非线性光学有机材料

本文从非线性光学的基本原理出发,介绍了与倍频效应有关的有机材料的结构特点、二阶谐波产生、分子设计和晶体设计的基本原理。     

深紫外非线性光学晶体及其应用

系统的介绍了我国深紫外非线性光学晶体的发展,主要以KBe_2BO_3F_2(KBBF)以及Sr_2Be_2B_2O_7(SBBO)族晶体为代表。通过晶体生长、确定结构以及各种光学性能的测定,发现KBBF晶体是目前唯一能采用直接倍频方法实现深紫外谐波光输出的非线性光学晶体。SBBO族晶体由于存在畴结构,目前还不能用于深紫外相干光输出。讨论了KBBF晶体的基本光学性质以及产生深紫外相干光源的能力和效率。介绍了这些深紫外相干光源的应用,并着重介绍了这些光源在先进能谱仪方面的应用及取得的重要成果。     

硼酸盐化合物的研究进展

硼酸盐化合物因其结构类型的可设计性强,物理化学性能稳定,因而具有很强的工业化应用价值,硼酸盐晶体化合物作为非线性光学晶体材料的应用是目前的研究热点。对硼酸盐化合物的研究进展进行了介绍,总结了硼硅酸盐和硼硫酸盐结构与性能之间的关系。     

BaAlBO3F2晶体的生长与形貌

以NaF为助熔剂,BaAlBO3F2和NaF摩尔比为11.5,采用熔盐籽晶生长方法,沿[001]方向生长出尺寸为18 mm×18 mm×12 mm的BaAlBO3F2(BABF)晶体.晶体生长参数降温速率为2～4℃/d,晶体旋转速率为15 r/min.研究了BABF晶体的生长形貌,BABF晶体生长过程中,呈现出(001)和(100)晶面.测试了BABF的粉末倍频效应,其倍频系数约为KDP晶体倍频系数的0.8倍.室温下测试了BABF晶体的显微硬度,其(001)面与(100)面显微硬度分别为10.99 GPa和8.137 GPa.     

KIO3晶体的去孪去畴及其物理性能

给出了KIO_3晶体去孪去畴的方法,测量了无孪无畴的KIO_3单晶的主折射率、电导率、介电常数、压电系数和电光系数,研究了其非线性光学性能。     

KDP和ADP晶体的生长以及紫外透过性能研究

作为非线性光学晶体材料,由于晶胞参数的不同,KDP、ADP在生长方面以及性质上都存在着差异。本文采用"点籽晶"快速生长法对KDP和ADP晶体的生长进行了研究。同时测量了快速生长法生长的KDP和ADP晶体在紫外波段的透射光谱性能,实验证明ADP晶体的紫外透过率要优于KDP晶体。     

Yb:YCOB黄光激光自倍频晶体

采用提拉法生长了不同掺杂浓度(5％～30％,摩尔分数,下同)的Yb:YCa4O(BO3)3(Yb:YCOB)激光自倍频晶体,研究了系列晶体的结构与掺杂浓度之间的关系,加工了最大有效非线性系数方向的自倍频晶体并实现微片结构器件设计.利用强电—声子耦合作用,在掺杂浓度为30％、晶体长度为4 mm的Yb:YCOB晶体中获得了...     

对硅酸铋晶体实时自动记录信息的研究

从原理与实验两方面论述了硅酸铋晶体实时自动记录，显影光学信息的特性。其灵敏度比铌酸锂晶体高１００倍。实验表明，在晶体上施加约为６ＫＶ．ｃｍ＾－１的横向电场和１５×１０＾５Ｐａ的横向气压，可进一步提高灵敏度，作为实例，用硅酸铋晶体和微机控制的全息装置，实时自动地测试了薄板受力后的变形。     

掺铌钨酸铅晶体的生长及闪烁性能研究

克服晶体生长中产生的液流转换，用提法法生产出优质了Ｎｂ：ＰｂＷｏ４晶体，测试了晶２本的光学性能和闪烁性能，Ｎｂ：ＰｂＷＯ４晶体的闪烁性能优于纯ＰｂＺＯ２４晶体。     

定向生长非线性光学微晶玻璃的制备

定向生长非线性晶体掺杂玻璃具有优越的非线性光学特性,在开发具有特定光功能的光学元器件领域有广泛的应用前景。介绍近年来该类功能微晶玻璃的制备方法及研究进展,包括:可控热处理、超声表面处理、机械热挤压、电化学合成、磁场效用及激光诱导定向析晶等,并对飞秒激光诱导工艺的研究和机理作了较为详细的阐述。利用外场诱导玻璃中的晶体形成与定向生长,可实现将各种不同功能的非线性光学晶体集成在玻璃内部,制备出新型光学材料。最后,对定向生长非线性晶体掺杂玻璃的制备技术进行了展望。     

玻璃中离子注入研究的现状与发展趋势

早期的论文报道了离子注入对机械性能的改性是由于离子碰撞和辐照损伤的结果，近期工作指出注入离子与玻璃基片相互作用，造成结构变化，化合物形成，分相，纳米粒子的聚集，所以离子注入影响玻璃的风化，化学稳定性，非线性光学，电导率和晶体，离子注入引起玻璃性能改变，取决于玻璃成分，注入离子种类，注入参数（能量和剂量）以及热处理制度，离子注入已应用于改善玻璃显微硬度，风化能力，耐水性和晶体形貌，在不影响玻璃其他性能条件下，用离子注入可以提高磷酸盐光学玻璃的化学稳定性，降低电极玻璃电阻率，金属离子注入玻璃导致玻璃基片表面纳米簇的形成，这些纳米粒子呈现的等离子体激元震荡导致玻璃的非线性光学性质增强，因此离子注入的玻璃可以应用于全光学开关器件，本文还指出了离子注入今后研究的方向和应用前景。     

大尺寸高质量三硼酸铋单晶生长及其频率转换

借助于顶端籽晶溶液法,采用[110]和[111]方向籽晶生长了大尺寸高质量三硼酸铋(BiB_3O_6,BIBO)单晶,尺寸为30mm×30mm×40mm,最大晶体质量接近100g。用X射线衍射和偏光显微镜确定折射率主轴方向与结晶轴方向x//b,(y,c)=47.2°,(z,a)=31.6°。根据折射率色散方程计算了位相匹配方向,实验确定1064 nm激光倍频方向(168.9,°90°),三倍频方向(146.4°,90。),946 nm激光的倍频方向(161.9°,90°)。以2.4 mm和6 mm长BIBO晶体实现了1064 nm激光的倍频和三倍频,效率分别为67.7％和39.5％(10 Hz,35 ps);以5 mm长的BIBO晶体分别在钛宝石激光器和LD泵浦Nd:YAG准连续激光器实现了946 nm到473 nm的激光输出,总效率分别为5.2％和4.8％,后者采用10 mm的LBO晶体作对比,其总效率为2.7％。讨论了晶体生长中遇到的主要问题及其解决办法,并指出BIBO的抗光损伤阈值是值得重视的问题。     

理化所亚硒酸盐非线性光学材料探索取得新进展

正非线性光学晶体是一类重要的光电功能晶体。它通过倍频、和频、差频、光参量放大和多光子吸收等非线性过程,可以对激光进行调制和操纵。这类晶体被广泛应用于激光频率转换、四波混频、光束转向、图像放大、光信息处理、光存储、光纤通讯、水下通讯等研究领域。亚硒酸盐化合物因含有活性孤对电子Se4+,在外光电场作用下容易诱导出强的极化,从而产生大的非线性光学效应,因而在二阶非线     

大截面KDP晶体在激光核聚变研究中的应用

介绍了大截面ＫＤＰ晶体在激光核聚变中的应用，并简述了该晶体的研究动态。     

130：87779k 磷酸二氢钾晶体中第三谐振级实验极其分析

报告了磷酸二氢钾晶体中的第三谐振级(THG)。在实验结果的基础上，分析了对磷酸二氢钾第三级非线性故障的影响，并与直接谐振级过程和级联第三谐振级过程进行比较。结果，讨论了以磷酸二氢钾作标准，测量非线性光学提常数的可能性。     

光折变晶体的进展

评论光折变铁电氧化物ＬｉＮｂＯ３、ＢａＴｉＯ３、ＫＮｂＯ３、钨青铜族晶体和软铋矿Ｂｉ１２ＳｉＯ２０、Ｂｉ１２ＧｅＯ２０、Ｂｉ１２ＴｉＯ２０晶体的生长、光折变性能和应用的现状，并着重于Ｂｉ１２ＳｉＯ２０和Ｂｉ１２ＴｉＯ２０系列的研究结果，讨论光折变响应时间、近红外敏感的光折变晶体和晶体质量等目前存在的问题，以利于进一步发展。     

氟化锂晶体的研究进展

随着真空紫外光学技术的发展,在深紫外波段透过率最高、截止波段最短的氟化锂晶体重新引起人们的关注.本文结合LiF晶体本身的物理化学性质,综述了氟化锂原料制备工艺、晶体生长方法的研究进展及存在的问题.以提高氟化锂光学元件质量为出发点,总结了原料纯化、晶体生长、加工工艺对光学元件质量的影响和有效的解决措施.     

PbWO4:(Mo,Y)晶体的闪烁性能研究

用改进的坩埚下降法生长PbWO4(Mo,Y)和纯PbWO4闪烁晶体.对切自毛坯晶体籽晶端的23 mm×23 mm×20 mm六面抛光样品进行了吸收光谱、超短脉冲X射线激发荧光寿命、光产额和辐照损伤性能的测试.结果表明Mo,Y双掺杂能显著增强PbWO4晶体的辐照硬度,在35 Gy/h的剂量率下辐照24 h后,纯PbWO4晶体的光产额变化率为52.4%,而PbWO4(Mo,Y)晶体的光产额变化率仅为17.5%.Mo,Y双掺杂也改善了PbWO4晶体在350～420 nm范围内的光学透过性能,并且PbWO4(Mo,Y)晶体的平均发光衰减时间缩短为8.5 ns,较之纯PbWO4晶体(15.2 ns)更快.     

四吡咯环状化合物的光物理和三阶非线性光学性质的研究

本论文在设计合成一系列四吡咯环状化合物的基础上，运用多种光谱手段研究周边取代对包括酞菁、三明治型酞菁、芴取代卟啉与氮杂卟啉在内的四吡咯环状化合物及其配合物的光物理性质和受355mn的光激发后所经历的光物理过程；研究不同结构因素对四毗咯环状化合物及其配合物的光物理性质的影响；用光限幅和z一扫描方法检测四吡咯环状化合物的三阶非线性光学响应，研究其三阶非线性光学性质的来源，计算衡量其光限幅性质和三阶非线性光学性质的参数，并分析其产生的原因、结构与非线性光学性质的关系和影响其强弱的因素．得到了一系列有意义的研究成果，为设计合成、制备具有更好三阶非线性光学性能的功能材料提供理论依据：     

LBO晶体的生长缺陷研究

采用化学腐蚀光学显微法和同步辐射截面形貌术研究了三硼酸锂（ＬＢＯ）晶体的生长缺陷,实验结果表明,ＬＢＯ晶体中的主要缺陷是位错、包裹物和形界,讨论辽些缺陷形成的原因和降低缺陷的措施。