电子工艺

Y2002-63318-139 0327868使用自校准技术及氢退火制造高可靠性沟道DMOS—FET的一种新处理技术=Anovel process technique forfabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing[会,英]/Kim,J.＆Roh,T.M.//2001 IEEE Proceedings of the 13thInternational Symposium on Power Semiconductor De-vices＆ICs.—139-142     

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一种新型的插补方法——自动过象限卡诺图最小偏差法[刊]/栾芝芸//测控技术.—2000,19(11).—51～52(E)数控系统各种插补方法中,最小偏差法是脉冲增量方法中精度最高、运算速度最快的插补方法。本文提出一种新的最小偏差法——改进的卡诺图自动过象限最小偏差法。参2     

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利用 X 射线光电子谱和原子力显微镜研究经气相和溶液钝化的 InP 表面的化学健合、表面残余氧含量、表面刻蚀效应和粗糙度。结果表明,采用气相多硫化物钝化可以获得均匀、光滑和可重复的表面质量,但其热稳定性不如溶液多硫化物钝化的 InP 表面好。参12     

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IELDVD060:9322:29630-315 0600530 0.13μmCMOS技术负偏置温度不稳定性的可靠性控制监控准则=Reliability control monitor guideline of negative bias temperature instability for 0．13／spl mu／m CMOS technology[会,英]／Wang,C．S．／／Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits,2004．IPFA 2004．Proceedings of the 11th International Symposium     

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Y2002-63377-240 0314324高速互联中抽取无源低阶模型的电介质工艺=Tech-tuques for including dielectrics when extracting passivelow-order models of high speed interconnect[会,英]/Daniel.L.& Alberto.L.//2001 IEEE/ACM Interna-tional Conference on Computer Aided Design,Digest.—240～244(E)     

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0605839 NaCl感应热腐蚀中热浸涂层的低碳钢,SUS310和Fe- Mn-Al合金的腐蚀状况=Corrosion behaviors of low carbon steel,SUS310 and Fe-Mn-Al alloy with hot- dipped aluminum coatings in NaCl-induced hot corrosion [刊,英]/C．J．Wang,J．W．Lee//Electronics Letters．- 2003,163(30)．-37-43(E)     

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Y99-61677 99151431998年 IEEE 第7届电子封装电性能专题会议录=1998 IEEE 7th topical meeting on electrical performanceof electronic packaging[会,英]/IEEE Microwave Theoryand Techniques Society & IEEE Gomponents.Packagingand Manufacturing Technology Society.—IEEE,1998.—300P.(G)报道了1998年10月26日至28日在美国西点举行的电子封装的电性能专题讨论会上的60多篇文章。内容主要涉及封装设计,单片互连,封装件测试,混合信号/光学封装设计,封装件的电源系统和配电建模,硅衬底建模,同时开关噪声,微波封装,加速建模和模拟。     

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0005785B~+、As~+离子注入工艺模拟模型的比较[刊]/庞海舟//微电子学.—1999,29(6).—407～412(A)对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾,介绍了在 Suprem Ⅸ中采用的双 Pearson分布模型。通过对 B~+及 As~+在不同剂量和能量下对     

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Y99-61803-120 2002036采用片上测量进行校准的简单、准确的互连统计模型=Interconnect simple,accurate and statistical models us-ing on-chip measurements for calibration[会,英]/Dogan-is.A.//Proceedings of the 12th Intemational Conferenceof VLSI Design.—120～125(EZ)     

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Y2001-62725-399 0118512用边界限制的加速切断平面图设计=On acceleratingslicing floorplan design with boundary constraints[会,英]/Liu,E.-C.& Lin,T.-H.//2000 IEEE Interna-     

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N99-06305 0003826电子情报通信学会技术研究报告:电子器件 ED98-246～256(信学技报,Vol.98,No.591)[汇,日]/日本电子情报通信学会.—1999.02.—76P.(L)本文集为强介质薄膜与存储器的应用专辑,收录的11篇论文主要涉及:Bi_4Ti_3O_(12)、SrBi_2Ta_2O_9等薄膜的制作与低温制作,MOCVD 法在薄膜工艺中的应用,MOCVD(Zr,Ti)O_3薄膜以及强介质薄膜的电气特性,200nmPLZT 溅射薄膜、MFMISFET 的强介质特性,ZnO:X 薄膜的制作与介质特性,宽禁带半导体 Si 衬底上的薄膜形成及其强介质特性,异质外延(100)In 以及(001)PZT 薄膜的膜质特性,MFIS 结构的电气特性,Y_2O_3/Si的 C-V 特性的分析等。     

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Y2000-62210-361 0012783直径为100毫米的 In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP 芯片加工工艺的进展=Progress with 100 mm diameter In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP wafer processing[会,英]/Olsen,G.H.&Lange,M.J.//Proceedings of 11th International Con-ference on Indium Phosphide and Related Materials.—361-363(UC)介绍了利用在直径为50和75毫米 InP 衬底上生长的 InGaAs/InP 外延层制备出的光探测器的结果。利用100000Ω-cm2的晶格匹配的材料生产出最优分流电阻的芯片。X 射线形貌测试表明,利用直径为100毫米的圆片获得了低缺陷密度(<10000cm-2)的掺铁的磷化铟衬底。参2     

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06171233-D MCM封装技术及其应用〔刊,中〕/王玉菡//电子科技.—2006,(3).—9-12,16(D)0617124AM与HEMA共聚制备水凝胶的结构与性能〔刊,中〕/黎新明//信阳师范学院学报(自然科学版).—2006,19(2).—226-229(L)0617125元胞自动机方法模拟硅的各向异性腐蚀研究〔刊,中〕/周再发//固体电子学研究与进展.—2006,26(1).—128-133(D)随着计算机运算速度的提高及MEMS结构变得日渐复杂,元胞自动机(CA)方法逐渐在MEMS CAD方面显出优势。针对硅的各向性腐蚀模拟,首先建立硅衬底表面元胞的腐蚀过程二维CA模型,然后推广为三维CA模型,从而建…     

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Y2002-63234 02197012001年 IEEE 半导体制造国际会议录=2001 IEEE in-ternational symposium on semiconductor manufacturing[会,英]/IEEE Electron Devices Society.—2001.—525P.(E) 本会议录收集了于2001年10月8～10日在加州San Jose 召开的半导体制造会议上发表的122篇论文,内容涉及工厂设计,半导体制造策略与结构,制造控制与管理,半导体加工测试设备,多硅片快速等温处理,光致抗蚀剂,成品率相关因素分析。Y2002-63239 02197022001年 IEEE 大学/政府/工业微电子学会议录=2001IEEE university/government/Industry microelectronicssymposium[会,英]/IEEE Electron Devices Society.—2001.—225P.(E)本会议录收集了于2001年6月17～20日在弗吉尼亚 Richmond 召开的大学、政府与工业微电子学会议     

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Y2002-63436-42 0319779溅射薄膜特性与溅射工艺参数的关系=Relationshipsamong pruperties of sputtered thin films and sputteringprocess parameters[会,英]/Kolar M.& Mach,P.//2001 IEEE Internatiortal Spring Seminar on ElectronicsTechnology and Concurrent Engineering in ElectronicPackaging,—42～46(E)     

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SPIE-Vol.4174 0305134SPIE 会议录,卷4174:微加工与微制造工艺技术=Proceedings of SPIE,Vol.4174:Micromachining andmicrofabrication process technology[会,英]/SPIE-TheInternational Society for Optical Engineering.—524P,(E)本会议录收集了在美国 Santa Clara 召开的微加工与微制造工艺技术会议上发表的57篇论文。内容涉及光波网络的微机电系统(MEMS),光刻,低温压电 AIN薄膜,绝缘体上硅微加工技术,激光微焊接,MEMS 薄     

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0619983正／负双层光刻胶厚膜剥离技术[刊,中]／林立／／激光与红外．-2006,36(4)．-282-284(G)首次介绍一种正／负双层光刻胶厚膜剥离技术,采用在厚层正型光刻胶上涂薄层负型光刻胶的方法,在光刻胶的边缘形成顶层外悬的屋檐式结构,实现了10μm蒸发膜层的无高沿边缘剥离。对不同的剥离膜厚,选取合适的胶厚,可控制剥离膜的横向尺寸精度。10μm厚蒸发膜层的横向尺寸差可控制在5μm内。参8     

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Y2002-63059-469 0210737IC制造工艺扩展方案限制:器件制作和电路性能说明=Extending resolution limits of IC fabrication technolo-gy:Demonstration by device fabrication and circuit per-formance〔会,英〕/Nalamasu,O.//2001 IEEE the 14thInternational Conference on VLSI Design.-469(E)     

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Y2002-63033 02081712000年 IEEE 国际半导体会议录.卷2=2000 IEEEinternational semiconductor conference,Vol.2[会,英]/IEEE Electron Devices Society.—2000.—166P.(E)本会议录共分2卷.本书为第2卷,收集了在会上发表的38篇论文,内容涉及传感器、微米与纳米技术,     

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Y2000-62028-1056 0100379基于万维网的虚拟封装实验室开发的进展=Progresstowards developing a Web-based virtual packaging labora-tory[会,英]/Light,D.L.& Elshazly.D.//1999IEEE 49th Electronic Components and Technology,Con-ference.—1056～1059(PC)Y2000-62185-13 0100380铝合金(Al-Si-Cu)金属化中的硅沉淀问题=The Siprecipitation problem in Aluntinium Alloy(Al-Si-Cu)metallization[会,英]/Hua,Y.N.& Liu,E.Z.//1998 IEEE International Conference on SemiconductorElectronice.—13～16(EC)