贵金属Cu、Ag、Au的电子结构和物理性质

由纯金属单原子理论(OA)确定了面心立方结构(FCC)贵金属Cu、Ag、Au的电子结构依次为[Ar](3dn)5.58(3dc)4.21(4sc)0.23(4sf)0.98、[Kr](4dn)4.87(4dc)4.56(5sc)0.66(5sf)0.91、[Xe](5dn)4.20(5dc)4.90(6sc)1.57(6sf)0.33,并确定了Cu、Ag、Au的密排六方结构(HCP)和体心立方结构(BCC)两种初态特征晶体和初态液体的电子结构。根据自然态的电子结构定性解释了熔点、拉伸强度、维氏硬度、体弹性模量、电导和热导率物理性质差异与电子结构的关系,定量计算了晶格常数、结合能、势能曲线及线热膨胀系数随温度的变化。根据非自然态的电子结构,定性解释了晶体结构BCC和HCP的关系。     

金属Zr的电子结构和物理性质

依据ＯＡ 理论确定ｈｃｐ αＺｒ 的电子结构为［Ｋｒ］（４ｄｎ）０ ．３９６８（４ｄｃ）２ ．１４２８（５ｓｃ）１ ．２６２０（５ｓｆ）０ ．１９８４ ， 并计算了它的势能曲线、晶格常数、结合能、弹性和热膨胀系数随温度的变化。另外， 还对其ｂｃｃ 结构和ｆｃｃ结构初态特征晶体和初态液体的电子结构进行了研究。     

金属Au的电子结构及物理性质

应用多原子相互作用势能函数,对金属Au的电子结构,晶体结构及物理性质进行了系统分析.确定Au的电子结构为(3d_n)~4.65)(3d_c)~(471)(6S_c)~(1.02)(6s_f~(0.62).由这种电子结构计算的晶格常数,结合能,体弹性模量,随温度变化的膨胀数均与实验值吻合良好.这种电子结构得到了能带理论中线性严密原胞法的验证.表明金属价键理论已发展到精确和严密的阶段.     

铑铱氯化物在水溶液中的行为

铂族金属氯化物是铂族金属提取、提纯、分析中最常用的体系,本文用FT-IR红外光谱,电子光谱方法研究铑、铱氯化物体系在水溶液中的行为. 仪器及化学试剂:英PU-8800型紫外及可见分光光度计;美Nicolet 1703×FT-IR红外光谱仪;IrCl_6~(2-),RhCl_6~(3-)为我所提纯,溶液纯度>99.9%,其他所用试剂均为分析纯. 实验:①吸取含量为11.3mg/ml的标准铑样品1 ml,加入浓HCl及H_2O_2在红外灯下蒸干,测量时用1,3及6 mol/L HCl稀释至25ml容量瓶中,然后测量(见图1).     

关于铑铱的富集和分离

铑铱的富集及彼此分离是多年来引人注目的课题,本文介绍近10年来铑铱分离方法及其机理研究结果,并讨论铑铱分离的理论基础和规律性。     

铱及铱铑合金的高温氧化性能研究

将纯铱及不同铑含量的铱铑合金锭,在空气中于1550℃氧化10 h,研究样品失重和晶相组织变化。失重实验表明,铱及铱铑合金的失重率随着铑含量的增加而减小;铑含量为30%~50%的铱铑合金失重率仅为纯铱的一半。晶界观察发现,铱及铱铑合金锭在高温氧化环境下均发生晶界氧化腐蚀;随着铑含量的增加,晶界氧化深度变浅,宽度变窄;含铑70%~80%的铱铑合金表面腐蚀轻微。能谱分析结果表明,氧化后样品表面铱的含量明显降低。研究结果表明铱的腐蚀是氧化挥发所致,在合金中增加铑的含量可以提高铱铑合金的高温稳定性。     

铱及铱铑合金微观特性和热电特性

基于第一性原理计算研究了热电极铱和铱铑合金的能带结构和态密度。采用虚拟晶体近似方法建立了铱铑合金模型,通过搭建的试验平台测试了IrRh10-Ir热电偶和IrRh40-Ir热电偶的热电性能。结果表明,计算出的纯金属铱和铑的晶格常数与试验参数符合较好,铱铑合金具有良好的导体性能和结构稳定性。IrRh10-Ir热电偶和IrRh40-Ir热电偶具有良好的线性特性,灵敏度分别为2.7、5.6 μV/℃。有望将第一性原理计算分析应用于热电极材料的选择上。     

铑铱的离子交换分离及其极谱测定

1.前言铑和铱是铂族金属中最难分离的一对元素,一般都是放在其它金属基本分离后,再进行分离与提纯。早期铑、铱分离是基于用H_2S或Na_2S从亚硝基配合物溶液中沉淀出铑,后改用(NH_4)_2S,但过滤困难,不能达到有效分离。1974年,Donaruma等利用选择挥发法使RhCl_3·3H_2O和IrCl_3·3H_2O分离,此法已获美国专利。     

铑铱金属及其它难溶贵金属物料的溶解

快速高效地溶解金属铑、铱及其它贵金属难溶物料,是贵金属冶金中非常重要的问题。介绍了难溶金属及不同品位、成分复杂的各种贵金属难溶物料的溶解方法。     

N-己基异辛酰胺萃取铑和铱

以Ｎ－己基异辛酰胺作为Ｉｒ（Ⅳ）的新型萃取剂用于Ｒｈ、Ｉｒ分离,考察不同稀释剂的分相情况,有机相组成对萃取率的影响。选择ＴＢＰ－正辛烷作有机相稀释剂,考察水相介质中Ｈ＋、Ｃｌ－浓度以及Ｃｕ２＋、Ｆｅ３＋、Ｎｉ２＋的萃取行为。结果认为水是最有效的反萃剂     

加压氢还原法分离铑铱

用加压氢还原分离铑铱,考察了温度、氢压、反应时间、铑铱浓度比和氯离子浓度等因素对选择性还原铑的影响,指出本法可用于从大量铱中分离少量铑。     

铑铱分离方法与原理

本文将文献报道的和生产使用的铑铱分离方法按原理的，利用金属特性的差异，利用ＲｈＣｌ＾３－６与ＩｒＣｌ＾３－６配离子稳定性的差异，利用ＲｈＣｌ＾３－６与ＩｒＣｌ＾２－６负电荷数的差异以及将Ｒｈ（Ⅲ）配阴离子转化为阳离子等四类。每类中又按沉淀法，还原法，萃取法和离子交换法分别进行介绍，并按作者的理论观点给予简要说明。     

铱溶液中氢还原分离微量铑的研究

研究了常压氢还原法分离铱溶液中微量铑的方法,并考察了温度、氢气流量、反应时间、铑的初始浓度和溶液中的盐酸浓度等因素对选择性还原铑的影响.研究结果表明在一定条件下,氢还原可使实际铱溶液中铑降到0.0007g/L,而铱基本上不会被还原.     

活性铜粉置换金钯铂铑电流滴定铱

提出了一种在Pt、Pd、Rh、Au、Cu、Fe、Ni、Zn存在下Ir的电流滴定方法。Au和Pd的干扰可在1mol/L HCl介质中用活性铜粉加热搅拌30min置换分离。经氧化并在HCl-H_2SO_4介质中用吹气法除尽过量氧化剂,用亚铁电流滴定。在确定的条件下,大量Au、Pd、Pt、Rh、Cl、Ni、Zn和两倍量的Fe不干扰。方法适用于贵金属中间产品与Pd—Ir合金中Ir的测定。其相对误差均≤0.1％。     

塑性铱的研究及其应用

铱虽具有面心立方晶体结构,但其压力加工性能却很差。作者概述铱加工性能研究的和现状,通过对加工工艺的选择和工艺参数的控制,获得了具有室温塑性铱片,并用它制作了内径４．３ｍｍ以上的铱流口。该铱流口在生产实验中将ＣＥ型耐火纤维生产线的炉龄提高了１倍多。     

CVD在铱涂层和薄膜制备中的应用

简要介绍化学气相沉积（CVD）技术的一般原理，评述CVD在贵金属铱涂层和薄膜制备方面的应用状况，主要包括：（1）制备石墨和难熔金属的铱保护涂层；（2）在石墨和陶瓷基本上沉积铱薄膜。     

Structural Stability,Electronic Structure and Mechanical Properties of Li–N–H System

Ab initio calculations are performed to investigate the ground state properties, structural phase transition,electronic structure and mechanical properties of lithium nitride(Li3N), lithium imide(Li2NH) and lithium amide(LiNH2).The computed ground state properties like equilibrium lattice constant, cell volume, valence electron density, cohesive energy, bulk modulus and its derivatives are in good agreement with available experimental data. The structural phase transitions from a-P6/mmm to b-P63/mmc phase at a pressure of 17.5 GPa in Li3N and cubic(Fm3m) to hexagonal(P63/mmc) phase at a pressure of 102 GPa in lithium imide(Li2NH) are observed. A new high pressure hexagonal(P63/mmc)phase is predicted for Li2NH. Electronic structure reveals that Li3N and LiNH2 are semiconductors, whereas Li2 NH is an insulator. The calculated elastic constants indicate that these materials are mechanically stable at ambient condition.     

电子封装Cu键合丝的研究及应用

论述了传统Au、Al-1%Si键合丝在电子封装中的局限性,分析了Cu键合丝优良的材料性能,Cu键合丝替代Au丝和Al-1%Si丝可缩小焊接间距,提高芯片频率和可靠性。并在此基础上阐述了单晶铜作为键合丝的优势,通过键合性能的对比显示了单晶铜键合丝在电子封装中的良好特性。