使用CMOS读出装置的红外焦平面阵列

本文着重介绍使用ＣＭＯＳ多种传输器读出装置的ＨｇＣｄＴｅ，ＩｎＳｎ，ＰｔＳｉ，ＰｂＳｅ，ＰｂＴｅ和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子阱中波，长波红外焦平面阵列的现状及性能参数。     

红外焦平面阵列用信号处理电路

介绍了红外焦平面阵列信号处理电路的发展概况。重点描述了CCD多路传感器（CCD－MUX）、时间延迟积分CCD（TDI－CCD）、MOSFET、CMOS多路传感器（CMOS－MUX）的基本结构、工作方式及应用领域。最后给出了多路传感器件的两种应用电路。     

混合式非致冷红外焦平面列阵发展状况

将热释电探测器与硅多传输器用铟柱互连，即可实现混合式非致冷红外焦平面阵列。文章主要介绍混合式非致冷红外焦平面阵列的典型结构及其发展状况。     

长波红外焦平面阵列的进展

本文着重介绍HgCdTe、IrSi、Ce_xSi_(1-x)/p-Si和GaAs/AlGaAs多重量子阱长波红外焦平面阵列的现状及发展趋势。     

红外焦平面器件读出电路技术

本文是一篇关于红外焦平面阵列器件的综述性文章。主要介绍了红外焦平面阵列器件的分类、定义、应用、组成部分、发展趋势,其中重点对红外焦平面器件读出电路技术作了详尽的论述。     

PtSi红外焦平面阵列技术的发展概况

介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列技术的最新进展,分析了国内研究中存在的问题,并指出了今后的发展方向     

红外焦平面阵列的应用与发展动向

以红外焦平面了列为代表的第二代红外探测器军事应用不断扩大，民间应用日趋活跃，其结果使产量增加，市场扩展，降低红外系统价格，并可加速新型成本和高性能红个焦平面阵列的发展。     

用于侦察应用的6000元红外焦平面列阵

这里介绍一种6 000元锑化铟(InSb)红外焦平面列阵的设计、体系结构及性能.这种焦平面列阵体系结构允许用其基本元件制作任何一种N×1000元大小的列阵.为了能在穿轨和沿轨两个方向进行有效间距为10μm的21过取样,探测器采用了一种独特的双交错几何图形.这种探测器几何图形除了能以10μm的有效间距进行取样外,还允许使用25μm以下的实际像元尺寸,这样它便可以利用大像元的高信号俘获能力进行无重叠成像.锑化铟探测器是正面照射的P-on-N型台式二极管,它们不会产生明显的串音.互补型CMOS多路传输器是按M×250的分节形式设计的,它具有多达1 000万个电子的满势阱输出,其瞬时动态范围大于14bit,它可以为焦平面列阵提供灵活的低噪声读出.为了提供可用于侦察应用的、可靠且能够生产的长焦平面线列,锑化铟探测器与多路传输器的混成是利用一项取得专利的梁式引线技术完成的.介绍了6 000元红外焦平面列阵的表征,包括二极管的动态阻抗、读出噪声、线性度以及非均匀性等.除了构成焦平面列阵的混成组件的数据外,还介绍了CMOS多路传输器的实测特性.     

红外焦平面探测器阵列规格的发展

红外焦平面探测器阵列规格的发展是一个从疏到密、从小到大的过程,受到大面积探测器材料生长和小像元制备等因素的限制。战略焦平面阵列一般用于探测点源目标,而战术焦平面阵列则一般用于探测扩展源目标。从相关的基本概念出发,分析了焦平面阵列规格的发展过程,讨论了作用距离与焦平面阵列规格之间的关系。由于电视格式基本固定,在战术焦平面阵列实现全帧格式以后,其规格进一步增加的势头即便不是停止,也必将会趋缓。但是另一方面,因为焦平面阵列的规格越大,其居高临下而一次看到的面积就越广,所以战略焦平面阵列将会继续向超大规格发展。     

凝视焦平面阵列红外成像导引头设计探讨

本文概述了凝视焦平面阵列红外成像系统的特点，对凝视焦平面阵列红外成像导引头的性能设计进行了探讨，分析了关键技术，对未来的发展提出了建议。     

基于环境温度的红外焦平面阵列非均匀性校正

分析了环境变化对红外焦平面阵列信号输出的影响,提出了一种基于环境温度和目标温度的非均匀性校正算法.利用UL01011凝视型红外探测器进行信号采集,根据最小二乘原理建立了焦平面探测单元的指数响应模型.最后,利用该模型进行非均匀性校正.实验表明,算法能在较宽的环境温度范围,准确预测焦平面探测单元的响应,有效提高了非均匀性校正的精度.     

凝视红外焦平面CCD非均匀性校正

对CCD器件的非均匀性校正的理论方法进行了讨论、分析和比较,并对32×64元硅化铂肖特基势垒红外焦平面器件进行了响应率非均匀性的校正,针对该器件响应率非线性度大、传输率低、疵点数目多和噪声大等问题,选取先进的多点定标分段校正算法,实现了实时校正及显示。校正后,不均匀度为2%,图像质量明显得到改善。     

红外焦平面阵列非线性响应的分析和计算

分析了导致红外焦平面阵列响应非线性的各种因素;并以HgCdTe红外焦平面阵列为例,以量子效率与入射光子波长的相关性为基础,计算了在准理想条件下探测器响应的非线性量;结合非均匀性校正,计算了在给定区间定标后的非线性大小;还对实际应用中一例非线性响应所导致的焦平面阵列的非均匀性剩余误差进行了解释。     

非制冷热释电红外焦平面

叙述了室温下工作的、或在半导体温差电制冷系统下，近室浊工作的热释电红外焦平面列阵的最新进展，所用的材料是钛酸锶钡铁电陶瓷。     

长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件

介绍了长波红外2048元线列碲镉汞焦平面器件的制备技术和达到的性能参数.探测器采用离子注入平面pn结制备光敏元,通过间接倒焊技术和读出电路互联,采用8个256元焦平面模块拼接2048元线列焦平面器件.光敏元的响应截止波长达到9.9μm,相应的RoA达到10Ωcm2,平均峰值探测率达到9.3×1010cmHz1/2 W-1,响应不均匀性为8%,有效光敏元率大干99.5%.     

基于场景的红外焦平面非均匀校正技术分析

补偿固定噪声的时间漂移是红外焦平面非均匀校正技术中面临的一个重要问题．本文考察了近期提出卡尔曼滤波算法、校正统计算法与代数算法,分析其解决固定噪声随时间漂移的机理,并对算法性能进行综合评价,最后对得出的结论用仿真数据给予验证．     

红外导引技术的发展与新趋势

本文介绍红外导引技术的发展：小视场扫场扫描加微机信息处理当代抗干扰红外点源导技术的发展主要趋势。     

递推混合最小二乘在红外焦平面阵列非均匀校正中的应用

基于递推最小二乘(RLS)的红外焦平面阵列非均匀校正算法具有计算量和存储量小等优点,易于工程实现.但RLS并不完全满足实际问题模型的要求,因此拟合出的噪声参数存在严重偏差.提出了一种利用递推混合最小二乘(RMLS)替代RLS进行非均匀校正的算法,它不但具有原方法的各种优点,而且由于符合问题模型的基本特征,因此在拟合精度和收敛速度方面都优于RLS.文中实验结果也验证了该方法的有效性.     

红外焦平面阵列非均匀性自适应校正算法研究进展

实现红外焦平面阵列非均匀性自适应校正是高级红外探测系统追求的重要目标,对提高红外探测系统的空间分辨率、温度分辨率、探测距离以及辐射量的正确度量具有重要意义.归纳总结了国内外关于凝视红外焦平面阵列非均匀性自适应校正算法的部分研究工作及其进展,比较了典型自适应算法的性能和适用条件,为进一步开展红外焦平面阵列非均匀性自适应校正研究提供参考意见.     

256元InGaAs线列红外焦平面及扫描成像

报道了用分子束外延(MBE)方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,通过台面制作、硫化处理、ZnS/聚酰亚胺双层钝化、电极生长等工艺,制备了256元正照射台面InGaAs线列探测器,278K时平均峰值探测率为1.33×1012 cmHz1/2W-1.测试了不同钝化方式探测器典型Ⅰ-Ⅴ曲线和探测率,硫化可以减小探测器暗电流,ZnS/聚酰亚胺双层钝化效果最好.并对ZnS/聚酰亚胺双层钝化InGaAs探测器进行了电子辐照研究.256元InGaAs探测器阵列与两个CTIA结构128读出电路互连并封装,在室温时,焦平面响应率不均匀性为19.3%.成功实现了室温扫描成像,图像比较清晰.