铝电解电容器负极用素铝箔的质量控制

介绍了铝电解电容器负极用素铝箔的种类及其特征，阐述了其加工制造过程中的质量控制要素。     

电解电容器用铝箔立方织构含量的分析方法

介绍电解电容器用铝箔立方织构含量的分析方法，即极图法、亮晶度法、金相显微法，侧重阐述用金相显微法定量分析高压铝箔立方织构的含量。     

铝电解电容器用阴极铝箔

铝电解电容器用阴极箔的制造相对于阳极箔较简单，但在电容器中的作用却日益受到人们的重视，本文叙述了阴极铝箔的结构、作用、化学成分、腐蚀机理以及工艺过程。     

快车速制备铝电解电容器用阳极箔的腐蚀发孔动力学

研究了阳极铝箔在快车速腐蚀工艺体系下,采用异形电极变电流和多级腐蚀工艺条件下,隧道孔在各阶段的发孔密度、孔径、孔长的变化规律。结果表明：发孔行为主要集中在短时大电流密度的电化学腐蚀阶段,而电流衰减阶段的孔长生长最快。随腐蚀周期的增加,孔密度、孔长在第一至第二个周期中期迅速增长,在第二个周期中期至第五个周期结束期间变化平缓。快车速腐蚀工艺将发孔与孔长增长行为有效隔离,通过多级腐蚀既提高了腐蚀效率,又增强了比电容的可控性及发孔的均匀性。     

微量Mg对高压电子铝箔腐蚀结构的影响

采用立方织构定量检测以及扫描电子显微镜下观察腐蚀结构等手段, 对比了不同微量Mg元素含量的高压电解电容器阳极铝箔在织构和腐蚀结构上的差别, 研究了Mg含量对高压电解电容器阳极铝箔比电容的影响. 分析表明 Mg含量从0.0001%提高到0.0014%时, Mg会更多富集于铝箔表面, 促使腐蚀形成的氧化膜中出现含Mg的复合氧化物微小颗粒, 进而引起腐蚀隧道的侧向发展; 频繁的侧向发展可导致表层腐蚀组织剥落, 进而使铝箔在500 V的比电容从7.3×10-3 F/m2降低到4.3×10-3 F/m2.     

电容器阳极铝箔工艺研究现状与发展

论述了影响中高压铝电解电容器用高纯铝阳极箔立方织构比例及力学性能的各种因素，分析了阳极箔生产过程中均匀化退火、热轧、预备退火、成品退火等工艺过程对立方织构及综合性能的影响，提出了提高阳极箔性能的工艺发展方向。     

铝电解电容器用电极铝箔的快速腐蚀制备工艺

通过快速腐蚀方法制备了电极铝箔,采用扫描电镜观察铝箔上隧道孔的形貌及分布,分析了发孔腐蚀液中Cl^-含量、屏蔽系数以及总电流对电极铝箔比电容的影响。结果表明：随发孔腐蚀液中Cl^-含量、屏蔽系数以及总电流的增大,电极铝箔的比电容均呈先增大后减小的规律;在Cl^-浓度为0.9 mol/L、屏蔽系数为0.4、总电流为1 400 A条件下,制备得到的铝箔中单孔个数占比较高,孔长度大且均匀,孔分布合理,因此其比电容达到最大值,为0.818μF/cm²。     

电解电容器用的腐蚀和赋能铝箔的生产和性能

根据电解电容器用铝箔的要求,研究了影响铝电化学溶解的因素和改变其性能的条件。着重指出了光箔的织构、杂质、合金元素和冷轧变形率的影响。此外,还阐述了在腐蚀铝箔上产生氧化膜双电层的必要参数。同时也讨论了性能的评估以及大型设备方面的发展问题。     

晶界对低压电解电容器铝箔腐蚀结构的影响

采用扫描电子显微镜和背散射电子取向成像技术分析研究了低压电解电容器用阳极铝箔的腐蚀结构、晶粒尺寸和晶界分布对比电容的影响及相关机理.结果表明,在铝箔的晶界附近,尤其是大角度晶界附近容易出现尺寸较大的腐蚀孔坑或沟道,造成腐蚀结构的不均匀性并降低比电容.该晶界优先腐蚀的现象起因于晶界的高缺陷密度和与之相应的腐蚀电流密度的局部集中.增加晶界密度可以降低杂质原子偏聚程度和电流密度分布的不均匀性,因此在一些特定的电化学腐蚀条件下可以借助减小晶粒尺寸的方式提高比电容.     

微量元素对电容器阳极铝箔性能的影响

综述了微量元素对电解电容器用阳极箔内部织构形成及腐蚀性能的影响。     

电解电容器高压阳极用高纯铝箔再结晶组织研究

利用Axiovert 25型金相显微镜对高纯铝箔制备过程中的组织进行了观察和分析.结果表明,轧制变形量越大,高纯铝箔的再结晶组织越细小;高纯铝箔的再结晶过程经历了回复、再结晶和晶粒长大三个阶段;高纯铝箔开始再结晶温度在200℃～230℃之间.     

退火加热过程对高压电解电容器阳极铝箔立方织构的影响

采用织构定量检测、 EBSD微取向分析、晶粒尺寸分析等手段研究了退火加热过程对高压电解电容器阳极铝箔立方织构的影响. 结果表明 铝箔在最终退火加热中分别经历了初次再结晶和晶粒长大两个主要过程, 两过程互有重叠, 其中在300℃适当完成初次再结晶并在500℃促使立方取向晶粒长大有利于提高最终的立方织构量; 在500℃长时间加热有可能诱发晶粒异常长大, 并降低立方织构量.     

新型电解电容器阳极材料低价铌氧化物的制备

分别采用Mg还原Nb2O5工艺、高能球磨工艺和Nb还原Nb2O5工艺制备了低价铌氧化物.结果表明:Mg还原Nb2O5工艺反应不易控制,产物物相复杂、粒度粗、粒形简单,以其为原料制作的阳极比容低、内阻高;高能球磨工艺制备的低价铌氧化物粒度细,比容可达107 mF·V/g,但由于引入了杂质,漏电流大;Nb还原Nb2O5工艺制备的低价铌氧化物具有优良的电性能,比容、损耗、漏电流(K值)分别达到69.5 mF·V/g、11.25%、1.8×10-4 μA/(μF·V),其电性能指标优于FTa16-300电容器钽粉国家标准.     

Electric properties stability of NbO anode for new electrolytic capacitor

1 Introduction Due to the large specific capacity, electrolytic capacitor has become an important part in the applications of electric capacity and has been widely applied in electronic circuit field. Electrolytic capacitors commercialized can be classif…     

Controlling limiting length of tunnels on Al foil electroetched in HCl-H2SO4 solution

The limiting length of tunnels, llim, of Al foil electro-etched in HCl-H2SO4 solution and the corresponding anodic polarization curves in the same solution were measured. It is found that there is a dependence of llim on the potential difference, △φ, between the pitting potential, φpit, and the corrosion potential, φcorr, of Al foil, when the temperature and H2SO4 concentration of HCl-H2SO4 electrolyte are changed. The dynamic equation on the tunnel growing and the linear equation between llim and △φ were deduced by analyzing the relationship among the over-potential on Al foil surface, the transport over-potential in tunnel solution and the over-potential at tunnel tip during the electro-etching. The results show that the growing velocity of tunnels decreases with their extending in length and the changing trend of llim can be judged by measuring △φ, which supplies a convenient access to explore new kinds of etchants.     

电解电容器负极用铝箔的质量控制

阐述了电解电容器负极用铝箔对化学成分、生产工艺技术的要求,生产过程中的质量控制原理及方法。     

高压电子铝箔阳极电解扩孔行为

研究发孔铝箔在盐酸和硝酸溶液中的阳极极化行为与扩孔特性的关系。阳极扩孔的基本条件是将发孔箔的内、外表面都控制在钝化状态下。在盐酸溶液中,阳极极化时存在点蚀电位和一个较小的钝化电位区,当扩孔施加的电流密度大于临界点蚀电流密度时,铝箔表面发生二次发孔,导致形成孔蚀族与并孔,腐蚀箔厚度减薄,比电容显著降低。在硝酸溶液中,阳极极化时存在一个宽阔的钝化电位区,因此硝酸扩孔比盐酸扩孔容易控制,不会发生二次发孔。提高盐酸或硝酸浓度与温度均可以增大最大维钝电流密度,即增大扩孔的最大电流密度,提高扩孔的生产效率。     

微观结构和微量元素对铝箔腐蚀结构的影响

观察了经300℃退火并分别快冷和慢冷的铝箔表面的电化学腐蚀结构.利用二次离子质谱仪检测了铝箔表面区域Fe、Si、Cu、Mg等微量元素的分布.结果显示:Mg在铝箔外表面的富集高于铝箔内部4个数量级,Fe、Si的富集程度约高2个数量级,而Cu则不足1个数量级.退火后慢速冷却会造成富集于表面的微量元素偏聚于晶界和位错周围,从而会加重腐蚀结构的不均匀性并降低铝箔的比电容.     

铝箔表面化学镀锌对其在HCl-H 2 SO 4体系中电蚀性能的影响

将高压铝电解电容器用电子铝箔在含Zn2＋的5.0%NaOH溶液中实施化学镀锌处理,然后在HCl＋H2SO4电解液中进行直流电解扩面腐蚀得到腐蚀箔;采用极化曲线研究化学镀锌处理对扩面腐蚀时铝箔点蚀电流、点蚀电位的影响,利用电化学交流阻抗（EIS）研究化学镀锌处理对铝箔电解腐蚀时电化学特征的影响;使用扫描电镜（SEM）观察化学镀锌处理对腐蚀箔表面和横截面形貌的影响;测试100 V形成电压下腐蚀箔的比电容。结果表明：铝箔表面化学镀锌形成的Zn-Al微电偶有助于电蚀时降低点蚀电极反应的阻力,提高点蚀电流密度,增加铝箔表面蚀孔密度和蚀孔分布的均匀性;随着碱液中Zn2＋浓度的提高,腐蚀箔的比电容逐渐增加。