高Q Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3介质谐振器材料及其在毫米波系统中的应用

叙述了Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质谐振器材料的制备、结构、微波性能及典型应用。Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质材料介电常数εｒ为２９．５，频率温度系数τ≈０（－５５～＋８５℃），１０ＧＨｚ下最大无载Ｑ值１４７００，在２８ＧＨｚ测得Ｑ值约为４８００。这种材料具有高Ｑ值，特别适用于Ｘ以上波段作为振荡器电路中频率稳定元件。用这种介质谐振器已研制出８ｍｍ介质稳频微带耿氏振荡器，频率稳定度小于１０×１０－６／℃，最大输出功率达１８０ｍＷ。     

高Q微波介质谐振器材料D_5的研究

研制出新型Ｄ５微波介质谐振器材料。该材料为ＡＢＯ３型钙钛矿化合物。化学组成式为Ｂａ（Ｚｒｘ，Ｚｎｙ，Ｔａｚ）Ｏｎ（式中ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，ｎ为任意）。该材料具有稳定的工艺特性和良好的微波性能。１０ＧＨｚ下，无载Ｑ值Ｑ０＝９０００，相对介电常数εｒ＝３０，谐振频率温度系数τｆ（１０－６℃－１）在０附近可调。该材料的出现为Ｘ波段乃至Ｋｕ波段微波介质谐振器的应用提供了一种良好的可供选择的材料。     

26千兆赫波段稳频微波集成电路碰撞雪崩渡越时间二极管振荡器的设计

一种工作在26千兆赫的采用介质谐振器的稳频微波集成电路碰撞雪崩渡越时间二级管振荡器已研制成功。在设计这种工作在高频范围的振荡器时,要考虑许多参数对频率稳定性的影响。本文讨论了由各种因素引起的振荡频率的变化。这些因素是:介质谐振器谐振频率的漂移,二极管电抗的偏移,二极管与谐振器之间的电长度的变化;所有这些变化都是由温度改变引起的。本文还介绍了频率高度稳定的振荡器的设计规则。利用这些技术,我们已制作出一台微波集成电路碰撞雪崩渡越时间二极管振荡器。它的性能是:在0℃至50℃的温度范围内,频率稳定度小于±5.0×10~(-6),输出功率变化小于±2.0分贝,输出功率大于23毫瓦分贝。     

低损耗高温型R特性高压电容器瓷料的研制

采用Ｂｉ（３＋）、Ｐｂ（２＋）、Ｍｇ（２＋）与主晶相ＳｒＴｉＯ３固溶，并添加适量的Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３对ＳｒＴｉＯ３进行改性，研制出εｒ≥２２００，１ｋＨｚ时ｔｇδ≤０．１０×１０（－２），１０ｋＨｚ时ｔｇδ≤０．３０×１０（－２），－２５～＋８５℃｜△Ｃ／Ｃ｜≤１５％，Ｅｂ（ＤＣ）＞９Ｖ／μｍ，Ｒｉ＞１０（１２）Ω，耐高温（可达＋１２５℃），高频性能好的新型介质材料。该瓷料适合制作工作频率高、表面温升低的低损耗、耐高温的高压瓷介电容器。     

声表面波调频振荡器

论述了声表面波调频振荡器的原理及设计方法，探讨了有关电路，并制作了中心频率３８０．８ＭＨｚ的声表面波调频振荡器。当调制信号频率区ＤＣ至８００ｋＨｚ变化，幅值为２．５Ｖ时，调频频偏大于５５０ｋＨｚ；当调制信号频率小于或等于２００ｋＨｚ，幅值为１．０Ｖ时，调频非线性失真小于３．５％。振荡器经过温度补偿，温度稳定性优于±１５０ｐｐｍ（－４０℃～＋５０℃）。     

微波小型化固态介质谐振器振荡器的发展

介绍了近年来微波小型化固态介质谐振器振荡器（ＤＲＯ）研究方面的新成就。重点介绍了介质材料、ＤＲＯ的频率调谐特性、相位噪声性能的优化、ＤＲＯ的拓展设计以及焊封和可靠性。     

采用介质谐振器的C波段高频稳度的低噪声GaAs FET集成振荡器

本文所介绍的采用氧化钡——二氧化钛系列陶瓷介质谐振器来稳频的GaAsFET(砷化镓场效应晶体管)集成振荡器,向人们提供了小型低噪声微波功率源。最近研制的陶瓷其膨胀系数与介电常数的温度系数相互补偿,因而谐振频率的温度系数很小。在6千兆赫时可获得输出为100毫瓦、效率为17％、频率温度系数小到2.3ppm/℃的振荡器。由于稳定,调频噪声电平还可减小30分贝。作者对振荡器和介质谐振器的动态特性作了精确测量,以决定等效电路表达式;提出了建立在这些等效电路表达式基础上的大信号设计理论,以求得振荡器与稳定介质谐振器之间的最佳耦合条件。本稳定振荡器的性能足以满足微波通信系统的需要     

时域有限差分法计算微带电路中圆柱介质谐振器的谐振频率

采用时域有限差分法（ＦＤＴＤ）计算了微带电路中圆柱介质谐振器的谐振频率,求解了孤立ＤＲ、介质衬垫ＤＲ以及屏蔽的ＤＲ。计算结果与变分法计算的结果一致,验证了时域有限差分法的有效性,使时域有限差分法接近实际工程设计需要。     

电子元件

扩充频率范围的表面贴装晶体ＨＣ４９ＳＤ是一种电阻焊、小尺寸的晶体。频率范围为３．２～７０ＭＨｚ。在２５℃时频率容限为上３０ｐｐｍ,频率稳定度为上５０ｐｐｍ。工作温度范围为０～７０℃;储存温度为－３５～８５℃。并联电容７ｐＦ,并行标准晶体的标准负载容量为２０ｐｆ,驱动电平为０．５ｍＷ。该生产厂家还提供通孔连接的３．６ｍｍ高的晶体。Ｆｏｘ电子公司电话：（００１）２１５４５３８７００,Ｆａｘ：（００１）２１５４５３１６７０提高连接特性的连接器Ｔｒｕ－Ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ公司推出了ＬＣ系列ＲＦ同轴连接器,…     

由HDDR工艺研制高矫顽力Sm2Fe17Nx磁粉

本文论述了在制备高矫顽力的Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｘ磁粉过程中，ＨＤＤＲ工艺的应用。研究ＳｍＦｅ１７的氧化歧化行为，在６００℃－１１００℃氢化处理畴，Ｓｍ２Ｆｅ１７相分解为α－Ｆｅ和Ｓｍ化合物，随后热处理真家脱氢，蜂窝状２ｍ２Ｆｅ１７相直径大绚５０－５００ｎｍ，经７７５。ＨＤＤＲ工序处理和氢化Ｓｍ２Ｆｅ１７粉８．７ＫＯｅ高的矫顽力。     

钾7S态与基态铷原子的碰撞能量转移

在Ｋ－Ｒｂ混合蒸气中，使用Ｋ光谱灯和染料激光器，将Ｋ原子二步激发到７Ｓ态，用荧光法测量了过程Ｋ（７Ｓ）＋Ｒｂ（ＳＳ）→Ｋ（４Ｓ）＋Ｒｂ７２ＤＪ的碰撞转移截面。Ｒｂ７２ＤＪ对Ｋ７Ｓ的荧光比中含有Ｒｂ７２Ｄ能级混合的影响，第二个实验可以消除这个影响，利用Ｒｂ光谱灯和染料激光器产生Ｒｂ７２Ｄ３／２态，探测Ｒｂ７２Ｄ５／２对Ｒｂ７２Ｄ３／２的荧光比。在Ｔ＝４２５Ｋ时，得到Ｋ７Ｓ→Ｒｂ７２ＤＪ激发转移截面（１０－１４ｃｍ２单位）分别为２．０８±０．７７（＝３／２）和２．８６±１．０６（Ｊ＝５／２）。     

空气中真空紫外线清洗时砷化镓表面的氧化

空气中真空紫外线清洗时砷化镓表面的氧化＝［刊．俄］∥－１９９３．２２（２）．－５０～５２本文列举了在Ｏ＿２介质（空气中）中真空紫外线清洗砷化镓过授的相关数据。采用的真空紫外线辐射源是Ｄ＿２放电灯（其电功率为５００Ｗ）．它在１１５～２００ｎｍ范围内保证...     

C波段双频切换低相噪介质稳频振荡器的设计

文章介绍了一种双频切换，低相噪介质稳频振荡器（ＤＲＯ）的设计方法。运用微波ＣＡＤ设计的Ｃ波段ＤＲＯ，其相位噪声可达到－７２～－７５ｄＢｃ／１Ｈｚ／１ｋＨｚ，最佳为－８０ｄＢｃ／１Ｈｚ／１ｋＨｚ；输出功率大于２０ｍＷ；推频系数小于１００ｋＨｚ／Ｖ；可在－２０℃～＋５５℃工作。     

会议电视系统常见故障的排除

会议电视系统常见故障的排除沈才良会议电视系统一般由编解码器（ＣＯＤＥＣ）、房间系统（摄像机、监视器、Ｕｃ－５０、ＲＭ－５０会议控制器、回声抑制器）、多点控制单元（ＭＣＵ），以及２Ｍｂ／ｓ或ＤＤＮ网络Ｖ３．５专线组成。下面将会议电视（ＣＬＩ公司产品）中...     

含La或Sm的BaNd_(2-y)R_yTi_(4+x)O_(12+2x)瓷的结构与性能

ＢａＯ－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２系富钛区含Ｌａ或Ｓｍ的陶瓷,ＸＲＤ、ＳＥＭ显微结构分析表明,其主晶相为Ｒ（Ｒ＝Ｌａ或Ｓｍ）取代Ｎｄ固溶体ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ５Ｏ１４和ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ４Ｏ１２,均属斜方晶系,并存在少量的次晶相Ｒ２Ｔｉ２Ｏ７、ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０等。富钛区ＢａＮｄ２Ｔｉ４＋ｘＯ１２＋２ｘ（ｘ＝０～１．４００）组分和含Ｌａ或Ｓｍ的ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ５Ｏ１４组分所组成的瓷料,介质损耗显著地降低,介电常数和电容温度系数遵从李赫涅德凯对数混合定律。     

HF和VHF微小型石英晶体谐振器

本文简要介绍石英晶体谐振器小型化的发展概况，较详细地介绍了JA7系列石英晶体谐振器的设计、制造工艺及试验样品的性能，对该产品的初步应用情况也作了简单说明。该产吕的频率覆盖范围是8－350MHz，其频率制造公差在210ppm以内，温度频差在－55－＋90℃的宽温度范围内为±50ppm，当工作范围分别为0－60℃，－20－＋60℃时，可以达到±5ppm，210ppm内的小公差。微小型石英谐振器体积小，仅为8×8×3．2mm^3和8×6．5×3．2mm^3，重量小于0．4g，且质量稳定可靠，它们是移动通信等电子设备中良好的电子元器件。     

光纤通信SDH系统用石英晶体振荡器的研制

介绍了压控石英晶体振荡器的原理，设计特点和性能，针对光纤通信ＳＤＨ系统上的时钟频率源的基本原理和ＳＤＨ的网同步对网络单元时钟的要求，采有了适当频率温度曲线的谐振器，变容二极管移相器，高性能的放大电路，波形转换电路，振荡器具有高的稳定度，良好的调谐范围和占空比，当环境温度在０℃，到７０℃范围内变化时，作为网络单元时钟的压控振荡器的频率漂移优于±１ＰＰｍ，秒稳优于２．５×１０＾－９／秒。     

X波段介质稳频振荡器

介绍一种环路反馈式ＦＥＴ介质稳频振荡器，达到的技术指标为振荡频率１０．２３ＧＨｚ；在－３０℃＋５０℃范围内，频率稳定度可达０．５５ｐｐｍ／℃；在偏离载频１００ＧＨｚ处的相位噪声为－１１０ｄＢｃ／Ｈｚ；振荡器两中出的功产为１０－１５ｍＷ。     

数控振荡器

数控振荡器的实际电路如图１所示。该电路由四与非门（７４ＨＣ１３２或７４ＨＣ００）和少量阻容元件组成。振荡器的输出频率由阻容元件决定，其公式为：ｆ＝１２（Ｒ２＋Ｒ３）Ｃ１［０．４０５Ｒ１Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ３＋０６９３］式中：Ｒ２为最大频率的限制电阻振荡器...     

应用细胞化学法与X—射线能谱仪对深低温停循环后脑神经细胞中Ca …

用草酸－焦锑酸钾细胞化学法显示深低温（１８℃）停循环（ＤＨＣＡ）在１２０ｍｉｎ后脑神经细胞内Ｃａ＾＋＋的分布及超微结的改变，同时利用Ｘ－射线能谱仪测量细胞内Ｃａ＾＋＋浓度以及停循环时应用１．６－二磷酸果糖（ＦＤＰ）保护液后细胞内Ｃａ＾＋＋浓度的变化，结果显示：（ＤＨＣＡ）１２０ｍｉｎ后脑神经细胞超微结构破坏严重，细胞内Ｃａ＾＋＋浓度明显增加，但在（ＤＨＣＡ）期间应用（ＦＤＰ）脑保护液后可以明业减轻