解析SiGe基极HBT模型及其对BiCMOS倒相器电路的影响

解析ＳｉＧｅ基极ＨＢＴ模型及其对ＢｉＣＭＯＳ倒相器电路的影响＝ＡｎＡｎａｌｙｔｌｃａｌＳｉＧｅ－ｂａｓｅＨＢＴｍｏｄｅｌａｎｄｉｔｓｅｆｆｅｃｔｓｏｎａＢｉＣＭＱＳｉｎｖｅｒｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ［刊．英］／Ｌｕ，Ｔ．Ｃ．…／ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅ...     

发射极和基极扩散电容对双极晶体管交流特性的影响

发射极和基极扩散电容对双极晶体管交流特性的影响＝ＩｍｐａｃｔｏｆｔｈｅｅｍｉｔｔｅｒａｎｄｂａｓｅｄｉｆｆｕｓｉｏｎｃａｐａｃｉｔａｎｃｅｓｏｎｔｈｅＡＣｂｅｈａｖｉｏｒｏｆｂｉｐｏ－ｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［刊，英］／Ｈａｍｅｌ，Ｊ．Ｓ．…／／...     

双基极Si／Si_（1－x）Ge_x／Si异质结双极晶体管的电特性

双基极Ｓｉ／Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘ／Ｓｉ异质结双极晶体管的电特性＝Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｄｏｕｂｌｅ－ｂａｓｅＳｉ／Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘ／Ｓｉｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓ－ｔｏｒｓ［刊...     

发射极－基极结设计对Si／SiGeHBT的集电极饱和电流、理想系数、阿莱电压及器件开关速度的影响

发射极－基极结设计对Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的集电极饱和电流、理想系数、阿莱电压及器件开关速度的影响＝ＴｈｅｉｎｆｌｕｅｎｃｅＯｆｅｍｉｔｔｅｒ－ｂａｓｅｊｕｎｃｔｉｏｎｄｅｓｉｇｎｃｏｃｏｌｌｅｃｔｏｒ，ｓａｔｕｒａｔｉｏｎｃｕｒｒｅｎｔ，ｉｄｅａｌｉ...     

减少硅锗基极异质结双极晶体管基区渡越时间的组份缓变

减少硅锗基极异质结双极晶体管基区渡越时间的组份缓变＝ＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｇｒａｄｉｎｇｆｏｒｂａｓｅｔｒａｎｓｉｔｔｉｍｅｍｉｎｉｍｉｚａｔｉｏｎｉｎＳｉＧｅ－ｂａｓｅｈｅｔｅｒｏ－ｊｕｎｃｔｉｏｎｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ．［刊，英］／...     

一种新型的晶体管：沟道基极晶体管

一种新型的晶体管：沟道基极晶体管＝Ａｎｅｗｔｙｐｅｏｆｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＣＢＴ［刊，英］／Ｒａｎｇ，Ｂ．Ｗ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ．Ｄｅｖ．１９９３，４０（１０）．－１８０５～１８１１介绍了一种沟道基极晶体管（ＣＢＴ）。用一般双极晶体管的...     

硅锗基极异质结双极晶体管：一个电流增益和正向渡越时间解析模型

硅锗基极异质结双极晶体管：一个电流增益和正向渡越时间解析模型＝ＳｉＧｅ－ｂａｓｅｈｅｔｅｒｏ－ｊｕｎｃｔｉｏｎｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ：ａｎａｎａｌｙｔｉｃａｌｃｕｒｒｅｎｔｇａｉｎａｎｄｆｏｒｗａｒｄｔｒａｎｓｉｔｔｉｍｅｍｏｄｅｌ［刊...     

采用修改的PISCES程序作FCL缓冲器中的硅－锗基极异质结双极器件的直流和瞬态分析

采用修改的ＰＩＳＣＥＳ程序作ＦＣＬ缓冲器中的硅－锗基极异质结双极器件的直流和瞬态分析＝ＤＣａｎｄｔｒａｎｓｉｅｎｔａｎａｌｙｓｉｓｏｆａＳｉＧｅ－ｂａｓｅｈｅｔ－ｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｂｉｐｏｌａｒｄｅｖｉｃｅｉｎａｎＥＣＬｂｕｆｆｅｒｕｓｉｎｇａｍ...     

热氮化对SiO_2／Si界面辐照加固强度的影响

热氮化对ＳｉＯ＿２／Ｓｉ界面辐照加固强度的影响＝Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆｔｈｅｒｍａｌｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎｏｎｔｈｅｒａｄｉａ－ｔｉｏｎｈａｒｄｎｅｓｓｏｆｔｈｅＳｉＯ＿２／Ｓｉｉｎｔｅｒｆａｃｅ［刊．英］／ｄｅ－ｃａｓｔｒｏ，Ａ．Ｊ．…∥Ｊ．Ａｐｐｌ．...     

优化双极器件的改善BiCMOS电路延迟的CAD方法

优化双极器件的改善ＢｉＣＭＯＳ电路延迟的ＣＡＤ方法＝ＡＣＡＤｐｒｏｃｅｄｕｒｅｆｏｒｏｐｔｉｍｌｚｉｎｇｂｉｐｏｌａｒｄｅｖｉｃｅｓｒｅｌａｔｉｖｅｔｏＢｉＣＭＯＳｃｉｒｃｕｉｔｄｅｌａｙ［刊．英］／Ｄｅｓ－ｏｕｋｌ．Ａ，Ｓ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃ...     

12位600ks／s数字式自校准流水线型算法A／D转换器

１２位６００ｋｓ／ｓ数字式自校准流水线型算法Ａ／Ｄ转换器＝Ａ１２－ｂ６００ｋｓ／ｓｄｉｇｉｔａｌｌｙｓｅｌｆ－ｃａｌｉ－ｂｒａｔｅｄｐｉｐｅｌｉｎｅｄａｌｇｏｒｉｔｈｍｉｃＡＤＣ［刊，英］／Ｌｅｅ，Ｈａｅ－Ｓｅｕｎｇ∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌ．Ｓｔａ，Ｃｉ...     

CoSi_2可望成为GaAs MESFET自对准工艺中的栅极材料

本文选用了Ｃｏ／Ｓｉ／ＧａＡｓ结构作为研究对象，经６００℃恒温退火及８００℃快速退火处理后，分别在ＧａＡｓ衬底上形成Ｃｏｓｉ２／ＧａＡｓＳｃｈｏｔｔｋｙ接触．采用多种薄膜和界面的测试技术，对ＣｏＳｉ２：／ＧａＡｓ的薄膜及界面特性进行了细致的研究．结果表明：热退大处理后，Ｃｏ／Ｓｉ经化学反应形成了较均匀的ＣｏＳｉ２单相，其薄膜电阻率约为３０μΩｃｍ．即使经９００℃的快速返火处理后，ＧａＡｓ界面仍保持相当的完整性，同时薄膜形貌也很理想．此外，采用Ｉ－Ｖ电学测试法对经７５０℃恒温退火处理后形成的ＣｏＳｉ２／Ｇａ     

用含氟等离子反应离子刻蚀SiGe合金

用含氟等离子反应离子刻蚀ＳｉＧｅ合金＝ＲｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆＳｉＧｅａｌｌｏｙｓｕｓｉｎｇｆｌｕｏｒｉｎｅ－ｃｏｎ－ｔａｉｎｉｎｇｐｌａｓｍａ［刊，英］／Ｚｈａｎｇ，Ｙ，…Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ．Ｖａｃ，ｓｕｒｆ，Ｆ...     

A Study on The Optical Properties of InAs Microcrystallites Embedded in SiO_2 Glass Matrix

ＡＳｔｕｄｙｏｎＴｈｅＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＩｎＡｓＭｉｃｒｏｃｒｙｓｔａｌｉｔｅｓＥｍｂｅｄｄｅｄｉｎＳｉＯ２ＧｌａｓＭａｔｒｉｘＪ．Ｚ．ＳｈｉＬ．Ｄ．Ｚｈａｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｙｓｉｃｓ，Ａｃａｄｅ...     

Novel DS／SSMA Systems with Trellis—Coded Sequence and Phase Modulation

ＮｏｖｅｌＤＳ／ＳＳＭＡＳｙｓｔｅｍｓｗｉｔｈＴｒｅｌｌｉｓ－ＣｏｄｅｄＳｅｑｕｅｎｃｅａｎｄＰｈａｓｅＭｏｄｕｌａｔｉｏｎＺｈａｎｇＱｉｎｇ；ＢｉＧｕａｎｇｇｕｏ（ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００１８）Ａｂｓｔｒａｃｔ...     

A New Method of Studying Surface Activity for Liquid Alloys

ＡＮｅｗＭｅｔｈｏｄｏｆＳｔｕｄｙｉｎｇＳｕｒｆａｃｅＡｃｔｉｖｉｔｙｆｏｒＬｉｑｕｉｄＡｌｏｙｓ①②ＹＡＮＧＹｏｎｇｚｈｅｎｇ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｐｐｌｉｅｄｐｈｙｓｉｃｓ，ＮｏｒｔｈｗｅｓｔｅｒｎＰｏｌｙｔｅｃｈｎｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉ...     

Research on the Speech Coding Algorithm at 1200bit/s

ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎｔｈｅＳｐｅｃｈＣｏｄｉｎｇＡｌｇｏｒｉｔｈｍａｔ１２００ｂｉｔ／ｓＣｈｅｎＸｉｎｆｕＷｕＪｉａ’ａｎ（ＡｉｒＦｏｒｃｅＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，Ｘｉ’ａｎ７１００７７）Ａｂｓｔｒ...     

采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀SiO_2的干法光刻

采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀ＳｉＯ＿２的干法光刻ＤｒｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｕｓｉｎｇｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｄｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆＳｉＯ＿２［刊，英］／Ｃｈｏｑｕｅｔｔｅ，Ｋ．Ｄ．…　∥Ａｐｐ...     

只有两个外部元件的BiCMOS话音电路

只有两个外部元件的ＢｉＣＭＯＳ话音电路＝ＡＢｉＣＭＯＳｓｐｅｅｃｈｃｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈｏｎｌｙｔｗｏｅｘｔｅｒ－ｎａｌｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ［刊，英］／Ｃａｓｔｅｌｌｏ，Ｒ．…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｌｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．１９９３．２８（７）．...     

InGaAs／InAlAs／InP异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀

ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰ异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＷｅｔＥｔｃｈｉｎｇｆｏｒＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＦｉｅｌｄ－ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓＭ．Ｔｏｎｇ等１引言异质结构...