Sb∶SnO_2纳米粉末材料的制备研究

以四氯化锡、三氯化锑、氨水为原料 ,采用胶溶法制得纳米级 Sb∶ Sn O2 粉末。用 X射线衍射和透射电镜对产品进行分析。考察了影响产品性能的各种因素 ,获得较佳的工艺条件。     

纳米级掺锑SnO_2粉末的制备和表征

以SnCl4·5H2 O和SbCl3为原料 ,采用共沉淀法制得了粒径为几个到几十个纳米的SnO2超细粉。运用差示扫描量热法 -失重分析 (DSC TG)、X 射线衍射 (XRD)、透射电镜 (TEM)等观测手段对微粉末进行了表征 ;并对其晶粒生长过程进行了研究。实验表明 ,粉末为具有四方相金红石结构的掺Sb二氧化锡多晶不规则椭球粒 ;煅烧温度 <60 0℃时 ,样品处于结构调整阶段 ,逐步成核并缓慢生长 ,晶粒成核及生长活化能为 4 2 5kJ·mol- 1;煅烧温度 >60 0℃时 ,晶化程度很高 ,晶粒较快生长 ,晶粒生长活化能为 3 7 0 8kJ·mol- 1。     

SnO_2-Sb_2O_3-TiO_2导电粉末及其导电涂层的制备

以TiO2为基体,采用化学共沉淀技术制得复合导电粉末。利用正交试验得到优化的制备条件:复合反应体系组成为m(TiO2)∶m(SnCl4)∶m(SbCl3)=25∶15∶1,pH值为1.5,水解温度60℃,沉积SnCl4和SbCl3的水解产物于TiO2粒子表面,得到的包覆物在700℃下焙烧30 min,制备的复合导电粉末体的电阻率为77Ω.cm,粒径≤200 nm。将导电粉末与粘结树脂经球磨分散制得具有良好流动性的涂布液,在铝箔上能够制备得到电阻率低于108Ω.cm的导电涂层,满足制备有机光导体的要求,涂层表面平滑,无凹凸等缺陷。     

等离子体法制备碳化硅超细粉末研究

本文采用直流电弧等离子体法合成β－SiC超细粉末．产品纯度大于97％，平均粒径范围0．05～0．5μm，产率1km／h．此外，对其工业开发前景作了展望．     

氮气低温等离子体辅助制备N-TiO2及其光催化活性

以钛酸丁酯为钛源、尿素为氮源,采用溶胶-凝胶法制得N-TiO2中间体。分别经过"N2氛围煅烧"、"N2等离子体处理+N2氛围煅烧"和"N2氛围煅烧+N2等离子体处理"3种处理方式制得N-TiO2光催化剂,分别记作N-TiO2(C)、N-TiO2(LTP+C)和N-TiO2(C+LTP)。借助XRD、TEM、EDS、UV-VisDRS和XPS表征手段,以甲基橙(MO)溶液为目标污染物,考察了N-TiO2的可见光催化性能。结果表明,经过N2等离子体处理的N-TiO2比单纯煅烧的N-TiO2晶粒尺寸更小,对可见光的响应性更强,且N的掺入量更高。可见光照射240min内,3种N-TiO2对MO的光降解性能由高到低依次为N-TiO2(LTP+C)N-TiO2(C+LTP)N-TiO2(C),其中MO的最大降解率为90%。3种N-TiO2对MO的光降解性能均符合假一级动力学方程,且N-TiO2(LTP+C)和N-TiO2(C+LTP)的表观速率常数分别是N-Ti O2(C)的4.5倍和1.9倍。研究得出,在N-TiO2的制备过程中引入N2等离子体处理工序,有利于改善N元素的表面分散性,增加N元素的掺入量,能提升N-TiO2可见光催化活性,且"N2等离子体处理+N2氛围煅烧"处理方式最佳。     

化学法制备ZrO2超细粉体

摘介绍了化学法制备ZrO2超细粉体常用的几种方法：沉淀法、溶胶-凝胶法、水热法、沉淀-乳化法等;介绍了各种制备方法的工艺流程及其特点。     

SnO_2-SbO_2-IrO_2/SnO_2-SbO_2-CeO_2电极制备及其电化学性能研究

采用涂层热分解法制备含中间层Sn O_2-Sb O_2-Ir O_2、中间层Ti/Sn O_2-Sb O_2-Ir O_2/Sn O_2-Sb O_2-Ce O_2电极,研究了中间层数对电催化性能的影响。结果表明含有5层中间层的电极,可有效提高活性层的比表面积,使活性层变得更致密,会使电极的使用寿命和催化活性提高,含有5层中间层的电极寿命是不含中间层的25倍。在Na Cl溶液中降解亚甲基蓝的效果比在Na_2SO_4溶液中好,最佳的降解条件为0.1 mol/L的Na Cl溶液中,槽压为4.0 V。     

碳酸铝铵低温热分解制备a-Al2O3超细粉末

利用硫酸铝铵溶液和碳酸氢铵溶液的沉淀反应制备碳酸铝铵前驱体，通过在碳酸铝铵中同时添加α–Al2O3籽晶和硝酸铵, 使得α相的转变温度从1150℃降低到950℃, 获得了尺寸均匀、团聚较小、平均粒径为90 nm的球形α–Al2O3超细粉末. 相变过程为：无定型→g→g+α→α，并没有出现高温过渡型相q相.     

电沉积法制备纳米SnO_2薄膜

采用一种电沉积法室温下制备纳米SnO2薄膜。经研究得到了电沉积SnO2薄膜的最佳工艺条件:电流密度、电沉积时间、主盐浓度、游离酸浓度分别为i=8 mA.cm-2,t=120 m in,c(SnC l2)=0.02 mol/L,c(HNO3)=0.03 mol/L。用X射线衍射、红外光谱和扫描电镜、透射电镜等对薄膜的物相和微观结构、表面形貌等进行了研究。结果表明,室温下干燥得到的薄膜由SnO2.xH2O组成,但经过400℃热处理后,逐渐转变成结晶较为完整的四方结构SnO2薄膜,薄膜的表面较为平整、呈多孔状,薄膜粒径大小为8~20 nm。     

SnO_2纳米粒子制备及其应用研究进展

SnO_2纳米粒子作为一种新型宽禁带n型半导体材料,兼具纳米粒子和SnO_2半导体的双重优点,得到广泛应用,但仍有许多因素制约着它的进一步发展。其中,如何制备性能优异的SnO_2纳米粒子成为目前材料研究中的活跃课题之一,具有重要的科学意义。本文介绍了SnO_2纳米粒子的结构和特点,系统综述了SnO_2纳米粒子的物理和化学制备方法;同时总结了SnO_2纳米粒子应用研究进展以及在制备中遇到的团聚问题,并简述了本课题组在SnO_2纳米粒子制备应用中所做的工作。     

低温等离子体制备石墨烯及其性能研究

本文以石墨为原料采用改进的Hummers法制备GO,并采用低温等离子体对所制备的氧化石墨烯进行还原得到还原石墨烯。通过扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、傅里叶变换红外(FT-IR)、和X-射线衍射(XRD)等手段对氧化石墨烯及还原石墨烯进行了表征,结果表明GO经过N2、Ar等离子体处理后均得到了有效的还原。     

低温等离子体气相法制备氯化聚氯乙烯

介绍了氯化聚氯乙烯树脂的生产方法,研究了低温等离子体气相法制备氯化聚氯乙烯的新方法;试验结果表明:低温等离子体氯化工艺能够使聚氯乙烯快速氯化。     

声化学法低温制备α-ZnS纳米粒子及其反应机理

以无水氯化锌,硫代乙酰胺为原料,采用声化学法在低温成功制备了六方纤锌矿相硫化锌(α-ZnS)纳米晶,并对其反应机理作了初步探讨.采用X射线粉末衍射(XRD),示差扫描量热分析(DSC),透射电子显微镜(TEM)以及选区电子衍射分析(SAED)对所制得的纳米粉末进行了表征.结果表明:所制备ZnS为六方纤锌矿结构,粒子尺寸大约在20～30 nm.合成ZnS纳米粒子的形貌接近于球形,选区电子衍射图中三个衍射环分别对应于α-ZnS的(002)、(110)和(112)晶面.在超声辐射下,反应溶液体系首先生成具有六方结构的碱式氯化锌(Zn_5(OH)_8Cl_2·H_2O),为α-ZnS纳米粒子的生长提供了很好的模板.     

化学法制备硫酸镍

用CO(NH_2)_2脱硝生产硫酸镍,操作简单,成本低,且不污染环境。本文对用CO(HN_2)_2脱硝法制备硫酸镍的工艺过程作了初步探讨,並将该法与传统的热法税硝作了技术经济比较。     

直流电弧等离子体制备TiN纳米粉末的研究

采用直流电弧等离子体蒸发－冷凝法制备出了粒径可控的高纯所化钛纳米粉末。探讨了等离子体条件下氮经反应过程和影响ＴｉＮ粉末粒度的关键工艺参数。研究表明，高温氮等离子体条件下存在着大量的高活性基团，它们参与也氮化反应，提高了氮化反应活性。