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<正> 变容二极管是指它的端电容按一定的方式随反向偏压而变化的一种半导体二极管。调谐变容二极管的电容—电压特性适用于调谐电路(如在电调谐器UHF和VHF频段中作调谐用),其特点是串联谐振频率和截止频率远高于使用频率。现以无锡元件四厂生产用于C型电调谐器的2CC32型调谐变容二极管为例,介绍其有关特性。 相似文献
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翁寿松 《电子工业专用设备》1991,20(1):29-32
<正> 前 言 笔者在文献[1]中介绍了日本国洋电子公司的SM—1018E型变容二极管电容测试、分类仪。最近,该公司推出比SM—1018E型更先进的电容分类仪,其型号为SM—1048B型变容二极管自动分类仪。无锡元件四厂已引进这种分类仪。该分类仪适用于微型或片状化变容二极管的反向电流、反向电压、正向压降、电容、电容比、电容差的测试及电容分类。微型或片状化变容二极管主要为彩电和录像机用C型电调谐器配套。微型或片状化变容二极管包括LT32、LT32A、LT33、LT33A、LSV164、MA334、MA338。微型变容二极管外形为M-204型、为夏普C 相似文献
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电调谐器用变容管国产和进口芯片对比分析 总被引:1,自引:0,他引:1
本文对电调谐器用变容管国产和进口芯片作详细对比分析、为提高国产变容管芯片的质量和可靠性,提供了科学依据,并提出改善国产变容管性能的具体措施。 相似文献
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本文建立了一种新的 Gunn VCO 的电路模型,计算了 Gunn 管和变容二极管之间的径向盘耦合电容。首次利用谐波平衡法对 Gunn VCO 进行了非线性分析,设计并制作了一 Ka 波段混合集成 Gunn VCO,实验结果与 CAD 结果进行了比较,证明了该种电路模型与分析方法的有效性。此外利用该分析程序研究了Gunn 管和变容二极管之间的耦合与调谐带宽的关系。在分析的基础上,利用线性拟合误差函数作为 Gunn VCO 频率调谐线性度的优化目标函数,对 VCO 的频率调谐特性进行了优化,确定了此种电路在最佳线性调谐时 PN 结幂指数γ的值,从而在理论上对满足线性调谐的变容二极管提出了要求。 相似文献
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评述当前变容二极管的新动态,如大电容比、双离子注入、嵌入到调谐器中、多管芯化、超小型化、低电压化和应用多样化等。 相似文献
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WB系列砷化镓变容二极管WBSerialGaAsVaractorsGaAs变容管具有优良的微波性能,已广泛应用于微波电路中。从70年代起,南京电子器件研究所开始研制GaAs变容管,目前,产品已形成系列化,具有电性能好,可靠性高等优点,在国内得到广泛应... 相似文献
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电调谐滤波器因其成本低、体积小和良好的跟踪滤波特性在射频接收领域得到了广泛应用和发展。通过分析耦合因子对调谐回路的影响,介绍了一种电调谐滤波器的设计改进方法,解决了宽频带使用时调谐回路耦合因子变化较大的缺点,与常规设计方法相比,滤波器的使用性能有较大的改善和提高。结合ADS仿真和实际测量,验证了该方法的正确性。 相似文献
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分析研制了一种反射式腔稳双变容管调谐的毫米波耿氏振荡器,近(?)频相位噪声为-60dBc/Hz(f_m=1kHz);-95dBc/Hz(f_m=50kHz),粗(?)谐为10~20MHz/(0~15)V,细调谐为±1~±3MHz/(0~15)V,而且细(?)谐极性可变.并已成功地应用于毫米波系统中. 相似文献
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压控晶体振荡器及其调频变容二极管 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了晶体的种类荡器的种类及压控晶体振荡器。提出改善压控晶体振荡器性能的具体措施,并介绍压控晶体振荡器关键元器件--调频变容二极管的性能及发展动态。 相似文献
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用ADS实现电调谐滤波器的设计 总被引:2,自引:0,他引:2
在跳频信道机中,在射频前端加入调谐滤波器可以提高系统的抗干扰能力、提高接收灵敏度。本文介绍了利用EDA工具-ADS软件进行电调滤波器结构设计和参数优化,获得了较满意的性能指标,测试结果也相当吻合。 相似文献
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介绍了晶体振荡器的种类及压控晶体振荡器。提出改善压控晶体振荡器性能的具体措施 ,并介绍压控晶体振荡器关键元器件——调频变容二极管的性能及发展动态。 相似文献