低能聚焦离子束装置

自1979年休斯研究所的Seliger等人报告采用液态金属离子源的聚焦离子束装置及其在微细加工中的应用以来,已有许多研究机构积极参与开发这项研究工作。 FIB技术除在无掩模离子注入、曝光、掩模修正以及集成电路修正等半导体制造中应用外,还可用于高空间分辨率的分析仪器。此外,还可望作为下一代半导体制作的工艺技术。     

聚焦离子束组合装置及应用

聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成分分析、薄膜淀积和无掩膜刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。对电子离子双束纳米工作站,聚焦离子束、扫描电镜和Ar离子束构成的“三束”显微镜系统的原理和应用作了详细介绍,同时也对聚焦离子束-分子束外延组合装置、聚焦离子束与二次离子质谱仪(SIMS)的组合装置以及单轴聚焦离子/电子束(FIEB)装置作了简单介绍。     

聚焦离子束刻蚀性能的研究

对聚焦离子束 (FIB)的基本刻蚀性能进行了实验和研究 .通过扫描电镜对 FIB刻蚀坑的观测 ,给出了在不同材料上 (硅、铝和二氧化硅 ) FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系 .由于不同材料的原子结合能、原子量及晶体结构等因素对离子束溅射产额的影响 ,从而影响着离子束的刻蚀速率 ;随着离子束流的增大 ,刻蚀速率并非线性增加 ,且刻蚀坑的形貌越来越不均匀 ,对此也作了系统的分析和探讨     

聚焦离子束刻蚀性能的研究

对聚焦离子束（FIB）的基本刻蚀性能进行了实验和研究．通过扫描电镜对FIB刻蚀坑的观测,给出了在不同材料上（硅、铝和二氧化硅）FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系．由于不同材料的原子结合能、原子量及晶体结构等因素对离子束溅射产额的影响,从而影响着离子束的刻蚀速率;随着离子束流的增大,刻蚀速率并非线性增加,且刻蚀坑的形貌越来越不均匀,对此也作了系统的分析和探讨．     

聚焦离子束(FIB)技术及其在微电子领域中的应用

FIB是一种将微分析和微加工相结合的新技术，在亚微米级器件的设计、工艺控制和失效分析等诸多领域发挥着非常重要的作用。本文将对聚焦离子束技术及其分析、加工的机理和性能作一介绍，并对该技术在微电子领域中的应用及发展作一综述。     

聚焦离子束装置中的图形发生器

聚焦离子束技术(FIB)是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。几十年来,随着关键技术的不断突破和完善,达到了前所未有的发展,所突破的关键技术之一就是图形发生器的使用。     

聚焦离子束装置中的图像采集与加工控制

本文介绍了聚焦离子束（FIB）装置中图像采集及在微细加工及微区分析中的图形定位、控制，详细介绍了国产微通道板（MCP）在图像显示中的特点、作用及其应用经验和效果，介绍了计算机支持下的图形加工控制与显示系统。     

聚焦离子束装置中的工件台及控制系统

聚焦离子束技术(FIB)是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程于一身的新型微纳加工技术。几十年来,随着关键技术的不断突破和完善,得到了前所未有的发展,所突破的关键技术之一就是精密工件台的使用。     

聚焦离子束曝光技术

聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成份分析、薄膜淀积和无掩模刻蚀各过程 于一身的新型微纳加工技术。它大大提高了微电子工业上材料、工艺、器件分析及修补的精度和速 度,目前已经成为微电子技术领域必不可少的关键技术之一。对聚焦离子束曝光技术作了介绍。     

聚焦离子束用静电透镜特性的计算

聚焦离子束技术是一项有前途的微细加工技术,聚焦光学系统的设计是该技术的关键之一。本文介绍用于聚焦离子光学系统的静电透镜特性计算程序,该程序可计算任何旋转轴对称静电透镜的特性,可用于寻求球差和色差系数较小的静电透镜的电极结构。     

聚焦离子束加工技术及其应用

对聚焦离子束加工技术在集成电路芯片的诊断与修改、修复光刻掩模缺陷、制作透射电镜样品以及多用途微切割上的应用作了详细介绍。     

在聚焦离子束系统中进行集成电路显微探测的应用实例研究

在模拟集成电路的设计开发中，需要对集成电路芯片内部信号的时序和电平进行精确的测量。这在过去是以光学显微镜和微型机械探针相结合的机械显微探测法来实现的，但是，对于当今半导体技术下的集成电路内部微小线宽互连几何结构，光学显微镜已无法提供足够的图像分辨率且无法保证探针的准确放置，面更小几何尺寸半导体工艺的进一步发展却要求探测工具具有越来越高的探针放置精度和空间分辨率，应用微型机械探针和聚焦离子束扫描离子显微镜相结合的新的机械探测技术，已经在这一领域进行了一些实例研究。本文重点阐述在一模数混合信号器件设计开发过程中，从芯片内部调试获取一人需10纳秒延时的600mV模拟电压跃升信号的应用实例研究。     

聚焦离子束无掩模刻蚀研究

利用镓源二级透镜聚焦离子束装置在半导体基片上进行了一系列的无掩模刻蚀实验研究，在不同材料上刻蚀了各种图形，总结分析了不同参数的聚焦离子束对刻蚀的影响。     

亚微米聚焦离子束系统的合轴技术及聚焦检测技术

本文介绍了二级透镜亚微米聚焦离子束系统中的合轴技术和聚焦检测技术，包括合轴的调整及其检测技术的原理和具体方法、离子束聚焦状态的跟踪检测技术，利用此技术可以快速准确地获得微细离子束。     

聚焦离子束淀积铂薄膜性质的研究

聚焦离子束(FIB)淀积Pt薄膜是FIB集成电路修改的基本手段之一。对FIB不同束流下淀积的Pt薄膜的性质,如厚度、体积、淀积速率、成份以及电阻进行了较全面的研究。离子束流的增大使Pt薄膜体积下降,而淀积速率逐渐上升;Pt薄膜的主要成份为C,占三分之二左右,Pt含量约为30%;当辅助反应气体流量不变时,Pt的含量随离子束流的增大而增加,C的含量则随之减少;薄膜的电阻比纯净Pt要大得多。据此给出了IC电路修改时较好的淀积条件,在IC产业的设计和制造中有较强应用价值。     

一台离子束动态混合装置

本文介绍一台自行研制的离子束动态混合装置。该装置与K—200注入机相联,同时用离子束溅射沉积与高能离子轰击相结合的动态混合技术在GCr15钢基体上制出富Ta表面合金层。由TEM分析确证该表面合金已形成非晶相。由电化学腐蚀与磨粒磨损试验表明这种非晶表面合金具有优良的物理化学性能。     

单级透镜聚焦离子束系统的研究

建立了一台简单实用的单级透镜聚焦离子束（ＦＩＢ）系统。该系统采用优越的Ｃａ￣＋液态金属离子源（ＬＭＩＳ）和单级Ｏ－Ｓ透镜，在束能为２０ｋｅＶ、束流为３００ｐＡ时，束径达到０．３μｍ。改进了束斑的测量方法。研究了影响束斑的各种因素。该系统既可用来作为扫描离子显微镜，又可作为亚微米加工工具。文中给出了在该系统上得到的样品显微图像和刻蚀图形的结果。     

亚微米聚焦离子束溅射刻蚀的实验研究

简要介绍了自制的聚焦离子束（ＦＩＢ）系统中束着靶点的飘移现象，分析引起飘移的原因及所采取降低飘移的措施。用此ＦＩＢ进行了一些基本图形的刻蚀研究，讨论了束流密度分布对溅射刻蚀线条宽度的影响。最后介绍了用ＦＩＢ制作光电集成电路的谐振腔面和耦合腔的一些经验。     

聚焦离子束(FIB)的透射电镜制样

亚微米IC芯片的发展,对于TEM在IC的失效分析和工艺监控过程中所担负的工作提出了越来越高的要求。许多方法和手段被用于解决TEM制样这个问题[1]。FIB技术被证明为现今最有效的精确定位制样的方法[2]。原有TEM制样技术的定位减薄难,单次制样成功率低,且对单一器件的定位能力差的难题,可通过电视监测和聚焦离子磨削的方法加以克服。利用这种技术,可以完成以往难以实现的IC芯片的精密定位制样工作,使透射电镜在亚微米级IC的分析中达到实用性阶段。本文介绍该技术使用的具体方法。实验过程实验所用设备为美国fei.公司所生产的FIB200型…     

聚焦离子束致形变微纳加工研究进展

聚焦离子束技术（ focused ion beam,FIB）由于其高精度刻蚀、定点加工、实时成像等优势,常用于精密加工、TEM制样等领域。其工作机理通常为：刻蚀、淀积与成像。而基于FIB新的加工手段正在被探索和研究,其中就包括两种聚焦离子束致形变技术,分别为聚焦离子束应力引入致形变技术（ FIB?stress induced deformation,FIB?SID）和聚焦离子束物质再分布致形变技术（ FIB?material?redistribution induced deformation,FIB?MRD）。前者通过控制FIB辐照时离子注入与溅射之间的竞争关系实现悬臂梁的多角度弯曲,后者利用粒子与物质作用时的瑞利不稳定性构建纳米结构,在一定意义上扩充了聚焦离子束的应用范围。运用上述方法可以加工三维微纳螺旋,悬浮光滑纳米弦以及大规模阵列化纳米网孔等多样化微／纳功能构件,在微流控系统,太赫兹通信,光学天线等领域具有很强的应用前景。