类金刚石薄膜作为HgCdTe红外器件增透膜和钝化膜的研究

采用高频等离子体化学气相色沉积法（ＲＦＣＶＤ）在ＨｇＣｄＴｅ红外器件上沉积类金刚石薄膜，俄歇电子能谱对ＤＬＣ／ＨｇＣｄＴｅ界面分析结果表明类金刚石薄膜中的碳原子对衬底材料影响较小，７０ｎｍ的类金刚石薄膜抑制衬底组份的外扩散，而且具有纯度较高的类金刚石薄膜外表面层，是一种理想的钝化膜材料，红外透射光谱测试结果表明类金刚石薄膜在较宽的波长范围内（４－１２μｍ）具有明显的增透效应。     

海外文献速递

薄膜２００００２０１微波等离子体增强化学气相沉积金刚石膜微观结构──Ｃｈｅｎ Ｙ Ｈ． Ｏｉａｍｏｎｄ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ, １９９８, ７（９）：１２７２（英文） 用富Ｓｉ氨化物作预聚物和用负偏压微波等离子体增强化学气相沉积方法,在Ｓｉ基体上选择性部位沉积（ＳＡＤ）金刚石膜。结果表明,Ｃｈ４／Ｈ２混合气体压力过低（７． ９８～９． ９８） × １０~３ Ｐａ,Ｓｉ基体上金刚石膜形核受到抑制,ＳｉＮ基体上形核不受影响,采用以上工艺可获得高ＳＡＤ金刚石膜。最佳沉积工艺参数：气体总压力７．…     

金刚石薄膜与基材之间过渡层技术的研究

通过ＴＥＭ观察发现在金刚石膜与单晶硅片，金刚石膜与ＡｌＮ陶瓷之间存在一层过渡层，过渡层的存在为金刚石的形核及生长提供了有利的条件，受此启发，为了改善金刚民基材的结合强度，采用磁控溅射，空心离子镀，真空蒸镀等方法在Ｍｏ片上沉积ＴｉＣ，ＴｉＣＮ（Ｃ／Ｎ＝１／２）ＴｉＣＮ（Ｃ／Ｎ＝１／１０）等薄膜，研究了它们对金刚石膜与基材的结合强度的影响。     

火焰法在硬质合金上合成金刚石薄膜

用Ｏ２／Ｃ２Ｈ２燃烧火焰法在各种不同性质的衬底材料上直接合成金刚石薄膜，研究了硬质合金刀头的不同的冷却方式下，对合成金刚石膜的影响。结果表明：ＹＧ６硬质合金由于Ｃｏ的存在影响了金刚石膜的质量；当冷却方法不当时，硬质合金头刃部易过热；采和分段沉积法可改善金刚石膜与硬质合金的附着性。     

通过过渡层改善金刚石膜和基底间的结合性能

介绍了在金刚石膜和基底间通过施加过渡层以改善金刚石膜与基底间的结合性能的研究成果。金刚石膜可以通过过渡层沉积于多种基底上,如Ｓｉ、ＳｉＯ２ 、陶瓷（ＳｉＣ,Ａｌ２Ｏ３） 、钢及硬质合金基底等。过渡层有单层（ 如ＤＬＣ、Ｃ６０ 、Ｙ ＺｒＯ２ 、Ｃ Ｎ 膜、ＴｉＣ或ＴｉＮ） 和多层（ 如Ｍｏ／Ｎｉ、Ｍｏ／ＴｉＮ 或Ｂ／ＴｉＢ２／Ｂ 等） 之分,根据金刚石、过渡层及基底的晶格匹配性和热学匹配性,对于不同的基底应选择不同的过渡层。     

用EACVD方法合成金刚石薄膜

本文报道了用电子助进化学气相沉积（ＥＡＣＶＤ）方法合成金刚石膜的结果．用ｘ射线衍射喇曼散射和扫描电子显微镜等对合成的薄膜的性质及形貌进行了鉴定和观察，给出合成金刚石膜的工艺参数范围并简要讨论了工艺条件对膜合成的影响。主题词；电子助进化学气相沉积（ＥＡＣＶＤ）低温等离子体　金刚石膜国家自然科学基金资助课题     

WC-Co硬质合金表面MW-PCVD制备金刚石薄膜去钴预处理的研究

研究了ＷＣ－Ｃｏ硬质合金刀具表面微波等离子体化学气相沉积（ＭＷ－ＰＣＶＤ）制备金刚石薄膜时不同的去钴预处理方式的影响。扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明，利用氢－氧等离子体处理方式有显著的去钴效果，相应沉积获得的金刚石薄膜质量相对较高。与酸腐蚀处理相比，微波等离子体化学气相沉积装置中实现氢－氧等离子体处理方式具有独特的优越性。     

Si过渡层对梯度影响类金刚石薄膜结合力的影响研究

实验利用双放电腔微波-ECR等离子体源设备,采用复合PVD（physical vapor deposition）和PECVD（plasma enhanced chemical vapor deposition）的方法, 先后在NiTi基体上沉积Si和Si/α-C∶H过渡层,然后制备类金刚石薄膜.Raman光谱和透射电镜表明制备的梯度薄膜是典型的类金刚石薄膜,划痕的测试结果表明, Si过渡层沉积时间影响着梯度类金刚石薄膜与NiTi合金基体之间的结合强度,当沉积时间在60min左右时可获得具有最好结合强度的梯度薄膜,而超过或低于这个时间值会导致膜基结合强度降低.     

WC—Co硬质合金表面MW—PCVD制备金刚石薄膜去钴预处理的研究

研究了ＷＣ－Ｃｏ硬质合金刀具表面微波等离子体化学气相沉积（ＭＷ－ＰＣＶＤ）制备金刚石薄膜时不同的去钴预处理方式的影响。扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明，利用氢－氧等离子体处理方式有显著的去钴效果，相应沉积获得的金刚石薄膜质量相对较高。与酸腐蚀处理相比，微波等离子体化学气相沉积装置中实现氢－氧等离子体处理方式具有独特的优越性。     

国外文献速递

薄膜技术９９０６００１用复合ＰＶＤ工艺制备装饰性膜——ＳｈｉｍｐｉＫＣ．Ｓｕｒ－ｆａｃｅ＆ＣｏａｔｉｎｇｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ,１９９７,９０（１～２）∶１１５（英文）研究了用反应弧蒸镀和磁控溅射复合工艺在不锈钢基体上制备逐渐过渡的氮化物和金合金薄膜...     

薄膜技术

９９０７０４２直流磁控溅射沉积Ｔｉ┐Ｃ∶Ｈ膜——ＫｕｌｉｋｏｖｓｋｙＶ．ＤｉａｍｏｎｄａｎｄＲｅｌａｔｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓ,１９９８,７（６）∶７７４（英文）研究用直流磁控溅射沉积法及用Ｔｉ靶、ＣＨ４加Ａｒ气混合气制备类金刚石膜［含（１０～２０）％...     

硬质合金YG8上金刚石薄膜的成核研究

利用调节基底表面碳流量的方法促进了热丝ＣＶＤ中硬质合金ＹＧ８上金刚石薄膜的成核，使成核期大为缩短，根据扫描电镜和拉曼光谱对沉积结果的分析，研究了ＹＧ８上金刚石薄膜成核的机理。     

硬质合金YG8上金刚石薄膜的成核研究

利用调节基底表面碳流量的方法促进了丝ＣＶＤ中硬质合金ＹＧ８上金刚石薄膜的成核，使成核期大为缩短，根据扫描电镜和拉曼光谱对沉积结果的分析，研究了ＹＧ８上金刚石薄膜成核的机理。     

金刚石薄膜在硬质合金表面的沉积与结合强度

研究了准分子激光辐射ＷＣ－６Ｗ＋％Ｃｏ（ＹＧ６）硬质合金工具衬底产生的选择性蒸发和表面改性作用，ＹＧ６表面的钴含量被有效地降低。研究了在硬质合金ＹＧ６工具衬底沉积金刚石薄膜的良好工艺参数范围，由于钴的存在和迁移，沉积金刚石薄膜的温度和甲烷浓度范围变窄。     

金钢石薄膜与基材之间过渡层技术的研究

通过TEM观察发现在金刚石膜与单晶硅片、金刚石膜与A1N陶瓷之间存在一层过渡层，过渡层的存在为金刚石的形核及生长提供了有利的条件，受此启发，为了改善金刚石与基材的结合强度，采用磁控溅射、空心离子镀、真空蒸镀等方法在MO片上沉积TiC、TiCN（C／N=1／2）、TiCN（C／N=1／10）等薄膜，研究了它们对金刚石膜与基材的结合强度的影响．     

MPCVD法在氧化铝陶瓷上的金刚石膜沉积及其成核分析

用微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）法在氧化铝陶瓷基片上沉积了金刚石薄膜。实验表明，对基片进行适当的预处理，包括用金刚石研磨膏仔细研磨和沉积前原位沉积一层无定形碳层，可显著提高成核密度；对硅衬底和氧化铝基片上金刚石膜的成核过程进行了对比分析，并提出了提高氧化铝基片上沉积金刚石的成核的措施。     

微波等离子体刻蚀处理对金刚石薄膜涂层刀具附着力和切削性能的影响

用HFCVD法在硬质合金（YG6）刀具衬底上沉积金刚石薄膜,用氢微波等离子体刻蚀的方法对衬底进行表面预处理,研究了该预处理技术对WC硬质合金衬底表面成分的影响,进一步探讨了所沉积金刚石薄膜的表面形貌和附着力,并通过难加工材料实际切削试验。研究了所制备的金刚石薄膜涂层刀具的切削性能。试验结果表明,Ar-H2微波等离子体刻蚀脱碳处理是提高金刚石薄膜附着力和改善涂层刀具切削性能的有效预处理方法。     

钼片上CVD金刚石膜的界面研究

借助金相显微镜，ＳＥＭ、ＥＤＸＡ对钼片上ＣＶＤ金刚石膜的界面形貌和成分进行了研究，对比了加磁场与不加磁场所沉积的金刚石膜的横民面形态特征，结果表明：加磁场与否在ＣＶＤ金刚石膜和钼基体之间均存在数μｍ厚的Ｍｏ２Ｃ中间层，它呈细小柱状昌方式生长，该层以下的钼基体发生了再结晶细化；加磁场沉积的金刚石膜较致密，（显微）空隙数量较小、金刚石颗粒尺寸较小、金刚石膜背面粘附较多的Ｍｏ２Ｃ聚集物。压痕试验法评定的     

用热丝法在硬质合金基体上沉积金刚石膜的研究

用XRD，SEM和Raman光谱仪，洛氏硬度计等分析检测手段。研究了经表面两步法侵蚀后，YG15硬质合金基体上用热丝法沉积出的金刚石薄膜的晶体结构，显微组织，化学纯度及粘结性能等，结果表明，硬质合金基体表面一定深度范围内钴含量的变化。对金刚石薄膜的晶体结构取向，组织形态，化学纯度及粘结性能等有很大影响。（1）在基体表面深度约为5μm范围内，当钴含量为0.81%时，金刚厂长汪膜具有明显的{111}面取向，其金刚石纯度较高；而当钴含量为1.05%时，具有{110}和{111}面的混合取向，其金刚石纯度较低，且其薄膜具有较高的内应力。（2）当CVD沉积温度为800℃时，金刚石薄膜的晶粒度约为1-3μm。（3）与多边形金刚石薄膜相比，菱形金刚石薄膜与硬质合金基体具有较高的粘结性能。     

金刚石薄膜涂层硬质合金刀具的界面表征

采用SEM对金刚石薄膜涂层硬质合金刀具的金刚石薄膜表面、背面及金刚石薄膜剥落后的硬质合金刀片表面的典型形貌进行了观察,并采用TEM对金刚石薄膜／硬质合金刀片横截面的微观组织进行了研究,还采用FT—Raman光谱法对金刚石薄膜表面及金刚石薄膜剥落后的硬质合金刀片表面的微观结构进行了表征．结果表明：经适当的化学侵蚀脱钻和等离子体刻蚀脱碳预处理后,金刚石薄膜涂层硬质合金刀具的界面通常存在薄的（数十nm）石墨碳层;局部区域见到金刚石粒子直接生长在WC颗粒上,金刚石膜／基横截面的典型组织层次为：金刚石薄膜／薄的石墨碳层／细小的WC层／残留的脱碳层（η相＋W相）／原始的硬质合金基体．