ZnO/蓝宝石结构声表面波滤波器试验研究

该文从理论上计算得到了ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构的声表面波相速度和机电耦合系数色散曲线。依据该色散曲线设计了ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构声表面波滤波器。采用在蓝宝石衬底上先制备ZnO薄膜然后再制作芯片结构的方案研制出了声表面波器件样品。研制过程中生长出了a面结构的ZnO薄膜,其中厚膜样品测试得到了3种声波模式,即模式0、1及2,模式0、1和2的频率分别为1 073.79 MHz,1 290.63 MHz和1 572.3 MHz,因此,间接测得了模式0、1和2的相速度分别为3 865.67m/s,4 646.25m/s和5 660.27m/s。     

ZnO/蓝宝石结构声表面波频散特性数值计算

从理论上计算出ZnO/蓝宝石结构声表面波相速度和机电耦合系数k2色散曲线。计算显示,在ZnO膜厚和声表面波器件波长之比h/λ=0.48时,IDT/ZnO(c面)/蓝宝石(c面)结构西沙瓦波1次模式的k2最大值为2.705%,理论声速为4 982m/s;在h/λ=0.3时,IDT/ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构西沙瓦波1次模式的k2最大值为4.34%,理论声速为5 509m/s。结果表明,IDT/ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构西沙瓦波1次模式的k2和声速较大,适于研制高频低损耗声表面波滤波器。     

宽带低损耗声表面波滤波器

介绍了利用在３６°Ｙ－ＸＬｉＴａＯ３、６４°Ｙ－Ｘ　ＬｉＮｂＯ３、４１°Ｙ－Ｘ　ＬｉＮｂＯ３基片漏声表面波设计制作的宽带低损耗滤波器,给出了用耦合模理论模拟的曲线和实验结果,其相对带宽为２ ．８％～６． ５％,插损为１．７～２．４ ｄＢ,带外抑制大于４５ ｄＢ。     

通信用声表面波滤波器

通信用声表面波滤波器天津光电通信技术有限公司季来运,李树凤１．引言声表面波（ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ简写为ＳＡＷ）器件最早应用于军用系统中,随着现代通信技术的发展,声表面波器件得到了越来越广泛的应用,在各种电子系统设备中发挥着越来越大...     

超宽带声表面波滤波器的设计

该文精确模拟了基于弛豫铁电单晶的声表面波(SAW)梯形滤波器的性能。首先介绍了由谐振器构成的梯形SAW滤波器的工作原理,利用QUCS软件建立了七阶梯形滤波器的仿真模型。结果表明,该单晶能实现高达620 MHz的超宽带SAW滤波器(中心频率1GHz),比传统压电材料的滤波器带宽高3倍;通过优化各支路谐振器的静态电容及传统梯型滤波器的结构,牺牲了一定的带宽,但获得了较高的带外抑制和过渡带的陡峭度;讨论了不同品质因数对滤波器带内插损的影响。     

声表面波电视频道滤波器

本文介绍一种声表面波电视频道滤波器.叙述了它的设计,给出了我们研制的1—12频道SAW滤波器的性能.同时还着重列举了它在CATV系统中的几种应用.     

基于ScAlN/6H-SiC结构的声表面波传播特性

该文采用有限元法研究了基于ScAlN/6H-SiC结构的声表面波传播特性,并分析了4种激励条件下,压电材料厚度变化对ScAlN/6H-SiC结构中声表面波相速度和机电耦合系数的影响,通过改变电极厚度及金属化率再次对机电耦合系数进行优化。结果表明,IDT/ScAlN/6H-SiC结构的机电耦合系数可达到5.4%,对应的相速度为6.36 km/s,添加短路金属后,机电耦合系数值和相速度均有所提高,Metal/ScAlN/IDT/6H-SiC结构下优化的机电耦合系数和相速度分别为15.78%和7.33 km/s。     

声表面波低损耗滤波器的换能器结构

一、前言 声表面波(SAW)器件以它的独特优点已广泛用于军事、民品电子设备中,由于常规的叉指换能器(IDT)结构,SAW是双向传播的,存在6db的固有传播损耗。如果IDT与外部负载匹配以实现最小的插入损耗,则三次渡越回波抑制只有12db,使幅度和相位波动大到不能使用,通常解决的办法是使IDT失配增大插入损耗来降低三次渡越信号。不用任何办法设计出的常规SAW滤波器插入损耗在20db左右,在中频范围内,在电路中加一级     

声表面波滤波器频响综合

本文介绍利用引入一个新的自变量Y(半时间带宽积)进入滤波器的频响计算公式中,可以很方便地利用预先计算好的表格、曲线设计所需要的滤波器。实践证明,理论与实际比较一致。     

一种窄带温补型声表面波滤波器

该文介绍了一种频率温度系数接近0的窄带温补型声表面波滤波器。该滤波器采用黑化的42°Y-X钽酸锂为衬底,温度补偿层材料采用二氧化硅薄膜,利用化学机械抛光二氧化硅薄膜法获得了平坦表面形貌。制作了温补型声表面波滤波器样品并进行了测试。测试结果表明,该温补型声表面波滤波器的中心频率约1 360 MHz,在-55～85℃内频率漂移仅约390 kHz,频率温度系数约-2×10~(-6)/℃,插入损耗约1.3 dB。     

基于ZnO/SiO_2/Si多层结构瑞利波的特性研究

利用射频(RF)磁控溅射法沉积(002)ZnO薄膜和SiO_2薄膜于Si基底,研制(002)ZnO/IDT/SiO_2/Si结构的声表面波延迟线,并通过3D有限元法仿真分析该结构所激发的瑞利波的声学特性,如相速度、机电耦合系数k~2等。通过实验验证,发现二者吻合较好。分析了ZnO薄膜的厚度对瑞利波特性的影响发现,当ZnO厚为8μm时,k~2取得最大值(为3.88%)。同时,分析了(110)ZnO/IDT/SiO_2/Si结构所激发瑞利波的声学特性,结果显示,当ZnO薄膜的厚为8μm时,k~2取得最大值(为5.5%)。     

ZnO/GGG准2-2型单端口SAW谐振器初探

为降低制备ZnO/YIG用于研究声表面波(SAW)对自旋波的激励和传播特性的研究成本,采用射频磁控溅射技术在更低成本的钆镓石榴石(GGG)上沉积ZnO薄膜,对ZnO/GGG准2-2型单端口SAW谐振器进行初探。使用X线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)以及扫描电镜(SEM)对薄膜的微观结构和形貌进行了表征和分析。结果表明,当在氧气流量4 cm~3/min、450℃下退火处理时,ZnO薄膜呈现出表面平滑、残余应力小及具有高度c轴择优取向等优点。经测试声表面波频率为201 MHz,对应相速度为3 216 m/s,机电耦合系数为0.22%,说明制备的ZnO薄膜在高频声表面波器件研究和应用方面具有潜力。     

基于ZnO/Si结构的声表面波器件设计研究

微机电系统(MEMS)工艺已被广泛用于制造各种硅基薄膜器件.声表面波(SAW)器件是性能优良的MEMS器件.该文利用多物理耦合场软件COMSOL Multiphysics仿真了氧化锌/硅(ZnO/Si)结构SAW谐振器,并得到其S11参数.对应于仿真,该文制造了该种结构的SAW器件.实验所用的ZnO通过射频磁控溅射制备,所制备的ZnO具有良好的(002)取向.实验测得的ZnO/Si结构SAW器件的中心频率为111.6 MHz,与仿真结构接近.     

金刚石薄膜上的高频高功率声表面波滤波器

设计了一种Si基金刚石薄膜上的SAW RF MEMS滤波器,其中心频率为400MHz,叉指换能器（IDT）线宽为5μm。采用中物超硬材料公司定制的硅基金刚石薄膜基片,利用射频溅射方法在金刚石薄膜上制备了厚度为2μm的ZnO压电薄膜,XRD分析证明其具有良好的C轴取向。采用剥离工艺制备IDT,通过精细的工艺控制,得到了设计的IDT图形。最后,对该滤波器样品进行了封装和测试。测试结果表明,其中心频率为378MHz,插损为15.9dB。     

一种实现高带外抑制声表面波滤波器结构

为了获得高的带外抑制，我们设计了一种单相单向换能器与镜像阻抗连结换能器结合的滤波器结构。该结构由双通道组成，每通道上由一个电级宽度控制单相单向端变迹加权换能器和一个抽指加权换能器组成，它具有带外抑制高、插损小、体积小和制作容易等优点，克服了常规滤波器级联带来的插损大，难匹配的问题。最后给出了我们制作在１２７．８６°Ｙ－ＸＬｉＮｂＯ＿３基片上的高带外抑制声表面波滤波器结果，其中心频率为７０ＭＨｚ，带宽为１．５ＭＨｚ，带外抑制大于７０ｄＢ，插损小于１３ｄＢ，芯片尺寸小于５ｍｍ×１０ｍｍ。     

LGS上的SAW滤波器特性实验研究

介绍了通过硅酸镓镧(LGS)上的滤波器试验,证明LGS基片具有与水晶相似的优良温度稳定性,而机电耦合系数是水晶的2～3倍,衍射影响几乎可以忽略,非常适合设计制作窄带低损耗高带外抑制滤波器。最后给出了欧拉角为(0°,140°,25.5°)的LGS切型制作的声表面波(SAW)滤波器频响曲线和温度特性曲线,发现在20°C附近频率温度系数存在拐点,即频率温度系数为0。     

采用EWC单相单向换能器的SAW滤波器组

采用带旁瓣的ＥＷＣ单相单向换能器技术，研制中等相对带宽（５．６％～７．１％）和具有好矩形度的声表面波滤波器组。该滤波器组用于通信电子对抗，工作频率为３０～４０ＭＨｚ，各信道的矩形系数为１．６，信道插入损耗１５ｄＢ，滤波器组输入端口的驻波系数小于１．５。     

适用SAW器件的ZnO/Ti/Si薄膜制备及缺陷分析

在Si(100)衬底和Ti/Si(100)衬底上分别制备了ZnO薄膜,探讨了Ti缓冲层对ZnO薄膜结构和缺陷的影响,利用X射线衍射(XRD)测试了ZnO薄膜的晶体结构及择优取向,利用原子力显微镜(AFM)观察ZnO薄膜的表面粗糙度(RMS),利用光致发光(PL)光谱检测了ZnO薄膜的缺陷,利用四探针法测试了ZnO薄膜的电阻率。结果表明,在Ti/Si(100)衬底上、衬底温度350℃的条件下,制备的ZnO薄膜表面光滑、缺陷少、电阻率高且具有高C轴取向。本文这一工作对于压电薄膜缺陷分析及高性能ZnO的声表面波(SAW)器件研制有重要意义。