高压集成电路中高压功率MOSFET的设计

本文提出了一种BCD工艺下实现的高耐压LDPMOS和VDNMOS功率器件互补结构,其优点是高低压兼容性好、耐压高、易集成.MEDICI模拟结果表明击穿电压可达200V,可应用于PDP高压驱动等高压集成电路.     

PDP扫描驱动芯片中高压VDMOS器件的设计

PDP扫描驱动芯片完成高低压转换和功率输出,要求器件耐压170v.本文基于BCD工艺,提出了高压器件VDMOS的结构,采用了不附加工艺的场板和场限环两种终端结构提高器件耐压,并利用器件模拟软件MEDICI进行了仿真验证,得到了优化的器件结构参数.     

PDP驱动芯片中高压LDMOS建模

建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型,该模型集成了LDMOS固有特性：准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容等. 与其他物理模型和子电路模型比较,该模型不但能提供准确的模拟结果,而且建模简单快捷,另外该模型可较容易地嵌入SPICE模拟软件中. 模型的实际应用结果显示：模拟与实测结果误差在5%以内.     

PDP驱动芯片中高压LDMOS建模

建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型,该模型集成了LDMoS固有特性:准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容等.与其他物理模型和子电路模型比较,该模型不但能提供准确的模拟结果,而且建模简单快捷,另外该模型可较容易地嵌入SPICE模拟软件中.模型的实际应用结果显示:模拟与实测结果误差在5%以内.     

PDP扫描电极高压驱动电路的研究

介绍了PDP驱动电路的构成,在分析扫描电极高压驱动波形和驱动电路设计考虑的基础上,研究了扫描电极高压驱动电路的实现方法,并对能量恢复电路作了一定的介绍。通过电路分析,该驱动电路能够完成各个时期输出相应脉冲的要求,且能量恢复电路能够降低系统功耗。     

新型功率MOSFET驱动电路的设计

提出了一种全新思路的功率ＭＯＳＦＥＴ驱动电路。该电路采用数字电路结构，分立器件少，易实现模块化，波形控制十分灵活，工作频率很高，适用于高频软开关的开关电源及ＤＣ／ＤＣ变换器。     

高压功率集成电路中LDMOS的设计研究

高压功率集成电路(HVPIC),是指将需要承受高电压(达数百伏)的特定功率晶体管和其它低压的控制电路部分兼容,制作在同一块IC芯片上。本文以器件模拟软件MEDICI为工具,用计算机仿真的方法,研究了一种适用于高压功率集成电路的单晶结构的LDMOS的设计问题,其中包括器件的N阱掺杂浓度、衬底浓度、P反型层浓度和结深等主要参数对击穿电压的影响,重点分析了N阱中P型反型层与漏极N^ 区距离Lp对器件耐压的影响,并分析了相应的物理意义。仿真结果表明,Lp对器件耐压有明显的影响。通过优化设计对应于各个参数器件的击穿电压变高,并且受工艺参数波动影响较小,达到了功率集成电路耐压的要求。     

基于MOSFET设计优化的功率驱动电路

在分析了功率MOSFET其结构特性的基础上,讨论驱动电路的设计,从而优化MOSFET的驱动性能,提高设计的可靠性。     

基于MOSFET设计优化的功率驱动电路

在分析了功率MOSFET结构特性的基础上,讨论驱动电路的设计,从而优化MOSFET的驱动性能,提高设计的可靠性。     

PDP显示驱动芯片的高速高低压接口电路的设计

从分析影响PDP显示驱动芯片中高低压接口电路的工作速度的几个方面出发,提出一个改进了的高速高低压接口电路,从电路结构上改善了驱动芯片的频率特性,进而为等离子显示的高分辨率大屏幕化提供了有利条件。通过Hspice模拟验证了改进结构的速度性能比传统结构提高了5％～10％。     

一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现

对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。     

PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计

设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m A的工作要求下安全工作     

PDP选址驱动芯片HV-CMOS器件的研究

文章提出了一种适合PDP选址驱动芯片的HV-NDMOS（High Voltage N-channel Lateral Double-diffused MOSFET）工艺结构，并通过二维MEDIC^[1]软件对该结构进行模拟，论证了其独特的优越性-防穿通。同时提出了HV-PMOS（High Voltage P-channel MOSFET）的厚栅氧刻蚀方法-多晶硅栅自对准刻蚀。     

交流彩色PDP的驱动集成电路

主要介绍ＡＣ彩色ＰＤＰ驱动技术的发展，为增大面积和提高亮度而采用存储式脉冲驱动，为适应需要高压驱动而设计的介质分离和结分离耐高压工艺，选择两各寻址的扫描集成块。并着重介绍富士通公司开发的全色交流区动系统－－寻址周期分离系统（ＡＤＳ－Ｓｕｂｆｉｅｌｄ）子场驱动法。     

基于薄膜SOI的PDP高压寻址驱动集成电路

基于自主开发的薄膜SOI高低压兼容工艺,研制出一种64位输出的薄膜SOI PDP高压寻址驱动集成电路.测试结果显示,该电路具有80 V驱动电压和20 mA输出电流,电路时钟频率大于40 MHz.     

彩色PDP的驱动集成电路

彩色PDP显示系统是目前大型壁挂式电视、HDTV和大型多媒体显示技术的发展趋势,文中从PDP显示屏的特点出发,介绍了彩色PDP驱动集成电路的基本结构和性能特点,并给出了PDP显示屏的两种接口电路。     

基于PDP扫描驱动芯片的LQFP封装热特性研究

研究了LQFP封装的96路等离子平板显示(PDP)扫描驱动芯片的封装热特性,利用有限元法对所建立的封装模型进行数值求解,并与实测结果进行比较,验证了模型求解的可靠性与准确性。研究表明,在集成电路封装设计中,增大散热基板面积、优化引线框架、提高封装热导率,对于散热性能的提高非常有效,而在外围设计中,增大印制电路板(PCB)有效覆铜面积、增加PCB有效过孔数、在芯片顶部添加散热片、加大空气流速都可使芯片散热能力显著增强。     

彩色AC-PDP寻址驱动芯片的研究

本文主要分析寻址驱动芯片μ PD16327的电路功能,并用MEDICI软件对其高压管进行耐压仿真,实验结果证明耐压符合要求.