内太阳辐射计算模型,使之适用于编程计算各种倾角和方位角平面上的太阳辐射。在曲面上进行网格划分,生成若干个小平面,推导出平面法向量与倾角和方位角之间的关系式,逐个计算每个小平面上太阳辐射量,叠加后近似代替整个曲面上的太阳辐射量。运用此方法计算了高空飞艇的薄膜太阳电池上辐射量,并与此薄膜太阳电池在水平投影面内辐射量计算结果进行比较。结果表明,用水平投影面内辐射量代替薄膜太阳电池内辐射量有很大的偏差。因此,在高空飞艇能源系统性能详细分析阶段需要使用曲面内太阳辐射量计算模型,为随后的光电转换与能源系统计算提供准确的太阳辐射数据。