粒状多晶硅生产概况

阐述了粒状多晶硅生产的基本原理，生产工艺以及美国MEMC Pasadena公司的粒状多晶硅的生产情况，并就粒状多晶硅生产过程中的质量控制措施，以粒状多晶硅为原料生产直拉单晶硅所具有的优势以及粒状多晶硅的发展前景提出了一些看法。     

近几年我国进口多晶硅概况

4．2010年全球前10位多晶硅公司的产量排序：1．Wacker;2．Hemlock;3．保利协鑫;4．OCI;5．REC;6．MEMC;7．Tokuyama;8．赛维LDK;9．洛阳中硅;10．重庆大全     

改良西门子法多晶硅还原新技术研究进展

在日益激烈的国际竞争环境下，传统改良西门子法多晶厂商发展成本更低的替代技术势在必行。本文简单介绍了国外公司的三氯氢硅流化床技术和气液沉积法技术；其中三氯氢硅流化床技术能充分利用现有改良西门子法的全部产品流程，对改良西门子法多晶厂商更具参考意义。     

多晶硅生产副产物四氯化硅的综合利用

利用吉布斯自由能理论对四氯化硅合成氮化硅的化学气相沉积体系中可能发生的化学反应进行热力学分析。结果表明,在1 500K以上反应时,可以得到较高纯度的氮化硅。对多晶硅生产中四氯化硅的来源和主要杂质情况进行了比较,得出的四氯化硅综合利用方式是:将SiCl4(Ⅰ)通入精馏工艺的四氯化硅提纯塔分离三氯化磷后,再与SiCl4(Ⅱ)及SiCl4(Ⅲ)一起进入氮化硅合成炉。     

多晶硅的应用及生产技术

介绍了多晶硅的用途及近年来国内外多晶硅生产技术，同时对多晶硅生产技术的发展趋势和多晶硅市场情况进行了简要的分析。     

太阳能电池及多晶硅的生产

在简述太阳能电池原理和发展的基础上,分析了太阳能电池用多晶硅的生产方法.认为:改良的熔盐电解法和熔盐三层电解精炼法有可能直接制取太阳能级多晶硅,此法一旦研究成功,将大幅度地降低太阳能级多晶硅生产成本,应引起人们的关注.     

多晶硅生产中回收氢气的净化

本文介绍了回收氢气净化的基本原理、工艺流程,及用回收氢气生产多晶硅的实践结果,分析了半导体多晶生产中,利用活性炭净化从还原炉尾气中回收的氢气。     

多晶硅生产中回收氢气的净化

本文介绍了回收氢气净化的基本原理、工艺流程 ,及用回收氢气生产多晶硅的实践结果 ,分析了半导体多晶硅生产中 ,利用活性炭净化从还原炉尾气中回收的氢气     

高炉喷吹粒状煤

英国钢公司斯肯索普钢厂采用高炉风口喷吹粒状煤的办法，节省焦炭用量４０％。自１９８２年采用此法以来，已经喷吹了２６０万吨煤，焦炭替代比达到０．８５￣１。限于煤准备能力不足，正常的喷煤量仅为１５０ｋｇ／吨铁水以下，但有４个星期的喷煤量达到２０７ｋｇ／吨铁水的破纪录水平。     

多晶硅生产的研究现状及发展趋势

介绍了多晶硅的主要生产方法即西门子法、硅烷法和冶金法,分析了国内外的相关研究者的研究成果和研究动向。在综合分析了这些方法的基础上,指出了未来多晶硅生产的趋势：硅烷法和冶金法由于能耗低、生产成本低等优点,将是未来多晶硅生产的主要技术。     

流化床反应器制备太阳能级颗粒多晶硅技术研究

采用流化床反应技术,以H2还原SiHCl3的方法制备太阳能级多晶硅。在直径50 mm的流化床反应器中,加入多晶硅颗粒作为初始晶种,通入SiHCl3和H2气体使颗粒处于流态化状态;高温下,反应生成的多晶硅在晶种表面沉积令颗粒逐渐长大而获得颗粒多晶硅。实验考察了流化床反应状态下的硅还原率和硅沉积速率及其影响因素,分别在950～1100℃,H2/SiHCl3摩尔配比为15,20,30及晶种粒径为350,550μm的条件范围内进行实验。当加入晶种粒径为550μm时,在1100℃条件下,H2/SiHCl3摩尔配比从15%增加到30%,硅还原率从14.2%提高到21.6%;当H2/SiHCl3摩尔配比为20时,温度从950℃提高到1100℃,硅还原率从14.9%提高到19.4%。在1100℃,H2/Si-HCl3摩尔配比为30的条件下,当加入晶种粒径为350μm时,测得硅还原率为25.7%,硅沉积速率为21.3 g.h-1;而晶种粒径为550μm时,硅还原率为22.9%,硅沉积速率为18.0 g.h-1。实验结果表明:提高H2/SiHCl3摩尔配比、提高温度和减少晶种粒径均可显著提高硅还原率和沉积速率,适宜的工艺条件为1050～1100℃,H2/SiHCl3(摩尔比)20～30;晶种颗粒粒径和流化床气流速度是流化床反应过程主要的动力学因素。在西门子法中应用流化床技术将能显著提高硅的还原率和沉积速率,是制备太阳能级多晶硅的可行技术。     

冶金法制备太阳能级多晶硅

作为目前制备多晶硅的主流工艺——改良西门子法,其工业生产技术很成熟,但是高能耗和高生产成本依然是阻碍该过程的主要原因。冶金法具有生产效率高,成本低的优点,这个方法可用来提纯冶金级硅,以制备太阳能级多晶硅。文章介绍了冶金法制备太阳能级多晶硅的主要工艺,结果表明:冶金级硅的各种提纯过程中,没有任何一个能单独制备低价太阳能级硅,但是可以通过把这些过程按照最优化的组合结合在一起,可以实现生产低价太阳能级硅。     

多晶硅生产的节能减排措施

针对多晶硅生产中氯硅烷副产物的特性,采用先进的回收技术,将大量副产物转化为生产原料,大大降低了生产成本,同时减少了污染物排放量.     

多晶硅生产中的氢气平衡分析及优化

从氢气的制备技术出发,分析甲醇制氢、煤制氢、天然气制氢、水电解制氢等氢气制备技术的优缺点及多晶硅生产工艺中的氢气消耗工序,并根据某多晶硅工厂实际生产数据,分析多晶硅生产过程中的氢气产出和消耗情况,最后针对氢化系统停车泄压、还原系统启停炉、公用辅助系统泄露等氢气消耗较大的环节提出优化建议,从而有效降低多晶硅生产成本.     

多晶硅生产过程中的环保管控

基于改良西门子法多晶硅生产流程中产生的废气、废水和废渣的环境污染因素分析,提出了制定科学完善的环保管理制度、加强安全环保自动化投入、吸附净化尾气、去除生产排水离子、循环利用氯硅烷残液、做好关键部位的防腐保护、加强环保应急演练等一系列措施,以进一步提高企业的环保管控水平。     

沉积温度对多晶硅吸杂薄膜的影响

研究了在不同温度下生长多晶硅吸杂薄膜,薄膜应力对硅单晶抛光片翘曲参数的影响,并对所得的多晶硅薄膜结构进行扫描电镜观察。实验结果表明,随着沉积温度的不断升高,多晶硅晶粒不断长大,晶界减少,多晶硅薄膜应力逐渐降低,吸杂硅片的翘曲度逐渐减小,综合考虑硅片的吸杂效能与弯曲翘曲度控制,650～680℃为多晶硅薄膜最佳沉积温度。     

颗粒镁铁水脱硫技术及生产应用

文章介绍了包钢颗粒镁铁水预处理站的脱硫工艺机理、设备特点及主要技术参数。生产实践表明:采用4~18 kg/min喷吹速率,耗镁量0.3~1.2 kg/t,脱硫率达到70%以上,可实现100%的终点硫是0.01%,该技术对冶炼品种钢、提高精炼比具有重要的意义。     

高纯多晶硅在线制备技术及发展趋势

对在线高纯多晶硅生产制备技术——改良西门子法和硅烷法的制备工艺进行了概述,比较了两种在线技术的优缺点,对两种在线技术的发展趋势进行了展望。     

半导体硅材料的进展与发展趋势

本文叙述了近年来国际国内半导体材料的发展状况及未来的发展方向，同时叙述了半导体工业对硅材料的要求，并提出了我国发展硅材料的建议。     

高炉顶部加入粒煤生产实践

为了缓解无法增大喷煤量的矛盾 ,采用炉顶直接加入粒煤的方式 ,达到以煤代焦的目的。实践证明 ,该方式在技术上可行 ,粒煤用量达 5 0 kg/ t,经济效益显著