共查询到20条相似文献,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
3.
4.
用常规CZ法拉制的硅单晶质量与VLSI对材料的要求有较大差距。MCZ法可以抑制硅熔体的热对流,因而改变了硅单晶的氧含量和其他性能。作者采用VMCZ法详细地研究了磁场对硅熔体波动、温度起伏的影响,进而研究了磁场对热场分布、磁场对硅单晶中杂质的分布、磁场对硅单晶中氧、碳含量、磁场对硅单晶中微缺陷等的影响。发现:VMCZ的结果与资料报导的HMCZ数据相比有较大差别。通过调整拉晶参数也只能有限度地改善硅单晶的性能。 相似文献
5.
6.
基于水平超导磁场及特定热场结构,对直拉法硅单晶生长过程中的熔体过热现象进行了数值模拟和实验研究。在数值模拟中发现了熔体对流和温度变化的特殊趋势,随后在实验中发现了相应位置晶体直径突然收缩现象,依此推测拉晶过程中生长界面附近熔体温度及温度梯度的变化是引起晶体直径收缩的直接原因。此外发现改变熔体温度梯度将改变熔体过热现象发生的位置和幅度,模拟中对两种极端的功率条件进行了计算,并在实验中观察到了预期的差别。水平超导磁场对于熔体对流的抑制作用、特定的热场结构和工艺条件,都是引起熔体过热和晶体直径收缩现象发生的原因。 相似文献
8.
GaSb 单晶是制备三、四元含锑化合物、Ⅲ-Ⅴ族合金及超晶格等材料的重要衬底材料。用 GaSb 单晶为衬底研制的 GaAs/GaSb 迭层太阳能电池转换效率超过30%,是目前转换效率最高的太阳能电池。在磁场下生长硅和Ⅲ-Ⅴ族化合物半 相似文献
9.
利用数学解析方法对脉冲磁场细晶技术的电磁力特性进行了理论分析.分析结果显示,单个放电周期内,随着时间变化,熔体内部脉冲电磁力方向发生瞬时改变;在某个时间段范围内,熔体内部与外部存在电磁力方向不一致的现象,而且单个周期内电磁力存在衰减特性.以上这些特性,是造成脉冲磁场致熔体振荡的主要原因.另外,对于本研究采用的工频脉冲磁场,脉冲电磁力对熔体还有搅拌作用.而且,当脉冲放电频率与凝固系统的某一固有频率相符合时,将引起共振效应,增强脉冲电磁力作用效果. 相似文献
10.
11.
12.
对产生行波磁场的线性电机的气隙中的磁感应强度分布进行了测定,分别用液态镓和AI-Si合金液进行了流动和除杂模拟试验,找出了磁场分布影响电磁净化效果的一般规律,确定了适合于金属电磁净化的磁场均布区域。 相似文献
13.
研究了Fe-Cu、WC-Cu和W-Ni-Cu合金在交变磁场作用下的液相烧结过程。结果表明,交变磁场对Fe-22Cu、Fe-35Cu和WC-40Cu合全液相烧结初始阶段的致密化动力学和Fe-Cu、WC-Cu和W-Ni-Cu合金液相烧结时显微组织演化有不同程度的影响。运用电磁相互作用原理和液相烧结理论对这种现象进行了分析和讨论。 相似文献
14.
15.
分别使用Miedema、MIVM、NRTL、Wilson二元合金系热力学模型及FactSage热力学软件计算Bi-Pb、Bi-Sn、Cd-Pb、Pb-Sn 4个二元合金系的活度值,并与实验值进行比较.结果表明:Miedema、MIVM、NRTL、Wilson模型计算不同体系活度的效果不同,每种模型都有其适用的体系.而FactSage热力学软件计算的活度均与实验值吻合较好,文中使用FactSage分别计算Bi-Pb、Bi-Sn、Cd-Pb、Pb-Sn 4个二元系不同温度下的活度值.同时利用原子-分子理论计算Bi-Pb二元系质量作用浓度,给出生成金属间化合物BiPb反应的标准吉布斯自由能的表达式. 相似文献
17.
磁场处理对微合金钢由奥氏体向铁素体的转变过程产生影响,主要体现在铁素体的形核率和晶粒长大速度两个方面.磁场处理增加了铁素体的形核率,同时也提高了晶粒的长大速度.由于磁场对铁素体形核率的影响效果显著,缩短了相变时间,最终得到细晶组织. 相似文献
18.
实验表明,在渣-铁还原反应前、后期中,随(SiO_2)的增加,SiO_2对TiO_2还原都有抑制作用,特别是还原前期,当渣中SiO_2>30%,抑制作用更显著,但其抑制程度不如FeO,MnO。在渣-石墨还原反应中(无铁液存在),SiO_2对TiO_2还原抑制不明显.Ti还原前,后期的活化能分别为_(Ti)~1=231.8kJ/mol和E_(Ti)~2=339.9kJ/mol。 相似文献
19.
20.
以于微合金高强度结构钢,抗腐蚀性能非常重要,前人的研究成果主要集中在应力腐蚀,氢致裂纹腐蚀和疲劳腐蚀等方面,关于磁场处理后微合金结构钢抗腐蚀性能的研究未见报道,在微合金钢由奥氏体向铁素转变的过程中施加稳恒磁场,将导致其室温组织发生变化,而组织的改变必然对微合金钢的抗腐蚀性能产生影响,作主要研究了磁场处理后试样的失重量和腐蚀率的变化规律,并提出了斯特方程的修正表达式。 相似文献