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量子点(QDs)材料由于其出色单色性,发光可调等优点,在电致器件方面得到了快速的发展。文章研究通过物理方法在QDs核生长的过程中用溶剂稀释单体的浓度,减少QDs核的生长时间,从而可在不改变化学成分比例的基础上改变QDs的发光波长。进一步通过包覆ZnSe与ZnSeS壳层对发光波长进行调制,最终得到光致波长在540 nm的绿色QDs。通过对比实验以及LaMer模型解释了发生变色的原理。仅在核的生长阶段进行干涉才能控制QDs的发光峰位。同时发现提高QDs外壳的包覆温度对QDs的缺陷的减少有积极作用。随后将得到的QDs用于制备量子点电致发光器件,在8 V电压下得到了348993 Cd/m2的亮度,以及32 Cd/A的电流效率。另外,该方法可以为其它类型的由热注入法制备的纳米材料制备提供新的思路。
相似文献2.
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采用非平衡格林函数方法求解量子输运过程,探讨结构对称性对双量子点干涉仪中量子输运的影响,结果表明,调节点一导线间耦合,导致双量子点干涉仪结构对称性和电子传输路径不同,使得电子隧穿并联双量子点结构呈现出一系列的新奇特性。当点一导线间的耦合强度不同,两量子点中阶梯状的平均电子占据数的分离程度不同,且两台阶的平缓程度也不同,证明了结构决定性能,也为设计可控量子器件提供一个理论依据。 相似文献
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一些无机半导体器件和许多有机薄膜器件都具有电双稳特性.通过对CuPc有机薄膜器件的,I-V曲线的分析,说明CuPc薄膜器件具有明显的电双稳特性.研究了膜厚对器件I-V特性的影响,结果表明CuPc膜厚达到750 nm器件才表现出明显的电双稳特性,此时跳变电压为7.51V.Ag底电极器件的转变电压(9.6V)与ITO底电极器件的转变电压(7.47V)不同,简要分析了造成这种区别的原因.并对器件电双稳态特性的形成机理进行了解释. 相似文献
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在LSS(liquid-solid-solution)多相体系中制得了CdSe、CdSe/ZnS量子点和Eu掺杂的量子点。利用TEM、XRD、PL、EDS对产物进行了表征。TEM结果显示所得的量子点形貌规则、尺寸均匀。XRD结果显示CdSe/ZnS量子点呈六方晶系。PL结果对比表明,合适厚度壳层ZnS包覆后的CdSe量子点发光效率明显提高,发光峰的半高宽有大幅度提高,并分析了所得的结果。掺杂稀土元素Eu后,CdSe(Eu)量子点在红光区域产生了新的发光峰;而CdSe(Eu)/ZnS量子点在红光区域内没有出现发光峰,并阐明了这种现象的原因。 相似文献
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通过自组装技术将十二胺包覆到CdSe量子点表面实现量子点的氨基改性,并以三乙烯四胺为固化剂制备得到CdSe量子点/环氧树脂复合材料,研究了量子点表面氨基改性对复合材料性能的影响。通过高分辨透射电镜表征量子点的分散情况及粒径大小,X射线能谱表征量子点改性前后元素的变化,动态光散射表征量子点团簇在环氧基体中的粒度分布,紫外-可见光谱表征复合材料的透明性,荧光光谱表征复合材料的荧光性能,冲击试验表征量子点改性前后对复合材料的增韧作用。结果表明,氨基改性量子点/环氧树脂复合材料的透明度为原始量子点/环氧树脂复合材料的2倍,荧光强度为原始量子点/环氧树脂复合材料的4倍。当量子点含量为0.5%时,氨基改性量子点/环氧树脂复合材料的冲击强度达7.28 k J/m~2。 相似文献
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水相中CdSe与核/壳CdSe/CdS量子点的制备与发光特性研究 总被引:9,自引:0,他引:9
以巯基乙酸为稳定剂在水相中制备了CdSe与核/壳型CdSe/CdS量子点水溶胶, 用紫外-可见吸收光谱和发射光谱研究了它们的发光特性, 并且用X射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)表征了它们的结构、形貌和化学组成, 结果表明使用该方法制备的量子点分散性良好, 而且用CdS对CdSe进行表面修饰以后的发光强度明显提高, 发射光谱和吸收光谱都有红移现象, 不同粒径颗粒的吸收峰的位置也有所不同. 相似文献
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《IEEE transactions on nanobioscience》2009,8(1):72-77
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采用溶液浇铸法制备了不同CdSe-ZnS量子点(Quantum dots QDs)含量的QDs/乳酸-乙醇酸共聚物(PLGA)复合材料薄膜,通过傅里叶变换红外光谱仪、透射电子显微镜(TEM)、光致发光光谱仪(PL)及紫外-可见吸收光谱仪(UV-Vis)等对薄膜的微观结构与光学性能进行了表征,并对不同降解时间后降解液的pH值、薄膜的发光情况和相对分子质量及其分布进行了测试。PL及UV-Vis结果显示,QDs/PLGA纳米复合材料的发光性能良好,吸光度随QDs含量增加而增大;TEM结果显示,QDs在基体中分散良好;在体外降解过程中,凝胶渗透色谱和缓冲液p H值测试结果说明,量子点催化了PLGA的降解;复合材料的荧光效应随着降解时间的延长逐渐减弱。以上结果说明,采用简单的溶液浇铸法制备的CdSe-ZnS QDs/PLGA复合材料发光性能稳定优异,且可以通过检测荧光效应变化以实现动态监测QDs/PLGA复合材料的降解进程。 相似文献
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In this work we report a physical deposition-based, one-step quantum dot (QD) synthesis and assembly on ternary metal oxide nanowires for photovoltaic applications. Typical solution-based synthesis of colloidal QDs for QD sensitized solar cells involves nontrivial ligand exchange processing and toxic wet chemicals, and the effect of the ligands on carrier transport has not been fully understood. In this research using pulsed laser deposition, CdSe QDs were coated on Zn(2)SnO(4) nanowires without ligand molecules, and the coverage could be controlled by adjusting the laser fluence. Growth of QDs in dense nanowire network structures was also achieved, and photovoltaic cells fabricated using this method exhibited promising device performance. This approach could be further applied for the assembly of QDs where ligand exchange is difficult and could possibly lead to reduced fabrication cost and improved device performance. 相似文献